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公开(公告)号：CN120010055A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510448223.2
申请日：2025-04-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种偏振旋转器及其制作方法，偏振旋转器包括在第一方向上依次相连的第一波导、第一耦合波导、模式转换波导、第二耦合波导以及第二波导；第一波导用于导入外部的第一模式偏振光；第一耦合波导用于耦合第一波导和模式转换波导；模式转换波导用于将由第一波导导入的第一模式偏振光转换为第二模式偏振光，模式转换波导在第一方向上具有几何不对称性；第二耦合波导用于耦合模式转换波导和第二波导；第二波导用于导出经模式转换波导转换的第二模式偏振光；其中，第一方向为光传播方向。本发明的偏振旋转器及其制作方法，其能够有效缩短器件结构同时带来高效的转化率。
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公开(公告)号：CN119545956A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411695124.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10F71/00 , H10F10/142
Abstract: 本发明公开了一种多结太阳能电池的制作方法及多结太阳能电池结构，制作方法包括：制备多结太阳能电池外延片，所述外延片具有相对设置的正面侧和背面侧；在所述外延片的背面侧形成背电极；在所述背电极上形成第二衬底；在所述外延片的正面侧形成正电极；采用刻蚀方式对所述外延片进行芯片隔离；对芯片隔离后的外延片进行湿法钝化，修复所述外延片因晶格失配应力引起的刻蚀液横向腐蚀加剧造成的刻蚀损伤。本发明的多结太阳能电池的制作方法及多结太阳能电池结构，其能够钝化由较大晶格失配应力引起的刻蚀液对电池侧壁的横向腐蚀加剧而导致的侧壁损伤，显著提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN113451108B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010213156.3
申请日：2020-03-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法，该方法包括：提供一外延衬底；在外延衬底上生长牺牲层；在牺牲层上层叠生长至少一层Al1‑nGanN外延层，其中，0＜n≤1；在Al1‑nGanN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列；刻蚀牺牲层，以将牺牲层上的外延结构整体剥离；将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜，本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量，也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外，外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小，而且外延生长过程中无需额外的催化剂，有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强，可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。
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公开(公告)号：CN117936663A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410120207.6
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED芯片的制作方法及Micro‑LED芯片，制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成的缓冲层、n型GaN层、有源区、AlGaN阻挡层以及p型GaN层；刻蚀所述外延结构至暴露所述n型GaN层，形成侧壁均为GaN晶体A面的台面结构；采用四甲基氢氧化铵溶液对所述台面结构的侧壁进行腐蚀,以在所述台面结构的侧壁上形成纳米棱镜结构；钝化处理并在所述外延结构上形成电极。本发明的Micro‑LED芯片的制作方法及Micro‑LED芯片，充分考虑了刻蚀侧壁的晶面取向，极大的提高了Micro‑LED芯片的EQE，这为制备高效率的Micro‑LED提供了新的的途径。
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公开(公告)号：CN114005895B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111247579.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117134190A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311342840.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种P型GaN欧姆接触结构的制备方法、P型GaN欧姆接触结构及应用。通过外延层的生长结合碳离子注入以调控并优化Mg掺杂的P型GaN欧姆接触性能。具体来说就是，先外延生长Mg掺杂的P型GaN，生长后通过离子注入的方式对Mg掺杂的P型GaN层注入一定浓度的碳离子并精准调控碳浓度，降低比接触电阻率，后进行退火并沉积金属电极。该方式使碳离子作为一种合适浓度的深能级缺陷辅助载流子进行变程跃迁，降低比接触电阻率，提高P型GaN欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN116232223A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310249482.3
申请日：2023-03-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池可靠性测试系统和测试方法，所述测试系统包括：试验箱，形成有一测试空间，所述测试空间内的温度和/或湿度可调；支撑台，设置于所述测试空间内，并提供一太阳电池支撑面；模拟光源，设置于所述试验箱内，所述模拟光源的光线方向面向所述支撑面；测试模块，用以获取被测太阳电池的电压和/或电流信息。本发明通过在高温高湿以及高低冷热循环老化试验箱中加入了太阳模拟光源，在老化试验过程中通过实时的测试，省去了样品取出测试的复杂流程，无需中途中断老化实验。
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公开(公告)号：CN111678593B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010433421.9
申请日：2020-05-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明公开了一种光子计数装置，其包括：光电转换器，被配置为接收到达所述光电转换器的光子信号，且将所述光子信号转换为电平信号；其中，所述光子信号到达所述光电转换器的时刻和频率均是随机的；处理器，被配置为接收所述电平信号，且根据所述电平信号获取所述光子信号的光子信息并动态调节所述光电转换器接收光子信号的接收频率。本发明还公开了一种光子计数方法。本发明通过动态改变光电转换器接收光子信号的接收频率，从而在提高光电转换器的探测光子信号的探测率的同时，还能大幅度降低对光子信号的误计数。
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公开(公告)号：CN114899304A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110102381.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种隐形压力传感器的制作方法，包括：形成具有压电特性的半导体纳米柱阵列，并在半导体纳米柱阵列中填充透明基质；在半导体纳米柱阵列的相对两侧上分别设置透明电极层，使每个半导体纳米柱分别与两个透明电极层电性连接。本发明还公开了一种隐形压力传感器。本发明解决了半导体压电传感器不易赋予透光性的问题。
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公开(公告)号：CN114300556A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111666813.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01S5/02 , H01S5/028
Abstract: 本发明揭示了一种外延结构、外延生长方法及光电器件，所述外延结构由下向上依次包括图形化硅衬底、低温成核层、位错过滤缓冲层及大失配外延层，其中：所述位错过滤缓冲层包括高温缓冲层及位于高温缓冲层上的若干周期交替分布的对超晶格位错过滤层和缓冲层，所述超晶格位错过滤层包括若干周期交替分布的势垒层和势阱层。本发明可以在硅衬底上单片异质集成大失配外延层，突破了外延材料和硅衬底之间晶格失配的限制，有效过滤位错，降低位错密度，进一步提高外延材料的晶体质量；在此基础上，可获得硅衬底上单片异质集成的性能优良的探测器及激光器等。
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