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公开(公告)号：CN105320105A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410380575.0
申请日：2014-08-04
申请人： 中国科学院沈阳自动化研究所 , 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明为一种并行批加工设备优化调度方法，针对批调度问题的特点，建立了基于工件组批的概率模型，设计了相应的个体采样以及概率更新方法，并对紧致遗传算法种群产生和概率更新机制进行了改进，进而提出了一种新的解决批调度问题的智能算法。在满足企业批加工设备批量开机生产要求的前提下，同时加速了生产，缩短了生产周期。通过灵活的参数设置，可以解决不同的批调度问题。单机\多机、到达时间相同\到达时间不同、工件尺寸相同\尺寸不同、批处理设备容量有限\无限等不同情况都可以灵活的进行组合，具有很强的通用性。
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公开(公告)号：CN105320105B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410380575.0
申请日：2014-08-04
申请人： 中国科学院沈阳自动化研究所 , 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明为一种并行批加工设备优化调度方法，针对批调度问题的特点，建立了基于工件组批的概率模型，设计了相应的个体采样以及概率更新方法，并对紧致遗传算法种群产生和概率更新机制进行了改进，进而提出了一种新的解决批调度问题的智能算法。在满足企业批加工设备批量开机生产要求的前提下，同时加速了生产，缩短了生产周期。通过灵活的参数设置，可以解决不同的批调度问题。单机\多机、到达时间相同\到达时间不同、工件尺寸相同\尺寸不同、批处理设备容量有限\无限等不同情况都可以灵活的进行组合，具有很强的通用性。
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公开(公告)号：CN104064485B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410308073.7
申请日：2014-06-30
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件的导线焊点强化方法，包括：在框架内引线的焊接区开设至少两个通孔；在所述焊接区焊接导线，所述导线的焊接位置位于两个相邻的所述通孔之间；在所述通孔内设置锁定卡来将所述导线与所述框架内引线紧紧卡箍在一起。本发明提供的上述方案，通过锁定卡将焊接于框架内引线上的导线，牢靠的卡箍在框架内引线上，有效的避免了导线与框架内引线剥离的情况发生，加强了导线与框架内引线的电连接，提高了半导体器件，特别是半导体功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104064485A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410308073.7
申请日：2014-06-30
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L24/85 , H01L2224/85051 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件的导线焊点强化方法，包括：在框架内引线的焊接区开设至少两个通孔；在所述焊接区焊接导线，所述导线的焊接位置位于两个相邻的所述通孔之间；在所述通孔内设置锁定卡来将所述导线与所述框架内引线紧紧卡箍在一起。本发明提供的上述方案，通过锁定卡将焊接于框架内引线上的导线，牢靠的卡箍在框架内引线上，有效的避免了导线与框架内引线剥离的情况发生，加强了导线与框架内引线的电连接，提高了半导体器件，特别是半导体功率器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103219305A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310137091.9
申请日：2013-04-18
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种凸点底部保护结构，包括凸点，所述凸点的底部外围设有突起物，所述突起物的材质与所述凸点的材质相同。所述凸点底部设有凸点下金属层，所述凸点下金属层下部设有铝层，所述铝层下部设有硅片。本发明通过在凸点底部设置突起物，突起物在湿法蚀刻时起到补偿的作用，减小侧蚀的发生，从而形成更加可靠的凸点封装结构。
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公开(公告)号：CN103219305B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310137091.9
申请日：2013-04-18
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种凸点底部保护结构，包括凸点，所述凸点的底部外围设有突起物，所述突起物的材质与所述凸点的材质相同。所述凸点底部设有凸点下金属层，所述凸点下金属层下部设有铝层，所述铝层下部设有硅片。本发明通过在凸点底部设置突起物，突起物在湿法蚀刻时起到补偿的作用，减小侧蚀的发生，从而形成更加可靠的凸点封装结构。
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公开(公告)号：CN204391096U
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201420812356.0
申请日：2014-12-18
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/81
摘要： 本实用新型提供一种倒装封装结构，包括芯片、基板，所述芯片表面设有铜柱，所述铜柱顶端设有凸块，所述基板表面设有焊垫，所述焊垫边沿处设有向所述基板上方凸起的围坝，所述围坝形成空腔，至少所述凸块伸入所述空腔内且与所述焊垫焊连。本实用新型提供的倒装封装结构通过在焊垫边沿处增设围坝的设计，使凸块融化后固定在围坝中，通过围坝固定了焊接面的位置和大小，提高了焊接的可靠性。本实用新型具有结构简单、操作简便、焊接效果可靠稳定的优点。
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