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公开(公告)号：CN102117785A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110021355.5
申请日：2011-01-19
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及一种半导体功率器件封装结构，所述封装结构包括散热片、引线脚、芯片、装片胶、金属焊线和塑封料，所述散热片上设有芯片承载区，所述散热片为阶梯结构。与现有技术相比，本发明请求保护的一种半导体功率器件封装结构，在保证功率及散热效果的同时，进一步降低了材料成本又提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN102097342A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010562960.9
申请日：2010-11-29
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/83192
摘要： 本发明提供一种封装系统及装片胶厚度控制方法。装片胶厚度控制方法包括：在框架载片台上点装片胶；将多个颗粒填充物混合在装片胶中；以及将待封装的芯片通过混合有颗粒填充物的装片胶粘结在框架载片台上。本发明在点胶和粘结步骤之间增加了将颗粒填充物混合在装片胶中的工序，以增加装片胶的厚度，避免了厚度难以控制的问题，且由于是将多个颗粒填充物混合在装片胶中，避免了装片胶厚度不均造成芯片倾斜粘结的问题，可在同一流水线上完成作业，无需在装片之前进行刷胶，减少了材料成本，也无需增加专业的生产设备，节约了成本，同时也减少了由于刷胶问题带来的崩片等问题。
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公开(公告)号：CN101789420A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010104887.0
申请日：2010-02-03
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种半导体器件的系统级封装结构，包括被动元件、基板、焊盘、第一芯片、第二芯片和塑封料，其中，所述的第一芯片的尺寸小于所述的第二芯片。本发明还涉及一种半导体器件的系统级封装的制造方法，将所述的第一芯片安装在基板上，并与基板上的焊盘通过第一焊线连接；将所述的第二芯片安装在被动元件上或在高导热材料制成的几何体上，并与基板上的焊盘通过第二焊线连接，使得所述的第二芯片悬空放置在第一芯片的正上方；所述的塑封料把第一芯片、第二芯片、被动元件、第一焊线和第二焊线包封。本发明具有封装尺寸小，封装密度高，并且频率响应好的优点，满足系统级封装的电气性能要求。
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公开(公告)号：CN101546719A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910050509.6
申请日：2009-05-04
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 施建根
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种高可靠半导体塑料封装体焊线焊接方法，包括以下步骤：1)在载片台(9)上用导电粘接物(8)粘接金属片(7)；2)在金属片(7)上焊接金属焊线(5)。一种高可靠半导体塑料封装体，包括环氧树脂(1)、半导体芯片(2)、芯片粘接物(3)、金属导线(4)、金属引线框架(6)、载片台(9)，所述的载片台(9)上用导电粘接物(8)粘接金属片(7)，金属焊线(5)焊接在金属片(7)上。本发明能避免恶劣的高温或低温环境中载片台平面与塑封体之间产生的应力对载片台上焊线焊接点的破坏，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN1770412A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510094511.5
申请日：2005-09-20
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 吉加安
IPC分类号： H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种集成电路组装方法，包括塑封、塑封后固化、去飞边、电镀步骤，在塑封后先进行去飞边处理，再进行塑封后固化处理，塑封后固化处理后进行电镀处理。本发明能保持封装树脂原有的可靠性能，有效方便地去除塑封过程中在引线框架表面、侧面的溢料，且能减少内部界面的分层、使产品性能可靠。
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公开(公告)号：CN105320105B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410380575.0
申请日：2014-08-04
申请人： 中国科学院沈阳自动化研究所 , 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明为一种并行批加工设备优化调度方法，针对批调度问题的特点，建立了基于工件组批的概率模型，设计了相应的个体采样以及概率更新方法，并对紧致遗传算法种群产生和概率更新机制进行了改进，进而提出了一种新的解决批调度问题的智能算法。在满足企业批加工设备批量开机生产要求的前提下，同时加速了生产，缩短了生产周期。通过灵活的参数设置，可以解决不同的批调度问题。单机\多机、到达时间相同\到达时间不同、工件尺寸相同\尺寸不同、批处理设备容量有限\无限等不同情况都可以灵活的进行组合，具有很强的通用性。
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公开(公告)号：CN102969344B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210444357.X
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/41 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/10
摘要： 一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开口；位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。
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公开(公告)号：CN105938803A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610465071.8
申请日：2016-06-24
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 高国华
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L24/03 , H01L2224/02317 , H01L2224/02381
摘要： 本申请公开了一种再布线工艺，包括在晶圆上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成钛籽晶层；在所述钛籽晶层上形成金属薄膜；在所述金属薄膜上铺满光刻胶；剥离金属薄膜上无效区域的光刻胶；腐蚀掉无效区域对应位置处的金属薄膜和钛籽晶层；以及浸泡剥离剩余的光刻胶。采用本发明的再布线工艺，利用铝金属薄膜实现再布线结构，可有效降低铜线再布线的成本和辅助工艺难度。
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公开(公告)号：CN105914155A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610285830.2
申请日：2016-04-29
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 石磊
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种倒装芯片及其封装方法，所述方法包括：提供半导体芯片和基板单元，所述半导体芯片的表面包括第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有第一连接端子，所述基板单元包括第三表面和第四表面，所述第三表面上形成有第二连接端子；将所述半导体芯片的第一表面和所述基板单元的第三表面相对设置且使所述第一连接端子和所述第二连接端子焊接在一起；在所述半导体芯片的表面形成封装层，且至少暴露部分所述第二表面。通过上述方式，本发明能够提高半导体芯片的散热能力。
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公开(公告)号：CN105914151A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610241089.X
申请日：2016-04-18
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 刘建宏
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L24/03 , H01L2224/03013
摘要： 本发明公开了一种半导体封装方法，包括：提供半导体芯片，所述半导体芯片的表面上形成有焊盘图形；在所述焊盘图形上焊接焊料，且形成补强部连接所述半导体芯片的表面所述焊料。通过上述方式，本发明能够降低焊料和半导体芯片之间发生断裂的几率，提高焊料和半导体芯片之间连接的可靠性。
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