公开(公告)号：CN118969852A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411457331.8

申请日：2024-10-18

申请人： 浙江创芯集成电路有限公司

发明人： 滕巧 ,  高大为 ,  吴永玉 ,  许凯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；第一栅极结构，位于所述基底上；第二栅极结构，位于所述第一栅极结构一侧的基底上；阻挡层，位于所述基底上，所述阻挡层覆盖所述第二栅极结构，以及覆盖所述第一栅极结构的侧壁和部分顶部的一部分，其中，被覆盖的第一栅极结构的一部分靠近所述第二栅极结构；场板结构，位于所述阻挡层上，所述场板结构在所述基底上的投影覆盖所述第二栅极结构，且未覆盖所述第一栅极结构；其中，所述第二栅极结构的导通率大于所述阻挡层的导通率。采用上述技术方案，能够提高LDMOS器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118969836A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411430943.8

申请日：2024-10-14

申请人： 珠海镓未来科技有限公司

发明人： 高吴昊 ,  吴毅锋 ,  曾凡明

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

摘要： 本发明实施例公开了一种具有条状电极结构的半导体器件及其制作方法，应用于电子器件技术领域。半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区，有源区内设置有条状电极，相邻的源极为不同电位的第一源极和第二源极，并在相邻的第一源极和第二源极之间设置有两个栅极，用于实现源极之间的双向导通和关断，且有源区最上端为第一源极，最下端为第二源极，并在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，这样通过金属环结构和离子注入区域可以将其内的有源区得到有效地可靠性提升，从而实现了半导体器件的高可靠性。

公开(公告)号：CN115332063B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202210972332.0

申请日：2022-08-15

申请人： 合肥新晶集成电路有限公司

发明人： 游咏晞 ,  吴启明

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

摘要： 本发明涉及一种金属硅化物层以及半导体结构的制备方法。金属硅化物层的制备方法包括：提供硅衬底；于预设沉积温度下在硅衬底的表面沉积金属层，在沉积过程中，部分金属层与部分硅衬底反应，以形成富金属相的过渡金属硅化物层；过渡金属硅化物层位于未反应的金属层及未反应的硅衬底之间；将表面形成有过渡金属硅化物层的硅衬底进行退火处理，以将过渡金属硅化物层转化为金属硅化物层。采用本申请能够简化工艺流程。

公开(公告)号：CN118891733A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028170.8

申请日：2023-08-25

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： B·帕德玛纳伯翰 ,  P·文卡特拉曼

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 在一个示例中，半导体器件(10)包括有源沟槽区域(22A)和交叉沟槽区域(22C,22CA,22CB)。该有源沟槽区域(22A)包括有源屏蔽电极(21A)，并且该交叉沟槽区域(22C,22CA,22CB)包括交叉屏蔽电极(21C,21C’)。耦接沟槽区域(22B,22B’,22BA)将该有源沟槽区域(21A)连接到该交叉沟槽区域(22C,22CA,22CB)。该耦接沟槽区域(22B,22B’,22BA)包括耦接屏蔽电极(21B,21B’)。该耦接屏蔽电极(21B,21B’)和该交叉屏蔽电极(21C,21C’)提供在终止台面区域(16B,16B’,16B”)附近。该耦接屏蔽电极(21B,21B’)或该交叉屏蔽电极(21C,21C’)中的一者或多者比该有源屏蔽电极(21A)更薄。更薄的屏蔽电极减少该终止台面区域中的耗尽，以改善击穿电压性能等。

公开(公告)号：CN113659001B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202111076283.4

申请日：2021-09-14

申请人： 苏州英嘉通半导体有限公司

发明人： 宁殿华 ,  蒋胜 ,  柳永胜 ,  程新 ,  刘栋尧

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明揭示了一种倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在钝化层结构上刻蚀形成凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；在凹槽中生长第三钝化层；在钝化层结构及部分第三钝化层表面形成掩膜；通过腐蚀液对第三钝化层进行湿法腐蚀，形成具有倾斜面的第三钝化层，腐蚀液对第三钝化层的腐蚀速率大于腐蚀液对第一介质层的腐蚀速率；去除掩膜；在第三钝化层的倾斜面上形成金属场板。本发明基于湿法腐蚀的各向同性及腐蚀液对不同钝化层腐蚀存在选择比的特性，有针对性地腐蚀掩膜下方的第三钝化层，第一钝化层充当腐蚀停止层，阻止腐蚀作用的进一步扩散，从而形成具有一定角度的倾斜面，最终在倾斜面上形成金属场板。

公开(公告)号：CN118743028A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202280092311.8

申请日：2022-07-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 迈克尔·哈维蒂 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  高拉夫·塔雷贾

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/40

摘要： 本公开内容的实施方式提供包含功函数层的方法及电子装置，功函数层包含形成具有或不具有钛的导电氧化物的材料。电子装置包含硅层和金属接触，所述硅层具有在所述硅层上的功函数层，所述金属接触在所述功函数层上。

公开(公告)号：CN118737822A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410811946.X

申请日：2024-06-21

申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司

发明人： 胡小波 ,  张晓军 ,  夏慧 ,  谢明辉 ,  冯俊杰

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/283 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

摘要： 本发明属于集成电路技术领域，提供了一种电极线路的制备方法。本发明先在基板上沉积屏障层和Cu层，制作电镀光阻，再电镀Cu层，剥离电镀光阻，置于刻蚀液中，将电镀光阻原本所在位置的Cu层刻蚀掉，再采用PECVD方式在基板上沉积刻蚀阻挡层；采用Ar plasma轰击基板表面，控制Ar等离子体轰击的入射角度与基板表面的夹角为80‑90°，将电镀Cu表面及Ti层表面覆盖的刻蚀阻挡层刻蚀掉；再将基板置于刻蚀液中进行第二次刻蚀，将电镀光阻原本所在位置的Ti层刻蚀掉；由此保证电镀Cu导线的线宽与预设的线宽一致，线宽线距可以达到5μm/5μm以下，得到高密度的Cu导线，并且Cu导线的均匀性好。

公开(公告)号：CN118737821A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410811664.X

申请日：2024-06-21

申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司

发明人： 胡小波 ,  张晓军 ,  谢明辉 ,  冯俊杰

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/283 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

摘要： 本发明属于集成电路技术领域，提供了一种高密度电极线路的制备方法，先在基板正面制作出TiCu种子层，在TiCu种子层表面制作电镀光阻层，利用刻蚀液将未被电镀光阻层覆盖保护的TiCu种子层刻蚀除去，将电镀光阻层剥离除去，得到种子层图案，再在基板正面整面涂布上负性电镀PR，在基板背面曝光处理，将曝光后的基板置于显影液中，除去未被曝光的负性电镀光阻；接着在TiCu种子层表面进行电镀Cu，由此可以使得电镀Cu直接生长在TiCu种子层上方，电镀Cu线宽线距和下方的TiCu种子层可保持一致；整体Cu电极线路的线宽线距可以达到2μm/2μm以下，具有高密度的特点，不易发生断线，且线宽均匀性高。

公开(公告)号：CN118737819A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410692038.3

申请日：2024-05-30

申请人： 湖南三安半导体有限责任公司

发明人： 黎建刚 ,  林志东 ,  李贤虎 ,  曹静怡 ,  颜球辉 ,  姚雄奎

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/40

摘要： 本申请提供的半导体器件的制备方法及其半导体器件，包括：提供一碳化硅外延片；在碳化硅外延片的表面形成欧姆接触金属层；其中，欧姆接触金属层包括欧姆接触层、金属缓冲层以及金属导电层，欧姆接触层设置于碳化硅外延片上，金属缓冲层设置于欧姆接触层上，金属导电层设置于金属缓冲层上，且金属缓冲层位于欧姆接触层和金属导电层之间；欧姆接触层的材料包括金属硅化物，金属导电层包括由还原性非金属元素与金属构成的化合物。具体的，具有还原性非金属元素的金属化合物导电层具有优良的导电性，从而可克服欧姆接触金属层与金属连线相结合时导电性差的问题。

公开(公告)号：CN118712210A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410844138.3

申请日：2024-06-27

申请人： 江苏新顺微电子股份有限公司

发明人： 朱瑞 ,  邱健繁 ,  许柏松 ,  徐林海 ,  殷铭标

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种高压快恢复二极管结构及其制作方法，在半导体硅片N++衬底层上为低掺杂浓度的N‑外延层，所述N‑外延层上为高浓度的P+源区以及场限环和高浓度的N+截止环，在所述N‑外延层，所述P+源区，所述场限环和所述N+截止环之上是氧化层，在所述氧化层上设置对应于场限环的递增渐变式薄层浮空多晶场板，同时形成了平坦终端区域，在所述P+源区上设置正面金属，在所述正面金属，所述多晶场板，所述氧化层和所述N+截止环上设置三层钝化层，依次为UDO钝化层、氮化硅钝化层与聚酰亚胺胶钝化层。本发明提升了1000V以上高压快恢复二极管使用可靠性，保证产品在工规、车规要求下能够稳定可靠性工作，以应对工况严苛的应用市场。