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公开(公告)号：CN109524478B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811327196.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及基于二硫化锡薄膜的柔性光电探测器件。本发明提供一种(001)晶面取向的二硫化锡薄膜，其为二硫化锡晶态薄膜，具有(001)晶面方向取向性。还提供一种基于二硫化锡薄膜的光电探测器件，包括权利要求1所述的二硫化锡薄膜，和平行设在二硫化锡薄膜上的两个电极。本发明的二硫化锡薄膜均匀性、致密性好，具有(001)晶面取向，有利于二硫化锡薄膜具有优良的柔性。本发明提供的二硫化锡光电探测器柔性好，可承受弯曲度高，且可承受大量弯曲次数，经过一万次以上弯曲性能基本保持不变。
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公开(公告)号：CN110756191A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910982752.5
申请日：2019-10-16
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种绿色回收废弃钴酸锂电池制备CoPi催化剂的方法，包括以下步骤：拆解电池，分离铜箔、铝箔、正极材料钴酸锂及负极材料；用柠檬酸和甲醇水溶液，水热溶解钴酸锂材料，得到浸出液A；采用三电极沉积法，浸出液A与磷酸缓冲溶液混合液作为电解液，在经清洗过的FTO导电玻璃衬底上或氧化铁薄膜表面电沉积得到CoPi催化剂。本发明采用柠檬酸水热溶解废弃钴酸锂电池中的钴酸锂，将浸出液结合磷酸盐缓冲液作为电解液，以三电极法恒电压电化学沉积得到CoPi催化剂，具有环境友好、节能省时、设备简易、操作简便，且得到的目标产物电化学活性高；工艺简单可控，适用于规模化生产等优点。
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公开(公告)号：CN110660914A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684416.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
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公开(公告)号：CN109065738A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810916176.X
申请日：2018-08-13
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0077
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种基于铜铅合金合成高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的化学方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。
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公开(公告)号：CN108034849A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711290988.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑镁复合散热材料及其制备方法和应用，通过在金刚石表面生成碳化钛到钛铜合金的梯度层修饰提高金刚石与镁基体的界面结合，采用放电等离子烧结技术快速合成轻质且热导率高的金刚石‑镁复合散热材料，从而有效解决电子封装领域元器件随封装密度增大而产生的散热问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106312056A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610862345.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 许昌学院
IPC: B22F1/02
CPC classification number: B22F1/025
Abstract: 本发明公开了一种金刚石表面金属化方法，将清洗干净的金刚石与熔盐、微纳米金属及微纳米活性物质按一定比例混合均匀，在800-1000℃非氧化气氛条件下保温0.5-3h，随炉冷却至室温取出，经清洗处理，得到表面梯度层修饰的金刚石颗粒，实现金刚石表面金属化。本发明能够实现金刚石表面的梯度层修饰，使金刚石表面均匀包覆有由反应碳化物层、活性物质层、金属层组成的梯度层。
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公开(公告)号：CN105353680A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510807657.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 许昌学院
IPC: G05B19/042 , G05D27/02
CPC classification number: G05B19/0428 , G05B2219/2609 , G05D27/02
Abstract: 本发明提供了一种用于原子层沉积仪的控制设备，包括单片机控制系统、温控模块和保护模块，单片机控制系统包括单片机、程序输入单元、时间控制单元、信号控制单元、执行单元和显示单元，程序输入单元、时间控制单元、信号控制单元和显示单元均与单片机连接，信号控制单元的输出端通过执行单元连接至执行元件；温控模块与单片机及执行元件连接；保护模块包括与单片机连接的温度保护单元和断电保护单元。本发明避免了采用计算机或工控机多级间接控制执行单元的复杂性，直接采用单片机现场控制，以此控制设备为核心的原子层沉积仪具有定时可控泵入各种前驱体、体系温度及过热、停电保护以及报警的功能，显著降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN110660915B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro‑OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN110660915A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro-OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN108034849B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201711290988.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑镁复合散热材料及其制备方法和应用，通过在金刚石表面生成碳化钛到钛铜合金的梯度层修饰提高金刚石与镁基体的界面结合，采用放电等离子烧结技术快速合成轻质且热导率高的金刚石‑镁复合散热材料，从而有效解决电子封装领域元器件随封装密度增大而产生的散热问题。
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