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公开(公告)号：CN105588742A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510749549.5
申请日：2015-11-06
Applicant: FEI公司
Abstract: 描述了促进薄片的自动化提取并且将薄片附着到样本格栅以在透射式电子显微镜上进行查看的技术。本发明的一些实施例涉及使用机器视觉来确定薄片、探针和/或TEM格栅的位置，以引导探针到薄片的附着以及薄片到TEM格栅的附着。促进机器视觉的使用的技术包括对探针尖端成形，使得其位置可以易于由图像识别软件来识别。图像相减技术可以用于确定附着到探针的薄片的位置，以将薄片移动到TEM格栅以供附着。在一些实施例中，在探针上或在薄片上研磨参考结构，以促进图像识别。
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公开(公告)号：CN104979151A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510171305.3
申请日：2015-04-13
Applicant: FEI公司
CPC classification number: H01J37/20 , G01N1/44 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J2237/08 , H01J2237/2007 , H01J2237/201 , H01J2237/204 , H01J2237/2602 , H01J2237/31745
Abstract: 本发明涉及高容量TEM栅格，特别是一种TEM栅格提供立柱，立柱具有台阶，台阶增加了能附连到栅格上的样品数量。在某些实施例中，每个立柱包括单侧楼梯台阶配置。一种用于提取多种样品的方法包括提取样品并且将样品附连到立柱的不同楼梯台阶上。
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公开(公告)号：CN103946684A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280059036.6
申请日：2012-11-30
Applicant: FEI公司
CPC classification number: H01J37/3056 , C23C14/5833 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/3005 , H01J2237/024 , H01J2237/20207 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
Abstract: 一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB-SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB-SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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公开(公告)号：CN103797351A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044122.X
申请日：2012-09-11
Applicant: FEI公司
Abstract: 一种用于为电子显微镜形成平面横截面视图的方法和系统。该方法包括：将来自离子源的离子束引导向样品的第一表面以对该样品的至少一部分进行铣削；使用该离子束对该第一表面进行铣削以暴露出第二表面，其中相对于参考深度，对该第二表面在该离子源远端的末端铣削至比该第一表面在该离子源的近端的末端更大的深度；将来自电子源的电子束引导至该第二表面；以及通过对该电子束与该第二表面的交互进行检测来形成该第二表面的图像。实施例还包括在形成横截面之前使样品的第一表面平面化。
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公开(公告)号：CN107084869A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710041560.5
申请日：2012-11-30
Applicant: FEI 公司
Abstract: 一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB‑SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB‑SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104813459A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380063643.4
申请日：2013-10-04
Applicant: FEI公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 从单个视角暴露样本内的多个平面以供电气探测器接触。可以以非正交角度铣削样本以暴露不同层作为有斜率的表面。多个平行导体平面的有斜率的边缘提供从上方对多个层级的访问。可以访问平面例如以用于与用于施加或感测电压的电气探测器接触。可以例如通过从样本表面对暴露层向下计数来识别要接触的暴露层的层级，由于非正交铣削使所有层从上方可见。可替换地，可以与表面正交地铣削样本，并然后使样本倾斜和/或旋转，以提供对器件的多个层级的访问。优选地与感兴趣的区域远离地执行铣削以在最小化对所述区域的损害的同时提供对所述区域的电气访问。
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公开(公告)号：CN104685617A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051841.9
申请日：2013-10-07
Applicant: FEI公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N1/32 , G01N1/286 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/31745
Abstract: 用于在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法和系统，包括从大块样品提取样品；确定减少幕化的样品取向；将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器，使得在研磨样品以暴露结构时，夹持器使样品取向在减少幕化的取向上；通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构；以及对结构成像。
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公开(公告)号：CN104049097A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410094387.1
申请日：2014-03-14
Applicant: FEI公司
IPC: G01N35/10
CPC classification number: H01J37/3023 , G01N1/286 , H01J2237/201 , H01J2237/208 , H01J2237/31745
Abstract: 本发明公开了一种提取和处理多个样品用于S/TEM分析的改进的方法。本发明的优选实施例利用一种在堆叠形成中一次附接多个样品的显微操纵器和一种将每个样品放置到TEM栅格上的方法。通过使用一种允许加工多个样品的方法，样品制备的生产能力得到显著提高。
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公开(公告)号：CN103946684B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280059036.6
申请日：2012-11-30
Applicant: FEI 公司
CPC classification number: H01J37/3056 , C23C14/5833 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/3005 , H01J2237/024 , H01J2237/20207 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
Abstract: 一种用于TEM样品制备和分析的方法，该方法可以用于FIB‑SEM系统中，而不需要对薄层或机动化的翻转台进行重焊、卸载、用户处理。该方法允许具有典型倾斜台的双束FIB‑SEM系统用于提取样品以形成衬底、将样品安装至能够倾斜的TEM样品支座上、用FIB铣削将该样品打薄、以及旋转样品从而使得样品面垂直于用于STEM成像的电子柱。
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公开(公告)号：CN104822482A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380063847.8
申请日：2013-10-07
Applicant: FEI公司
CPC classification number: H01J37/3005 , G01N1/32 , G01N23/2255 , G01N2223/104 , G01N2223/611 , H01J37/3007 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J37/31 , H01J2237/063 , H01J2237/08 , H01J2237/2813 , H01J2237/31732 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
Abstract: 为了减少通过聚焦离子束暴露以供查看的表面中的伪像，靠近感兴趣的区域铣削沟槽，并且填充沟槽以创建隔板。离子束被引导通过隔板以暴露感兴趣的区域的一部分以供查看。沟槽例如是通过带电粒子束感应沉积来填充的。沟槽典型地被自顶向下铣削和填充，并且然后，离子束关于样本表面成角度以暴露感兴趣的区域。
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