公开(公告)号：CN118712129A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410789185.2

申请日：2024-06-19

申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司

发明人： 胡小波 ,  张晓军 ,  李佳小龙 ,  夏慧 ,  谢明辉 ,  冯俊杰

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明属于集成电路技术领域，提供了一种基于合金层的提高种子层附着力的方法。本发明先将的基板完成开通孔，然后进行离子注入，使金属离子被注入到基板表面和通孔侧壁，形成合金层，然后依次沉积屏障层、沉积种子层、制作电镀光阻层、沉积电镀Cu、剥离电镀光阻，最后刻蚀去除合金层，避免TGV通孔Cu柱间的信号干扰，由于本发明在基板和屏障层之间增加了合金层，起到缓冲作用，具有一定的导电性，还可以提高屏障层和基板之间以及屏障层和通孔侧壁之间的附着力，避免种子层和深孔侧壁的剥离风险。

公开(公告)号：CN118782540A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410811710.6

申请日：2024-06-21

申请人： 深圳市矩阵多元科技有限公司

发明人： 夏慧 ,  胡小波 ,  张晓军 ,  李佳小龙 ,  贺军

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  C23C14/04 ,  C23C14/54

摘要： 本申请涉及半导体封装技术领域，公开了一种种子层制作方法，包括：在腔体中，通过连接于射频偏压的基片台承载设有通孔的基板，循环进行镀膜步骤、刻蚀步骤直到所述通孔的孔侧壁金属膜厚达到目标厚度，通过上述循环，实现孔外金属膜和孔侧壁金属膜的逐步加厚和部分刻蚀，而在刻蚀步骤中，改变工艺条件，使得在第二工艺条件下刻蚀过程中刻蚀掉的金属原子数量大于溅射到基板外表面的金属原子数量，由于深孔内刻蚀速率低，因而，刻蚀步骤完成后孔侧壁金属膜厚与孔外金属膜厚之比，大于前一镀膜步骤得到的孔侧壁金属膜厚与孔外金属膜厚之比，所以，循环后可提升深孔内外种子层厚度比，从而满足深孔的种子层填充要求。