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公开(公告)号：CN104054203A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280067242.1
申请日：2012-05-01
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01M8/18
CPC classification number: H01M8/20 , H01M4/604 , H01M8/188 , Y02E60/528
Abstract: 氧化还原液流型电池(1)主要具备充放电单元(2)、正极电解液储槽(3)及负极电解液储槽(4)。充放电单元(2)是通过隔膜(11)而将内部分隔成正极侧单元(2a)与负极侧单元(2b)。在正极侧单元(2a)中收容着集电板(12)及正极(13)。自正极电解液储槽(3)经过供给管(3a)对正极(13)供给含有锰-聚乙烯亚胺络合物的水溶液。由此可以提供一种具备充分的耐久性而得以广泛地普遍实用的蓄电池。
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公开(公告)号：CN103201407A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180054048.5
申请日：2011-01-12
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/3417 , H01J37/3426
Abstract: 气体配管（19～21）向真空容器（1）内供给Ar气体。高频电源（12）使高频电流从平面状的电极（2、3）的一端流入电极（2、3）。由此，在靶部件（4、5）的表面附近基于电感耦合产生等离子体。低频电源（16）对电极（2、3）施加交变电压。由此，等离子体中的电子流入与被施加正偏压的电极（电极（2、3）中的一个）接触配置的靶部件（靶部件（4、5）中的一个），等离子体中的正离子流入与被施加负偏压的电极（电极（2、3）中的另一个）接触配置的靶部件（靶部件（4、5）中的另一个）。从而，等离子体中的电子及正离子滞留在电极（2、3）间及靶部件（4、5）的表面附近。
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公开(公告)号：CN102647847B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210127627.4
申请日：2012-04-26
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其是电感耦合型装置，可减小天线的有效电感系数，将等离子体电位抑制得较低，并且，可通过该天线来控制其长度方向上的等离子体密度分布。该等离子体处理装置中，由相互接近而配置在沿着竖立在基板(2)表面的垂线(3)的方向即上下方向(Z)上且使高频电流(IR)相互逆向地流动的返回导体(31、32)，构成平面形状平直的天线(30)。且，使返回导体(31、32)间的上下方向(Z)的间隔(D)在天线(30)的长度方向(X)上进行变化。
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公开(公告)号：CN1960942B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200480043227.9
申请日：2004-06-04
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 公立大学法人大阪府立大学 , 大阳日酸株式会社 , 日新电机株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , D01F9/127
Abstract: 开发减少焦油状副生成物的产生、而且高效率地生成碳纳米结构体的碳纳米结构体的制造方法及装置。本发明的原料喷射式高效率碳纳米结构体制造装置(2)由下述构成：在反应管(4)内配置催化体(12)，设置加热该催化体(12)近旁至碳纳米结构体(14)的生成温度区间的加热装置，设置向反应管(4)内导入原料气体的原料气体供给管(8)，配置该供给管顶端(8a)接近催化体(12)，另外，预热原料气体供给管(8)至从原料气体不生成焦油状生成物的温度区间的预热装置9。在原料气体供给管中不生成焦油状物质，跳过中间温度而一下子向催化体喷射原料气体，所以反应概率增大、碳纳米结构体的生成收率增大。原料气体的大部分被消耗，在反应管(4)内不生成焦油状物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102002668B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010293669.6
申请日：2010-09-28
Applicant: 大连理工大学 , 日新电机株式会社 , 日新电机(大连)技术开发有限公司
Abstract: 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法，属于半导体材料技术领域。这种沉积装置及其方法通过样品准备、样品制备前处理、沉积、后处理、样品取出等步骤能够生成主晶向为(111)、晶粒直径为数十纳米、多晶硅部分比例超过80%的低温多晶硅薄膜。利用物理气相沉积方法，代替现有等离子体增强化学气相沉积技术，不使用SiH气体前提下，直接沉积出多晶硅薄膜。由于成本低廉的基板（普通玻璃）的熔点较低，可在相对低的温度（小于300℃）条件下，在普通玻璃基板上直接沉积多晶硅薄膜，避免了以往使用基板成本高的缺点，极大地提高了竞争力。
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公开(公告)号：CN101842876B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200880114555.1
申请日：2008-10-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/205 , B82B3/00 , C01B33/02
CPC classification number: H01L21/02381 , C01B33/02 , C23C16/0245 , C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种硅点形成方法，该硅点形成方法能在较低的温度下，根据要形成的硅点的粒径，很好地控制硅点粒径，从而形成硅点。在该硅点形成方法中，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板(S)上形成硅点，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压。
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公开(公告)号：CN101055795B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710086270.9
申请日：2007-03-13
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 青柳雅人
Abstract: 要解决的技术问题是，在气体VT具有的断路装置中，由于通过绝缘棒连接、断开高压电路和电压变换元件，因而支承电压变换元件的具有足够强度的绝缘棒直径变大，导致气体VT大型化。而且，操作装置需要位于气体VT底部，需要大的设置空间。本发明的气体VT的结构为，通过绝缘支架(25)使连接导体(24)旋转，使连接导体(24)与高压端子(23)和高电压侧端部(30)连接或断开，因此不需要设绝缘棒。而且，能够在容器(33)的侧部安装操作装置(28)，可以缩小气体VT的设置空间。
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公开(公告)号：CN101900781A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010187016.X
申请日：2010-05-26
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: G01R31/12
Abstract: 一种绝缘诊断装置以及绝缘诊断方法，在利用电磁波检测局部放电的情况下，在包括较多突发噪声、通信波的环境中也能够可靠地检测气体绝缘开关器等电气设备的劣化。本发明进行如下的处理：在所检测到的背景噪声值大于基准BGN值的情况下，判断为还存在较多噪声成分，通过依次增加L的值，再次以相同的过程重复进行从信号电平的最大值起去除L个数据的处理，能够检测到埋没于噪声中的局部放电信号。
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公开(公告)号：CN101636519A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880006759.3
申请日：2008-02-15
IPC: C23C14/32
CPC classification number: C23C14/325 , H01J37/3402 , H01J37/345
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电弧点向阴极蒸发面以外的部分移动的电弧式蒸发源。所述电弧式蒸发源通过由磁场控制的电弧放电来使阴极(22)的阴极物质蒸发，其具备：磁场形成机构(42)，其在阴极前端的蒸发面(22a)附近形成与阴极中心轴(Ax)平行的成分强的磁场(M)，且配置在阴极的外侧；支承机构(26)，其支承阴极；冷却机构(61)，其冷却阴极；锥形环(64)，其形成圆锥台状，具有使阴极沿其轴向贯通的贯通孔，且配置成向着阴极的蒸发面逐渐变细，锥形环由强磁性体构成，使用时锥形环的前端(64a)与阴极的蒸发面位于相同的面或位于比蒸发面稍后退的位置。
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