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公开(公告)号：CN103918043A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054696.5
申请日：2012-10-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛列格里·西特佛 , 法兰克·辛克莱 , D·杰弗里·里斯查尔 , 南帝斯克马·德塞
IPC: H01F6/06
CPC classification number: H01F6/065 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明揭示一种用以减少于交流电环境中热负荷转移的电流导线。电流导线可能包括导电材料，包括配置，其中当交流电应用到电流导线时，配置用以在电流导线中减少热负荷转移，其中温度梯度沿着电流导线的长度展现。
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公开(公告)号：CN102105966B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980129479.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/0817 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/304
Abstract: 揭示一种离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。
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公开(公告)号：CN103765545A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280040083.6
申请日：2012-07-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/241 , H01J27/022 , H01J37/3171 , H01J2237/0203 , H01J2237/0206 , H02H9/02
Abstract: 本发明揭示一种与离子源组合件一起使用的浪涌保护系统。所述系统包括与热离子二极管或热离子三极管以及离子源组合件串联耦合的高压电源。所述高压电源供应器封闭在压力槽中并且驱动所述离子源组合件。所述热离子二极管或三极管包括安置在离子源组合件罩壳与高压电源供应器的输出端之间的绝缘管并且利用现有离子源组合件组件来限制在所述离子源组合件的电弧故障期间对所述电源供应器的破坏。
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公开(公告)号：CN102471880B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080029436.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡莫尔·哈迪德 , 拉杰许·都蕾 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: C23C14/48 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32935
Abstract: 一种调整等离子体的组成物的方法，用于等离子体掺杂、等离子体沉积和等离子体蚀刻技术中。所揭示的方法可藉由修饰等离子体中所存在的电子的能量分布来控制等离子体的组成物。使用很快的电压脉冲使等离子体中的电子加速，以便在等离子体中产生有能量的电子。该脉冲需足够长以影响电子，但太短将不能对离子造成显著影响。有能量的电子和等离子体组成物之间的碰撞，造成等离子体组成物中的变化。等离子体组成物然后可最佳化，以符合所使用的特定工艺的需求。这意味着能使等离子体中离子物种的比例改变、使离子化相对于分解的比例改变、或使等离子体的激发状态群改变。
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公开(公告)号：CN102203944B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980142556.1
申请日：2009-10-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/042
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L21/76237 , H01L27/14683 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在感光装置的制造期间，通过已改善的物种的植入来降低感光装置内的暗电流。暗电流可经由光二极管装置中的缺陷来引起，或于制造期间使用退火、植入或其他制程步骤来引起。经由非晶化光二极管范围中的工作部件，可消除大量的缺陷，从而消除此暗电流的原因。暗电流也可经由相邻STI所感应的应力来引起，其中衬与填充材料所产生的应力会加重工作部件中的缺陷。经由非晶化沟渠的侧壁与底部表面，可消除于蚀刻期间所产生的缺陷。此缺陷中的降低也可减少感光装置中的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103314427A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004865.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 具本雄 , 安东尼·雷诺
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J37/32935 , H01J49/04 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 一种用于监控具有离子能量且入射到衬底上的离子物种的角分布的飞行时间（TOF）离子感测器系统，其包括漂移管，其中离子感测器系统经配置以改变漂移管相对于衬底的平面的角度。漂移管具有第一端，所述第一端经配置以从离子物种接收离子脉冲，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子以封包形式到达漂移管的第二端。离子检测器可设置在离子感测器的第二端处，其中离子检测器经配置以检测来源于离子脉冲且对应于各自不同离子质量的离子封包。
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公开(公告)号：CN102246276B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980149410.X
申请日：2009-12-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史帝文·R·沃特
IPC: H01L21/265 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/002 , H01J2237/2001
Abstract: 一种工件冷却系统与方法。将热自工件(离子植入过程中的半导体晶圆)传送离开是不可或缺的。典型地，热被传送至工件支座或平台。在一实施例中，所需的操作温度被决定。基于此，选择具有在所需范围中的蒸汽压(例如10torr至50torr)的气体。此范围必须足够低，以致低于固定力。此可冷凝气体用以填入工件与工件支座之间的空间。基于吸附与去吸附，发生热传送，与传统使用的气体(例如氦气、氢气、氮气、氩气和空气)相比，藉此来提供改进的传送特性。
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公开(公告)号：CN103155090A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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公开(公告)号：CN103109342A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号：CN103003914A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180023911.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/317 , G03F7/40 , H01J37/3171 , H01J37/3174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01L21/0273 , H01L21/2236 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/66787
Abstract: 一种处理光刻胶特征的方法，包括在制程腔室(302)中定位具有一组图案化光刻胶特征(114a)的衬底(112)，此图案化光刻胶特征在衬底的第一面上；在具有等离子体鞘(308b)的制程腔室中邻近于衬底的第一面产生等离子体(306)。此方法可以还包含以等离子体鞘修改器(312)修改介于等离子体(306)和等离子体鞘(308b)之间的边界的形状，使得部分边界的形状不平行于由面对等离子体的衬底(112)的前表面所定义的平面，其中来自等离子体的离子(310)于第一曝露时以广角度范围撞击到图案化光刻胶特征(114a)上。
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