公开(公告)号：CN117833848A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410023372.X

申请日：2024-01-05

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈志鹏 ,  翟世奇 ,  吴勇 ,  王东 ,  杨林安

IPC: H03H5/12 ,  H03M1/08 ,  H03M1/34

Abstract: 本发明涉及一种基于电容堆叠的滤波器，包括：输入驱动电路、积分电路和电容堆叠电路；所述输入驱动电路的输入端接入差分输入信号，所述输入驱动电路的差分输出端连接所述积分电路的差分输入端；所述积分电路的差分输出端连接所述电容堆叠电路的差分输入端；所述积分电路还接入共模电压VCM、时钟信号RSTN、时钟信号φ1和时钟信号φ2；所述电容堆叠电路还接入所述共模电压VCM、时钟信号φ3和时钟信号φ4。上述方案以输入驱动电路的方式采集剩余电压，避免了电容直接相连因电容分压造成的误差，并以电容连接共模电压的方式取代接地，减小了电压变化幅度，提高了充放电速度，用电容堆叠电路进行电荷累加，避免了电压相加产生引入的噪声，提高了滤波能力。

公开(公告)号：CN114566545A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210116370.6

申请日：2022-02-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  陈尧 ,  岳航博 ,  胡啸林 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、InP副沟道、第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道、第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂InAlAs隔离层、delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持高In组分沟道的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。

公开(公告)号：CN105845716B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201610313055.7

申请日：2016-05-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  黄金金 ,  于婷 ,  陆芹 ,  郝跃 ,  薛军帅 ,  杨林安 ,  林志宇

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88

Abstract: 本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。

公开(公告)号：CN104393044B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410660754.X

申请日：2014-11-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  范举胜 ,  李敏娜 ,  杨林安 ,  刘红侠 ,  王冲 ,  郑雪峰 ,  张金风

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型直角栅‑漏复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14)。钝化层内刻有栅槽(10)与漏槽(11)；钝化层与保护层之间淀积有直角栅场板(12)和直角漏场板(13)；直角栅场板与绝缘栅极电气连接，且下端完全填充栅槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽，直角栅场板靠近绝缘栅极一侧边缘与栅槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。本发明工艺简单，正、反向特性好，成品率高，可作为开关器件。

公开(公告)号：CN106057915A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610643966.6

申请日：2016-08-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  黄金金 ,  于婷 ,  陆芹 ,  郝跃 ,  薛军帅 ,  杨林安 ,  林志宇

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/45 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/882 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66219

Abstract: 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n+GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN势垒层，InGaN隔离层，n+InGaN发射极欧姆接触层，圆形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料，增大峰值电流，提高输出功率；二极管的制作方法中，生长InGaN后没有高温工艺，没有In析出，减小器件漏电。

公开(公告)号：CN105845716A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610313055.7

申请日：2016-05-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  黄金金 ,  于婷 ,  陆芹 ,  郝跃 ,  薛军帅 ,  杨林安 ,  林志宇

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88

CPC classification number: H01L29/882 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66219

Abstract: 本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。

公开(公告)号：CN104409495A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410660230.0

申请日：2014-11-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  范举胜 ,  董萌 ,  刘红侠 ,  杨林安 ,  王冲 ,  郑雪峰 ,  张金风

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(11)，其中钝化层(8)内设有凹槽(9)，钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有直角栅场板(10)，直角栅场板(10)靠近栅极一侧边缘与凹槽靠近栅极一侧边缘对齐，该直角栅场板与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在凹槽(9)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。

公开(公告)号：CN102522502A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210005728.4

申请日：2012-01-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  毛伟 ,  何寒冰 ,  郝跃

IPC: H01L47/02

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n+GaN欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN欧姆接触层，其特征在于：电子发射层采用In组份为14％～22％的InAlN材料，厚度为80～200nm；SiC衬底上刻蚀有通孔(1)，衬底的底部淀积有金属Ti/Al/Ni/Au，该金属通过通孔与环形电极(5)相连，形成纵向器件结构。本发明能够消除压电极化效应并显著地降低界面位错以及“死区”长度，具有输出功率和工作频率高的优点，适用于太赫兹频段工作。

公开(公告)号：CN101901760B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010209567.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  杨林安 ,  王昊 ,  陈珂 ,  曹艳荣 ,  杨传凯

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：CN101901757A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209324.8

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  周小伟 ,  杨林安 ,  史林玉 ,  王昊 ,  陈珂

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底的非极性a面GaN薄膜生长方法，主要解决常规非极性材料质量差的问题。其生长步骤是：(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm，温度为600-800℃的无应力AlInN成核层；(3)在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性a面GaN缓冲层；(4)在所述非极性a面GaN缓冲层之上生长厚度为100-500nm，温度为600-800℃的无应力AlInN插入层；(5)在所述无应力AlInN插入层之上生长厚度为2000-4000nm，镓源流量为50-200μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的低V-III比非极性a面GaN外延层。本发明的a面GaN薄膜具有低缺陷的优点，用于制作非极性a面GaN发光二极管。