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公开(公告)号:CN1641482B
公开(公告)日:2010-04-28
申请号:CN200410081822.3
申请日:2004-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: A·J·J·范迪塞多克 , M·M·T·M·迪里奇斯 , H·-J·沃尔马
CPC classification number: G03F7/70216 , G03F7/70275 , G03F7/70308
Abstract: 一种光刻装置,包括设置在投影系统的中间焦点处或其附近的辐射衰减器或可变孔径系统,如遮光叶片。除了辐射衰减器或可变孔径系统之外,测量系统可以设置在中间焦点处。通过将这些系统的一个或多个放置于投影系统的中间焦点处而不是放置于照射系统的中间掩模版附近,因其有更大的可用空间而存在较少的设计限制,导致较低的设计成本。
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公开(公告)号:CN1673875A
公开(公告)日:2005-09-28
申请号:CN200510065529.2
申请日:2005-03-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: H·-J·沃尔马 , A·J·J·范蒂斯塞多克 , U·米坎
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558
Abstract: 一种光刻装置,包括用于提供辐射投影束的照明系统,用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构,用于支持晶片的基板台和用于将构图射束投影到晶片的目标部位的投影系统。为了控制在晶片上的辐射剂量以提高晶片的生产量,提供可变衰减器,以便改变投影束的强度而不改变射束的位置。可变衰减器包括两个平行设置的反射镜,使得辐射输入射束入射到第一反射镜,辐射被第一反射镜朝第二反射镜反射,辐射被第二反射镜反射以产生所需强度的辐射输出射束以输入到照明系统;以及包括用于倾斜反射镜的机制,使得反射镜保持彼此平行,并且改变射束在反射镜上的入射角,以便改变输出射束的强度。这允许连续改变投影束的强度而不改变射束的位置。
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公开(公告)号:CN1641482A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN200410081822.3
申请日:2004-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: A·J·J·范迪塞多克 , M·M·T·M·迪里奇斯 , H·-J·沃尔马
CPC classification number: G03F7/70216 , G03F7/70275 , G03F7/70308
Abstract: 一种光刻装置,包括设置在投影系统的中间焦点处或其附近的辐射衰减器或可变孔径系统,如遮光叶片。除了辐射衰减器或可变孔径系统之外,测量系统可以设置在中间焦点处。通过将这些系统的一个或多个放置于投影系统的中间焦点处而不是放置于照射系统的中间掩模版附近,因其有更大的可用空间而存在较少的设计限制,导致较低的设计成本。
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公开(公告)号:CN100498537C
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200510065529.2
申请日:2005-03-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: H·-J·沃尔马 , A·J·J·范蒂斯塞多克 , U·米坎
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558
Abstract: 一种光刻装置,包括用于提供辐射投影束的照明系统,用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构,用于支持晶片的基板台和用于将构图射束投影到晶片的目标部位的投影系统。为了控制在晶片上的辐射剂量以提高晶片的生产量,提供可变衰减器,以便改变投影束的强度而不改变射束的位置。可变衰减器包括两个平行设置的反射镜,使得辐射输入射束入射到第一反射镜,辐射被第一反射镜朝第二反射镜反射,辐射被第二反射镜反射以产生所需强度的辐射输出射束以输入到照明系统;以及包括用于倾斜反射镜的机制,使得反射镜保持彼此平行,并且改变射束在反射镜上的入射角,以便改变输出射束的强度。这允许连续改变投影束的强度而不改变射束的位置。
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公开(公告)号:CN100495211C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200410055027.7
申请日:2004-05-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·A·A·T·达姆斯 , M·克鲁恩 , H·-J·沃尔马 , C·I·M·A·斯皮
CPC classification number: G03F7/70983 , G03F7/70916
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻装置的真空腔的元件的制备方法。该方法包括首先在所述元件上涂覆非金属、非塑料材料,接着处理涂层以固化该涂层。优选的涂覆材料是氢化倍半硅氧烷(HSQ),可以用各种方法(喷射、涂刷、旋布)施加或用电子束加热,或用辐射。在真空环境的条件下,得到的元件极大地减少了水或烃的释气。
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公开(公告)号:CN1707363A
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200510076147.X
申请日:2005-06-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·M·T·M·迪里奇斯 , M·F·A·厄林斯 , H·-J·沃尔马 , O·W·V·弗里恩斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70141
Abstract: 一种辐射系统,包括一用于产生辐射束的辐射发生器、一源、一用于接收辐射束并提供辐射投射束的照明系统。该照明系统包括用于测量辐射束相对于照明系统的位置和倾斜度至少之一的束测量系统,以及用于将辐射束部分截面重定向到束测量系统的投射装置。束测量系统可能包括多个位置传感器,其输出可用于确定辐射源相对于照明系统的不准确的对准。光阑连接到辐射发生器的收集器,使得加之X、Y和Z校正,Rx、Ry和Rz校正也是可能的。
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公开(公告)号:CN100573332C
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200510076147.X
申请日:2005-06-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·M·T·M·迪里奇斯 , M·F·A·厄林斯 , H·-J·沃尔马 , O·W·V·弗里恩斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70141
Abstract: 一种辐射系统,包括一用于产生辐射束的辐射发生器、一源、一用于接收辐射束并提供辐射投射束的照明系统。该照明系统包括用于测量辐射束相对于照明系统的位置和倾斜度至少之一的束测量系统,以及用于将辐射束部分截面重定向到束测量系统的投射装置。束测量系统可能包括多个位置传感器,其输出可用于确定辐射源相对于照明系统的不准确的对准。光阑连接到辐射发生器的收集器,使得加之X、Y和Z校正,Rx、Ry和Rz校正也是可能的。
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公开(公告)号:CN100538525C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200510056552.5
申请日:2005-01-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70891
Abstract: 一种光刻设备,包括:照明系统,用于提供辐射的投射光束;支撑结构,用于支撑构图装置,该构图装置用于使投射光束在其横截面上具有图案;衬底台,用于支承衬底;投射系统,用于将带图案的光束投射到衬底的目标部分上;以及收集器,被设置成用于将从第一辐射源接收的辐射传输到照明系统上,其中所述设备包括至少一个加热器,以在收集器没有从第一辐射源接收辐射时加热该收集器,其中所述加热器至少包括或者连接到一个控制器,用于控制所述加热器,而且所述控制器设置成当第一辐射源不作用时启动加热器。本发明还提供一种收集器和器件制造方法。
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公开(公告)号:CN1648777A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN200510056552.5
申请日:2005-01-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70891
Abstract: 一种光刻设备,包括提供辐射的投射光束(PB)的照明系统(IL)、支持构图装置(MA)的支撑结构(MT),该构图装置(MA)用于使投射光束(PB)在其横截面上构成图案。所述设备进一步包括支持衬底(W)的衬底台(WT)、将受到构图的光束投射到衬底(W)的目标部分上的投射系统(PL),以及收集器(1;101;201),收集器(1;101;201)设置成将从第一辐射源(SO)接收的辐射(R)传输到照明系统(IL)。所述设备包括至少一个加热器(2;102;202),用于当收集器基本上没有从第一辐射源(SO)接收辐射时加热收集器(1;101;201)。该发明还提供一种器件制造方法以及由此制成的器件。
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