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发明公开
多结太阳能电池的制作方法及多结太阳能电池结构审中-实审

公开(公告)号：CN119545956A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411695124.6

申请日：2024-11-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 龚倾 , 龙军华 , 孙强健 , 陆书龙

IPC: H10F71/00 , H10F10/142

Abstract: 本发明公开了一种多结太阳能电池的制作方法及多结太阳能电池结构，制作方法包括：制备多结太阳能电池外延片，所述外延片具有相对设置的正面侧和背面侧；在所述外延片的背面侧形成背电极；在所述背电极上形成第二衬底；在所述外延片的正面侧形成正电极；采用刻蚀方式对所述外延片进行芯片隔离；对芯片隔离后的外延片进行湿法钝化，修复所述外延片因晶格失配应力引起的刻蚀液横向腐蚀加剧造成的刻蚀损伤。本发明的多结太阳能电池的制作方法及多结太阳能电池结构，其能够钝化由较大晶格失配应力引起的刻蚀液对电池侧壁的横向腐蚀加剧而导致的侧壁损伤，显著提升器件的性能。

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