公开(公告)号：CN1841197B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200610067017.4

申请日：2006-03-31

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 志保浩司

IPC: G03F7/027 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种适合用于同时形成垂直取向型液晶显示元件的突起和分隔物的放射线敏感性树脂组合物。为了解决上述问题，本发明提供一种用于同时形成垂直取向型液晶显示元件的突起和分隔物的放射线敏感性树脂组合物，其特征在于：包括，[A]由(a1)不饱和羧酸和/或不饱和羧酸酐，(a2)具有环氧基或氧杂环丁烷基的不饱和化合物，以及(a3)(a1)和(a2)以外的烯烃类不饱和化合物形成的共聚物；[B]1，2-醌二叠氮化合物和[C]光阳离子聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1898605B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200580001422.X

申请日：2005-02-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 梶田彻 ,  蓑轮贵树 ,  志保浩司

IPC: G03F7/023 ,  G02B3/00

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/0005

Abstract: 本发明提供适合形成层间绝缘膜或微透镜的辐射敏感性树脂组合物，该组合物具有高辐射敏感度，在显影步骤中具有显影宽容度，即使超过最佳显影时间仍可形成良好的图案形状，可容易地形成贴合性优异的图案状薄膜，并且焙烘时产生的升华物减少。所述辐射敏感性树脂组合物含有(A)具有羧基和环氧基、且通过凝胶渗透色谱测定的经聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)与经聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)之比(Mw/Mn)为1.7以下的聚合物，以及(B)1，2-醌二叠氮基化合物。

公开(公告)号：CN100537144C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510113273.8

申请日：2005-09-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 田野裕之 ,  西村秀树 ,  志保浩司

IPC: B24B37/04

CPC classification number: B24B37/24

Abstract: 一种化学机械抛光衬垫，在以下条件下测量抛光基板在30℃和60℃下的储存弹性模量时，该化学机械抛光衬垫在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)小于或等于120MPa，而且在30℃下的储存弹性模量E′(30℃)与在60℃下的储存弹性模量E′(60℃)的比(E′(30℃)/E′(60℃))大于或等于2.5，条件如下：初始负荷：100g，最大偏移：0.01%，频率：0.2Hz。使用上述化学机械抛光衬垫的化学机械抛光方法。该化学机械抛光衬垫可以抑止在化学机械抛光步骤中在被抛光表面产生刮痕，并且可以提供高质量的抛光表面，而且该化学机械抛光方法通过使用该化学机械抛光衬垫而提供高质量的抛光表面。

公开(公告)号：CN100443263C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200310120349.0

申请日：2003-11-05

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 志保浩司 ,  青井裕美 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  B24D3/344 ,  C09K3/1436

Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料，该材料含有交联聚合物如交联的1，2-聚丁二烯，和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%，当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05-50重量%。另外，在本发明所涉及的抛光垫中，水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1-10重量%，并且在25℃，pH值为3-11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50%以内。另外，这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液，该抛光垫具有良好的浆液保留能力，同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平整度。

公开(公告)号：CN101154041A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200610172859.6

申请日：2006-09-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 米田英司 ,  滨田谦一 ,  志保浩司

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/008 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G02B3/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种放射线敏感性树脂组合物，其含有不饱和羧酸或不饱和羧酸酐与(甲基)丙烯酰氧基氧杂环丁烷的共聚物、1，2－醌二叠氮化合物和热敏性酸生成化合物。该组合物没有安全性上的问题，灵敏度、分辨率、作为溶液的保存稳定性等优良，在显影工序中即使超过最适显影时间，也可以形成良好的图案形成，具有良好的显影余量，可用于形成层间绝缘膜和微透镜。

公开(公告)号：CN1975573A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610171827.4

申请日：2006-07-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 米仓勇 ,  一户大吾 ,  西尾寿浩 ,  志保浩司 ,  梶田彻

IPC: G03F7/004 ,  G02F1/1339 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G02F1/133

Abstract: 一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于含有使通过右式(2)表示的异氰酸酯化合物与(a1)不饱和羧酸和/或不饱和羧酸酐、(a2)下式(1)表示的1个分子中含有2个或2个以上羟基的化合物和(a3)其它不饱和化合物的共聚物反应所得到的聚合物。式(1)中，R1表示氢原子或甲基，p是0-3的整数，q是1-12的整数。式(2)中，R2表示氢原子或甲基，n是1-12的整数。本发明提供高敏感性和高分辨率，并且即使是低曝光量也能得到充分的隔离物形状，且可以形成弹性回复性、耐研磨性、与透明基板的密合性、耐热性、剥离液耐性等都优异的液晶显示元件用隔离物的放射线敏感性树脂组合物。

公开(公告)号：CN1950751A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580013943.7

申请日：2005-02-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 梶田彻 ,  一户大吾 ,  志保浩司

IPC: G03F7/032 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G03F7/038 ,  G02F1/1339

Abstract: 本发明提供一种放射线敏感性树脂组合物、由其形成的间隔物及其形成方法，其中所述放射线敏感性树脂组合物具有高感度、高解像度，且可容易形成图案形状、压缩强度、摩擦耐性、与透明基板的贴合性等各性能均优异的图案状薄膜，烧结时可抑制升华物的发生。其特征在于：含有(A)聚合物，该聚合物具有羧基和环氧基、且通过凝胶渗透色谱测定的、经聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)和经聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)的比(Mw/Mn)为1.7以下，(B)聚合性不饱和化合物和(C)放射线敏感性聚合引发剂。

公开(公告)号：CN1841192A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610079427.0

申请日：2006-03-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 一户大吾 ,  浜口仁 ,  米仓勇 ,  久间俊平 ,  西尾寿浩 ,  志保浩司 ,  梶田彻

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G02F1/1339

Abstract: 一种高灵敏度和高分辨率、显影时间短，并且即使在低曝光量下也可以得到充分的间隔体形状，能够形成弹性回复性、耐摩擦性、与透明基板的附着性、耐热性等性能优良的液晶显示元件用间隔体的放射线敏感性树脂组合物。该放射线敏感性树脂组合物包括：[A]通过共聚(a1)不饱和羧酸和/或不饱和羧酸酐、(a2)下式(1)所表示的不饱和化合物、以及(a3)除上述(a1)～(a2)以外的其它不饱和化合物而得到的共聚物，[B]聚合性不饱和化合物，和[C]放射线敏感性聚合引发剂。式中，R1表示氢原子或甲基，R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、碳原子数为1～6的烷基或碳原子数为1～6的烷氧基，并且n是0～6的整数。

公开(公告)号：CN1699019A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510078823.7

申请日：2005-04-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 保坂幸生 ,  下山裕司 ,  志保浩司 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/042

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫及其制造方法和化学机械研磨方法，该化学机械研磨垫的研磨面由算术表面粗糙度(Ra)为0.1～15μm、10点平均高度(Rz)为40～150μm、核心粗糙深度(Rk)为12～50μm、且衰减峰高度(Rpk)为7～40μm的表面构成。利用该垫，即使在对大孔径晶片的被研磨体进行化学机械研磨的情况下，也能形成具有优良表面均匀性和平坦性的被研磨面。

公开(公告)号：CN1569398A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410038714.8

申请日：2004-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青井裕美 ,  志保浩司 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 一种研磨垫，一种层合研磨垫以及半导体晶片抛光方法，它们都防止浆料从研磨基材和窗口元件之间的间隙中泄漏和因刮伤而造成的抛光效率降低，并能有效进行抛光终点光学检测。该研磨垫包含具有从前侧延伸向背侧的通孔的研磨基材以及安置于该通孔中的光透射元件，并且上述光透射元件的外壁和与该外壁相对的通孔的内壁用可光固化粘合剂(如聚氨酯(甲基)丙烯酸酯)粘合在一起，以在通孔中固定上述光透射元件。