三维基准
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103512567B

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201310255880.2

    申请日:2013-06-25

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 一种用于在样品上形成基准并且使用该基准来定位该样品上的所感兴趣的区域的方法和系统,该方法包括通过以下步骤来形成一个基准:在样品上接近于该样品上的所感兴趣的区域处来沉积一种材料块,该材料块从该样品的表面延伸至该样品表面上方的可检测范围;并且使用一个带电粒子束在该材料块的至少两个暴露面中铣削一个预定图案;在形成该基准之后,通过检测该基准的位置来检测该所感兴趣的区域的位置;并且在检测到该所感兴趣的区域的位置之后,用一个带电粒子束来对该所感兴趣的区域进行成像或铣削。

    用于TEM观察的薄片的制备

    公开(公告)号:CN104303257A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201380026621.0

    申请日:2013-05-21

    Applicant: FEI公司

    CPC classification number: H01J37/3026 G01N1/32 H01J2237/31745

    Abstract: 一种用于生产用于TEM观察的薄的薄片的方法和设备。所述方法的步骤是鲁棒的,并且可以用于以自动化工艺生产薄片。在一些实施例中,在形成薄片之前,沉积保护涂层,所述保护涂层具有与工件的溅射速率匹配的溅射速率。在一些实施例中,薄片的底部远离感兴趣的特征倾斜,其在薄化期间保持所述薄片稳定并且减少移动。在一些实施例中,基准被用于定位所述射束以用于最终薄化,而不使用薄片的边缘。在一些实施例中,在高离子能量最终薄化之后完成突出部,以保持所述薄片更加稳定。在一些实施例中,散焦低离子能量和图案刷新延迟被用于最终切割以减少薄片的变形。

    三维基准
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103512567A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310255880.2

    申请日:2013-06-25

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 一种用于在样品上形成基准并且使用该基准来定位该样品上的所感兴趣的区域的方法和系统,该方法包括通过以下步骤来形成一个基准:在样品上接近于该样品上的所感兴趣的区域处来沉积一种材料块,该材料块从该样品的表面延伸至该样品表面上方的可检测范围;并且使用一个带电粒子束在该材料块的至少两个暴露面中铣削一个预定图案;在形成该基准之后,通过检测该基准的位置来检测该所感兴趣的区域的位置;并且在检测到该所感兴趣的区域的位置之后,用一个带电粒子束来对该所感兴趣的区域进行成像或铣削。

    创建对称FIB沉积的方法和系统

    公开(公告)号:CN105200394A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510347983.0

    申请日:2015-06-23

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 提供了一种使用利用成角度的射束的带电粒子射束沉积产生对称沉积的系统。在过去,使用具有非正交入射角的FIB产生沉积,该沉积朝向FIB射束路径生长,从而使得难以产生沉积物的均匀性。利用本发明,即使在使用非正交FIB的情况下也得到对称的沉积。

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