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公开(公告)号：CN103474587B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310463945.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 一种OLED封装装置，用于对OLED基板进行封装。OLED封装装置包括：激光发生器、用于放置OLED基板的模具、红外线会聚模块、热电偶及上位机。模具靠近激光发生器的一侧面上开设有与封装路径相一致的狭缝，激光可透过狭缝照射在封装路径上，激光加热玻璃胶料，上基板辐射红外线，红外线可从模具上方的狭缝透射出。多个红外线会聚模块会聚红外线。多个热电偶分别设于多个红外线会聚模块的出光口处，热电偶采集红外线的温度信息。上位机与热电偶通信连接，上位机接收温度信息，并根据温度信息控制激光发生器的发射功率。上述OLED封装装置控制激光的功率，可以优化封装温度曲线，从而减小封装时候基板上的热应力，提高OLED基板封装过程中的良品率。
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公开(公告)号：CN103316791B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310234295.4
申请日：2013-06-14
Applicant: 上海大学
IPC: B05B7/02
Abstract: 本发明涉及一种多点集成微点雾喷射装置。它包括双流体点雾喷射模块，控制模块和检测模块，双流体点雾喷射模块包括上部腔体、开口于上部腔体的注入导管阵列、中部腔体、下部基板、开孔于下部基板的输出导管阵列，以及开口于上部腔体的推液气体输入管、液体输入管和开口于中部腔体的注气气体输入管。控制模块包括气源、液源、控制中心、推液调压阀、注气调压阀和流控阀以及相关的连接管线和控制信号线。检测模块包括检测与反馈单元。本发明根据微管道内的微射流流动的失稳机制及微管内三相接触的特殊性，利用液滴形成的周期性和可控性等特点使得高频率、高精度的点喷、雾喷效果得以保障，同时采用多管集成的方式，获得大面积喷射效果，大大提高了生产的效率。本发明可以应用于粉末冶金、喷墨、喷涂、喷胶、焊接、快速成形等液体射流喷射工艺。
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公开(公告)号：CN104638091A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410806051.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2924/16195 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明LED玻璃基板，包括：在所述玻璃基板开设的凹槽，在所述玻璃基板的侧壁开设通往所述凹槽的通孔，在所述通孔内设置与LED芯片连接的导线，盖合在所述凹槽的玻璃罩。上述LED玻璃基板结构，封装LED芯片四周采用的都是透明的玻璃，可完全实现全角度(即360°)无死角的发光，提高的了光的利用率。
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公开(公告)号：CN104638090A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410804229.0
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/483 , H01L33/62
Abstract: 本发明的一种倒装LED封装模组，包括：基板，在所述基板上开设沟槽；导电层，设置在所述沟槽的两侧；导电连接料，铺设在所述导电层上；倒装LED芯片，通过所述导电连接料固接在所述导电层上；以及硅胶层，设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装模组，在基板上开设的沟槽，在倒装LED芯片电连接在导电层上，无论是哪种导电连接料，在连接的过程中，都有可能出现焊料溢流或者溢胶的情况。当产生该情况的时候，沟槽就能够起到收容溢流的焊料或者溢出的导电胶，避免沟槽两侧的导电层导通，提高良品率。
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公开(公告)号：CN104596906A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510025295.2
申请日：2015-01-16
Applicant: 上海大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明涉及一种多测量头的水氧透气率测量系统，包括一个公共腔，所述公共腔是由上基板，下基板和边桶构成的一个密闭空间，工作时充以高纯惰性气体；在公共腔的上基板上固定有多个与上基板中心等距的测量探头腔，在公共腔体的下基板的中心固定有一个共用的真空蒸发腔；在每一个测量探头腔下有一个与之对接的移动腔，所述移动腔内装有一个蒸镀有活泼金属膜的石英晶振片，所述石英晶振片的上下电极经电线穿过移动腔的移动腔体和公共腔的边桶连接到振荡器形成振荡信号，通过各自的电子开关再转接到膜厚测量仪，所述膜厚测量仪连接计算机。在本发明中提供了多测量头可以同时测量多个样品大大提高了仪器的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173740B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310057759.9
申请日：2013-02-25
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管，尾气主管与反应腔的尾气出口连通和马达气室连通，尾气分流管与尾气主管和出气口连通，尾气辅助分流管与马达气室和出气口连通，通过调整气动系统管路阀门开度，控制进入马达的反应腔内部的MOCVD反应尾气流量，通过辅助分流阀门的开度，实现无极调节马达的输出功率和转速，还可通过操纵控制气动系统管路的控制阀实现气马达输出轴的正转和反转，并可瞬时换向，驱动效率高，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104576885A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410806017.6
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/642
Abstract: 本发明的倒装LED封装构件，包括：基板、倒装LED芯片、导电层以及硅胶层；在所述基板上开设第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽之间形成阻隔件；设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内的导电层；所述倒装LED芯片的两电极分别对应设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内；所述硅胶层设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装构件，巧妙的利用在基板上开设的第一电极槽和第二电极槽，倒装LED芯片能够精准、便捷的设置在基板上，同时通过导电层固定倒装LED芯片，倒装LED芯片与基板互联更为简单，最后通过硅胶层实现倒装LED芯片的封装。
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公开(公告)号：CN104498874A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410749907.8
申请日：2014-12-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种低气氛敏感性掺杂非晶碳基薄膜及其制备方法。该薄膜主要由碳元素和缺电子掺杂元素经气相沉积得到，其中所述缺电子掺杂元素的原子数含量不超过10%。本发明在常见非晶碳基薄膜中掺入该类元素中的一种或两种及以上，或同时掺入其它常见的共掺杂元素，此时，缺电子掺杂元素和共掺杂元素的总含量不超过40%以增加缺电子掺杂元素的反应性和稳定性。缺电子元素的存在可在一定程度上吸引碳原子周围的电子，降低碳原子周围成键电子之间以及碳原子周围电子与环境成分和相接触材料表面间的相互作用，从而降低摩擦及其对环境气氛的敏感性，减少磨损。本发明的掺杂非晶碳基薄膜沉积于常见固体材料部件表面，主要用于部件的表面保护、润滑等领域。
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公开(公告)号：CN103996777A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187487.9
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。
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公开(公告)号：CN103996618A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193671.4
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L24/83
Abstract: 本发明公开了一种TFT电极引线制造方法，提出一种优化的电极引线制造方法，通过在传统TFT电极层材料之上，制作非晶化的ITO保护层，制作工艺简单，但可将干法刻蚀工艺对TFT金属电极层的刻蚀选择比达到无穷大，保护了金属电极免受干刻工艺制程影响，可大幅提高金属电极层的可靠性；同时干刻工艺制程无需频繁对干刻速率进行标定，可大量节省工艺实时监控成本。
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