本发明属于集成电路技术领域，提供了一种电极线路的制备方法。本发明先在基板上沉积屏障层和Cu层，制作电镀光阻，再电镀Cu层，剥离电镀光阻，置于刻蚀液中，将电镀光阻原本所在位置的Cu层刻蚀掉，再采用PECVD方式在基板上沉积刻蚀阻挡层；采用Ar plasma轰击基板表面，控制Ar等离子体轰击的入射角度与基板表面的夹角为80‑90°，将电镀Cu表面及Ti层表面覆盖的刻蚀阻挡层刻蚀掉；再将基板置于刻蚀液中进行第二次刻蚀，将电镀光阻原本所在位置的Ti层刻蚀掉；由此保证电镀Cu导线的线宽与预设的线宽一致，线宽线距可以达到5μm/5μm以下，得到高密度的Cu导线，并且Cu导线的均匀性好。