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公开(公告)号：CN110098832A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN104831235A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510136878.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr100-x-ySbxTey，其中0＜100-x-y＜20，0.5≤x/y≤4。本发明的用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料具有较好的结晶速度及较高的沉积态稳定性，其在电脉冲作用下可以实现可逆相变，相变前后有电阻高低差异之分，差值较大，可以分辨出“0”、“1”，其中Set电压脉冲宽达到100ns，Reset电压脉冲宽度达到10ns，循环次数达到104，是一种较为理想的相变材料，可用于制作相变存储器单元。所述Zr-Sb-Te系列相变材料可采用多种方法制备，其中磁控溅射法比较灵活，可以方便制得组分可调、质量较高的Zr100-x-ySbxTey复合薄膜。
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公开(公告)号：CN102690604A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110072199.5
申请日：2011-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。相较于现有技术，本发明提供的化学机械抛光液，可实现对相变材料/底层介质材料可控选择比(1：1至180：1)的去除，且能保证相变材料在抛光后相变性质不改变、表面光洁无划痕，满足相变存储器CMP工艺要求。
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公开(公告)号：CN101236780B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810033924.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势，本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102268332A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189161.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
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公开(公告)号：CN101325154B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810040645.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III-V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597066B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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公开(公告)号：CN100547396C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710040418.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制备方法。本发明特征是在(100)取向的硅片上，先后沉积具有λ/4(λ为波长)厚度的Bragg反射层；接着在Bragg反射层上沉积压电薄膜层和金电极层；采用相关电极图形化工艺，在其上制作与标准微波测量相匹配的电极结构；经相关退火温度得到硅基压电薄膜传感器；在硅基压电薄膜传感器上先后涂敷系列生物探针，结合清洗后，采用三明治夹心技术点样特异性结合生物体微量，可测出传感器谐振频率的相应变化。进而由相应公式换算得到待测生物体的微质量。这种多功能集成传感技术与现代生物技术相结合，可使微量生物测量的高通量、强特异性、高灵敏分析成为可能。
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