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公开(公告)号：CN101372606A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810201175.3
申请日：2008-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准，包含0.01－5wt％的氧化剂、0.01－4wt％的表面活性剂、0.01－3wt％的有机添加剂、0.2－30wt％的氧化铈抛光颗粒及pH调节剂、水性介质。此抛光液主要应用于硫系化合物相变材料GexSbyTe(1－x－y)的CMP工艺。通过本发明提供的氧化铈化学机械抛光液，相变材料GexSbyTe(1－x－y)的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min，同时表面粗糙度降低到了7.4以下。利用上述抛光液对相变材料GexSbyTe(1－x－y)速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。
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公开(公告)号：CN101364588A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810041871.2
申请日：2008-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/525 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种电可再编程熔丝器件，用于集成电路器件，其采用SixSb100－x(0≤x＜90)合金作为熔丝材料，利用电信号对熔丝进行可逆的编程操作，熔丝器件单元的电阻可在高、低电阻之间实现转换，从而实现对电路的修复操作。基于SiSb材料的熔丝器件的特点还在于对尺寸效应不敏感，熔丝器件在大小尺寸下都可实现可靠工作(熔丝线宽在数纳米到数毫米之间可调)，熔丝的低阻态具有较低的电阻值，高阻态具有较高的电阻值，是一种良好的熔丝器件。
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公开(公告)号：CN101364567A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044609.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
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公开(公告)号：CN100461485C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710036527.X
申请日：2007-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法。本发明基于硫系化合物相变材料在脉冲电流或电压等的作用下能够发生结构变化，从而引起其电阻性能产生巨大的变化，多晶状态时处于低阻态，非晶状态时处于高阻态，两种状态下的电阻相差可达五个数量级以上，利用硫化相变材料的这种特性可以制备新型限流器，对电路能够其起到很好的保护作用，最大程度避免电路被超大电流或电压破坏。采用薄膜制备工艺和微纳加工技术制作出限流器，其结构包括横向结构和纵向结构两种。由于相变材料的高、低阻两种状态之间是可逆变化的，这种新型限流器可重复使用，在民用和军事领域等方面具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101359504A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810041415.8
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101335328A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041393.5
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元结构及其制作方法，其特征在于将器件单元中的相变材料和加热电极的横向尺度控制在同一纳米区域范围，构成小加热电极操作小相变材料的结构。其制作方法是首先在衬底上制备介质材料层，然后通过标准的深亚微米工艺或FIB技术在介质材料层中制作出相变存储单元的加热电极，接着进行化学机械抛光，形成镶嵌在介质材料中的纳米加热电极，最后将加热电极顶部刻蚀掉一定厚度，从而在电极上端形成介质孔洞，在孔洞中填充相变材料，引出上电极，最终形成同时具有小电极和小相变材料的存储单元结构。优点是将相变材料限制在加热电极上端的介质孔洞里，阻止了相变材料在反复擦写过程中的扩散，更有利于降低存储单元的功耗。
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公开(公告)号：CN101335046A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041414.3
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电路、及灵敏放大器，所述读写驱动电路通过读比较电阻连接所述灵敏放大器；所述各存储单元包括一个选通二极管及至少两个相变存储单元；所述各相变存储单元并联后与所述选通二极管连接。本发明的相变存储器采用1DnR存储单元结构，从而减少了选通二极管占用的芯片面积。
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公开(公告)号：CN101329894A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040948.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。
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公开(公告)号：CN101315811A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810040851.3
申请日：2008-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种动态相变存储器，所述存储器的存储介质采用具有较低熔点和较低结晶温度的相变材料；所述相变材料的熔点在200℃到640℃之间，且其结晶温度在40℃到120℃之间。所述存储器还包括定期刷新模块，用以定期地对存储有高电阻态的存储单元进行数据刷新，将电阻下降的存储单元重新设定到高电阻态。所述存储器用较低的功耗对器件进行编程。本发明提出的动态相变存储器使动态随机存储器件大大降低了所需要刷新的次数，并且与传统的PCRAM相比具有更低的功耗；同时由于采用小信号进行编程，所以动态相变存储器的疲劳特性大为改善。
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公开(公告)号：CN101299453A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810038906.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：(1)纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长，功能材料层将各层相变材料层分隔开，形成多层结构。本发明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域，有效降低了晶粒尺寸；功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率，从而提高了器件的加热效率，降低了器件的功耗，并提升了数据保持能力和疲劳特性等。
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