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    三维基准
    1.
    发明授权
    三维基准 有权

    公开(公告)号：CN103512567B

    公开(公告)日：2016-02-17

    申请号：CN201310255880.2

    申请日：2013-06-25

    Applicant: FEI公司

    Inventor： C.巴格 ,  G.克拉克 ,  T.汉森 ,  S.E.富勒 ,  J.唐纳德

    IPC: G01C15/02

    CPC classification number: H01J37/30 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/2811 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802

    Abstract: 一种用于在样品上形成基准并且使用该基准来定位该样品上的所感兴趣的区域的方法和系统，该方法包括通过以下步骤来形成一个基准：在样品上接近于该样品上的所感兴趣的区域处来沉积一种材料块，该材料块从该样品的表面延伸至该样品表面上方的可检测范围；并且使用一个带电粒子束在该材料块的至少两个暴露面中铣削一个预定图案；在形成该基准之后，通过检测该基准的位置来检测该所感兴趣的区域的位置；并且在检测到该所感兴趣的区域的位置之后，用一个带电粒子束来对该所感兴趣的区域进行成像或铣削。

    掠射角铣削
    3.
    发明公开
    掠射角铣削 有权

    公开(公告)号：CN103797351A

    公开(公告)日：2014-05-14

    申请号：CN201280044122.X

    申请日：2012-09-11

    Applicant: FEI公司

    Inventor： M.施米德特 ,  C.巴格

    IPC: G01N1/28 ,  H01J37/26

    Abstract: 一种用于为电子显微镜形成平面横截面视图的方法和系统。该方法包括：将来自离子源的离子束引导向样品的第一表面以对该样品的至少一部分进行铣削；使用该离子束对该第一表面进行铣削以暴露出第二表面，其中相对于参考深度，对该第二表面在该离子源远端的末端铣削至比该第一表面在该离子源的近端的末端更大的深度；将来自电子源的电子束引导至该第二表面；以及通过对该电子束与该第二表面的交互进行检测来形成该第二表面的图像。实施例还包括在形成横截面之前使样品的第一表面平面化。

    三维基准
    4.
    发明公开
    三维基准 有权

    公开(公告)号：CN103512567A

    公开(公告)日：2014-01-15

    申请号：CN201310255880.2

    申请日：2013-06-25

    Applicant: FEI公司

    Inventor： C.巴格 ,  G.克拉克 ,  T.汉森 ,  S.E.富勒 ,  J.唐纳德

    IPC: G01C15/02

    CPC classification number: H01J37/30 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/2811 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802

    Abstract: 一种用于在样品上形成基准并且使用该基准来定位该样品上的所感兴趣的区域的方法和系统，该方法包括通过以下步骤来形成一个基准：在样品上接近于该样品上的所感兴趣的区域处来沉积一种材料块，该材料块从该样品的表面延伸至该样品表面上方的可检测范围；并且使用一个带电粒子束在该材料块的至少两个暴露面中铣削一个预定图案；在形成该基准之后，通过检测该基准的位置来检测该所感兴趣的区域的位置；并且在检测到该所感兴趣的区域的位置之后，用一个带电粒子束来对该所感兴趣的区域进行成像或铣削。

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