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公开(公告)号：CN118712129A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410789185.2
申请日：2024-06-19
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，提供了一种基于合金层的提高种子层附着力的方法。本发明先将的基板完成开通孔，然后进行离子注入，使金属离子被注入到基板表面和通孔侧壁，形成合金层，然后依次沉积屏障层、沉积种子层、制作电镀光阻层、沉积电镀Cu、剥离电镀光阻，最后刻蚀去除合金层，避免TGV通孔Cu柱间的信号干扰，由于本发明在基板和屏障层之间增加了合金层，起到缓冲作用，具有一定的导电性，还可以提高屏障层和基板之间以及屏障层和通孔侧壁之间的附着力，避免种子层和深孔侧壁的剥离风险。
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公开(公告)号：CN118448350A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410541966.X
申请日：2024-04-30
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，提供了一种种子层的制备方法。本发明采用分步沉积种子层的方式，先沉积屏障层，再沉积第一种子层，接着采用离子束刻蚀方式，使离子束以一定角度入射，将基板表面第一种子层被部分刻蚀的同时，对通孔侧壁的第一种子层的影响程度很小，几乎不被刻蚀，接着沉积第二种子层至目标种子层厚度，如此便可以使通孔侧壁的平均种子层总厚度满足制程需求的同时，极大地减薄基板表面的种子层厚度，降低了基板的翘曲，也降低了基板和种子层之间因为应力叠加造成的薄膜剥离风险。
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公开(公告)号：CN116403979A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310391673.3
申请日：2023-04-07
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了一种封装结构及晶片封装方法，封装结构包括承载部件、晶片、散热胶材层和封装胶材层，晶片连接于承载部件，散热胶材层连接于晶片，封装胶材层连接于承载部件，封装胶材层和散热胶材层共同包裹晶片，散热胶材层的一部分从封装胶材层露出，散热胶材层的导热系数大于封装胶材层的导热系数。晶片封装方法包括以下步骤：将晶片安装在支撑结构上；设置散热胶材层，使散热胶材层与晶片相互连接；在支撑结构上设置封装胶材层，使得：封装胶材层和散热胶材层共同包裹晶片，散热胶材层的一部分从封装胶材层露出。本发明提供的封装结构，能够提高晶片的散热效果，从而提高封装结构的性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN116313979A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310303496.9
申请日：2023-03-16
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种晶片转移方法，该晶片转移方法可应用于扇出型面板级封装，该方法包括：将带有粘接层的方形承载基板压在粘接于蓝膜且呈圆形分布的晶片上，使承载基板与晶片粘接；抬起承载基板从而使承载基板覆盖区域内的晶片与蓝膜分离；将承载基板压在设计有粘接层图形的大尺寸目的基板上，目的基板上粘接层图形的间距是晶片间距的n倍，使晶片与目的基板粘接；抬起承载基板，1/n2承载基板数量的晶片转移至目的基板上。承载基板与晶片之间的黏附力大于蓝膜与晶片之间的黏附力，并且小于目的基板与晶片之间的黏附力。该方法通过两次转移将多片晶片同时从蓝膜转移至目的方形基板上，使用该方法能够提高晶圆重构的效率和降低晶圆重构的成本。
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公开(公告)号：CN115985815A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211698030.5
申请日：2022-12-28
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开了一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法。半导体加工装置包括第一、第二加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。本申请提高了膜层沉积的质量，提升半导体产品的生产效率。
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公开(公告)号：CN118782540A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410811710.6
申请日：2024-06-21
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
摘要： 本申请涉及半导体封装技术领域，公开了一种种子层制作方法，包括：在腔体中，通过连接于射频偏压的基片台承载设有通孔的基板，循环进行镀膜步骤、刻蚀步骤直到所述通孔的孔侧壁金属膜厚达到目标厚度，通过上述循环，实现孔外金属膜和孔侧壁金属膜的逐步加厚和部分刻蚀，而在刻蚀步骤中，改变工艺条件，使得在第二工艺条件下刻蚀过程中刻蚀掉的金属原子数量大于溅射到基板外表面的金属原子数量，由于深孔内刻蚀速率低，因而，刻蚀步骤完成后孔侧壁金属膜厚与孔外金属膜厚之比，大于前一镀膜步骤得到的孔侧壁金属膜厚与孔外金属膜厚之比，所以，循环后可提升深孔内外种子层厚度比，从而满足深孔的种子层填充要求。
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公开(公告)号：CN118250880A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410476913.4
申请日：2024-04-19
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明提供了一种等离子体发生器，等离子体发生器包括腔体、第一电极板、第二电极板、电源系统和供气系统，第一电极板和第二电极板相向设置并且间隔设置，第二电极板包括出气面，出气面包括多个从内到外分布的出气区域，电源系统用于使两个电极板之间形成电场，从而使工作气体转化为等离子体；当等离子体的气压不小于Pm且不大于Pn时，等离子体的密度随气压的上升而下降；对于任意两个相邻的出气区域，内侧的出气区域的气压为P内，外侧的出气区域的气压为P外，Pm＜P外＜P内＜Pn。本发明的等离子体发生器有利于提高等离子体的分布均匀性，从而提高等离子体对工件不同部位的加工效果的一致性。
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公开(公告)号：CN117877967A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311750141.0
申请日：2023-12-18
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/3213 , C25D3/38
摘要： 本发明属于半导体集成电路技术领域，提供了一种电镀Cu电极图案化方法。本发明通过在集成电路基板TiCu层沉积、电镀光阻图案制作、电镀Cu沉积均完成后，在基板上方进行Ni离子注入处理，在电镀Cu上形成CuNi合金层，接着将电镀光阻剥离，使未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层露出，将剥离电镀光阻后的基板置于Cu刻蚀液中刻蚀，将未被电镀Cu覆盖的TiCu种子层刻蚀掉，得到图案化的电镀Cu电极，CuNi合金层可减缓电镀Cu被Cu刻蚀液刻蚀，减小了电镀Cu膜层被减薄的厚度，由此可降低基板上电镀Cu膜层沉积厚度，降低电镀Cu膜层应力，减小基板翘曲，提高金属电极和基板间的附着力。
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公开(公告)号：CN116682749A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310139412.2
申请日：2023-02-10
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/67
摘要： 本发明属于半导体封装技术领域，提供了一种晶圆重构方法，先将为半导体器件层、第一晶圆、蓝膜从上到下依次设置制得第一结构；第二晶圆粘接粘接体A制得第二结构；第三晶圆粘接粘接体B制得第三结构；粘接体B与晶片之间的附着力>粘接体A与晶片之间的附着力>晶片与蓝膜之间的附着力；第二结构与第一结构重合，施加压力后分离，晶片被转移至第二结构的粘接体A上，再将第二结构与第三结构重合，施加压力后分离，晶片被转移至第三结构的粘接体B上，完成晶圆重构，对位偏差小，偏移X轴＜1μm，偏移Y轴＜1μm。
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公开(公告)号：CN116130370A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310216520.5
申请日：2023-02-28
申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种封装结构制造方法及封装结构，其中封装结构制造方法在承载基板上设置氢化非晶硅层和可溶粘接层，封装步骤完成后，先使用激光照射氢化非晶硅层，使氢化非晶硅层中键能较弱的Si‑H键吸收能量发生断裂，大量游离氢溢出，产生氢爆现象，从而在氢化非晶硅层和可溶粘接层之间形成大量空隙，而后使用剥离液浸泡封装单元，剥离液能够进入氢化非晶硅层和可溶粘接层之间的空隙中，剥离液与可溶粘接层的接触面积变大，因此可溶粘接层能够更快地溶解在剥离液中，使封装结构与承载基板更快地分离，从而能够提高生产效率。
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