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公开(公告)号：CN105450209B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510948411.8
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: H03K17/78
Abstract: 本发明涉及一种大电流脉冲的可控分裂方法及其装置。该方法包括在电流脉冲的输入输出端之间电学连接碳化硅光导开关；将输入电流脉冲的时域信号连接到脉冲激光器的外触发端口；脉冲激光器发射出激光脉冲照射到该开关上；在输入端没有电流脉冲输入时脉冲激光器未接收到外触发信号，不输出激光脉冲，该开关在没有激光脉冲照射情况下处于断开状态，输出端没有电流输出；在输入端有电流脉冲输入时时域信号触发脉冲激光器，使脉冲激光器在时域上同步输出激光脉冲，激光脉冲照射到该开关上，使该开关形成导通状态，使电流脉冲从输出端输出；输出的电流脉冲的形态由该开关的参数控制，由此在输出端形成与输入端时域同步的具有分裂形态的电流脉冲信号。
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公开(公告)号：CN105479327B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201511006393.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本发明用于晶片粘结后挤出气泡、压按平整。
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公开(公告)号：CN108103576A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711448622.0
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备，该保温设备具有石墨坩埚，碳化硅原料和碳化硅籽晶分别置于所述石墨坩埚的底部高温区和顶部低温区，所述石墨坩埚外部采用保温桶覆盖，所述保温桶中位于所述碳化硅籽晶顶部的部分具有凸起，所述突起具有中心测温孔，不仅可以实时监测坩埚顶部的温度实现间接实时调控晶体生长，还可通过组合调整参数中心测温孔直径，所述凸起的高度和厚度等来实现对晶体生长界面轴向和径向温度场的调控，从而提高制备的碳化硅晶体的质量。
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公开(公告)号：CN108048911A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711386305.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法，将籽晶连接至籽晶托表面，采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体，所述物理气相沉积技术的参数包括：生长气氛压强为5～40 Torr，生长温度为2000～2400℃，生长时间为50小时以上，优选100～150小时；所述籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底内表面上的致密碳化硅多晶膜层，所述致密碳化硅多晶膜层的尺寸为4英寸以上，厚度为0.5～10 mm，平整度为1～100μm。
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公开(公告)号：CN106929913A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511006389.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供了一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托；所述生长室的侧壁形成为由内筒与外筒构成的双层结构。本发明的坩埚在生长过程中能够调节晶体表面与原料表面的距离，保持温度场的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106801258A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611237098.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: C30B29/38 , C30B23/007 , C30B29/62
Abstract: 本发明涉及一种具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法，所述具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法，采用物理气相传输法，通过中频感应加热方式将原料AlN加热成气相，通过控制生长温度为1700‑1750℃，控制生长压力为200‑300 Torr，结晶形成六棱柱状的AlN晶须。本发明在较低的温度下，通过控制生长速率获得六棱柱AlN晶须。
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公开(公告)号：CN106480493A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510536016.9
申请日：2015-08-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及一种用于晶体生长的新型加热装置，从中心向外依次包括：坩埚、发热体、保温材料和感应线圈，其中，所述坩埚用于容纳生长晶体的熔体且不具备发热功能；所述发热体与所述坩埚相隔开，且接收所述感应线圈的信号来发热而作为晶体生长的热源。本发明不仅打破了以坩埚作为发热体只能依靠调节保温材料被动地来构筑温场的传统做法，可以通过调节发热体的形状和尺寸来主动构筑合适的温场；另外，还可以将感应加热的方式应用于布里奇曼法晶体生长中，拓宽了布里奇曼法的使用范围。
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公开(公告)号：CN106191998A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610589495.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热除碳，得到所述多孔氮化铝。本发明利用氮化铝高温升华的特性，从气相生长角度出发，直接将氮化铝放入石墨坩埚中进行加热制备，成功将造孔剂碳掺入氮化铝晶体中，不需要任何添加剂。然后将碳掺入氮化铝晶体在空气气氛中加热除碳，利用氧气，将碳氧化成气相一氧化碳或二氧化碳除去，最终形成多孔结构。
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公开(公告)号：CN103184512B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201110447811.2
申请日：2011-12-28
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温材料(完全贴合整个夹心层)放进坩埚盖的空心层。本发明可以根据轴向温度梯度的大小确定合适保温层的厚度分布，从而实现晶体生长速率可控。
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