公开(公告)号：CN110729821B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN201910967745.8

申请日：2019-10-12

Applicant: 西安电子科技大学 ,  国网陕西省电力公司电力科学研究院

Inventor： 李龙 ,  崔欣旺 ,  张沛 ,  张轩铭 ,  杨传凯 ,  王松岑 ,  魏斌

IPC: H02J50/20

Abstract: 本发明公开了一种用于多目标无线能量传输的准无衍射波束形成方法，主要解决现有天线馈电网络复杂、对接收目标位置要求过高的问题。其方案是：1)设计反射阵单元；2)仿真反射阵单元，绘制补偿相位表，并将反射阵单元排成平面阵列；3)确定准无衍射波束的传播方向和最大无衍射传输距离；4)根据平面阵列确定反射阵单元波矢量与传播轴形成的角度；5)根据3)和4)的结果计算各反射阵单元补偿相位；6)在补偿相位查找对应单元并调整尺寸生成反射阵天线；7)将馈源和反射阵天线放在设计位置，在馈源上加射频信号，产生准无衍射波束。本发明简化了天线的馈电网络结构，满足给多目标供电的需求，可用于同一路径上多个目标的无线能量传输。

公开(公告)号：CN101901760B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010209567.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  杨林安 ,  王昊 ,  陈珂 ,  曹艳荣 ,  杨传凯

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：CN101901758A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209325.2

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  周小伟 ,  欧新秀 ,  付小凡 ,  杨传凯 ,  薛军帅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在m面SiC衬底上生长厚度为20-50nm，温度为550-680℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层上生长厚度为100-300nm，温度为1000-1200℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层上生长厚度为200-500nm，温度为600-800℃的AlInN层；(5)在所述AlInN层上生长镓源流量为10-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性m面GaN层；(6)在所述高V-III比非极性GaN层上生长镓源流量为20-200μmol/min，氨气流量为500-5000sccm的低V-III比非极性m面GaN层。本发明具有高质量，工艺简单的优点，用于制作非极性m面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901760A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209567.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  杨林安 ,  王昊 ,  陈珂 ,  曹艳荣 ,  杨传凯

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：CN110729821A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910967745.8

申请日：2019-10-12

Applicant: 西安电子科技大学 ,  国网陕西省电力公司电力科学研究院

Inventor： 李龙 ,  崔欣旺 ,  张沛 ,  张轩铭 ,  杨传凯 ,  王松岑 ,  魏斌

IPC: H02J50/20

Abstract: 本发明公开了一种用于多目标无线能量传输的准无衍射波束形成方法，主要解决现有天线馈电网络复杂、对接收目标位置要求过高的问题。其方案是：1)设计反射阵单元；2)仿真反射阵单元，绘制补偿相位表，并将反射阵单元排成平面阵列；3)确定准无衍射波束的传播方向和最大无衍射传输距离；4)根据平面阵列确定反射阵单元波矢量与传播轴形成的角度；5)根据3)和4)的结果计算各反射阵单元补偿相位；6)在补偿相位查找对应单元并调整尺寸生成反射阵天线；7)将馈源和反射阵天线放在设计位置，在馈源上加射频信号，产生准无衍射波束。本发明简化了天线的馈电网络结构，满足给多目标供电的需求，可用于同一路径上多个目标的无线能量传输。

公开(公告)号：CN101901758B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010209325.2

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  周小伟 ,  欧新秀 ,  付小凡 ,  杨传凯 ,  薛军帅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在m面SiC衬底上生长厚度为20-50nm，温度为550-680℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层上生长厚度为100-300nm，温度为1000-1200℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层上生长厚度为200-500nm，温度为600-800℃的AlInN层；(5)在所述AlInN层上生长镓源流量为10-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性m面GaN层；(6)在所述高V-III比非极性GaN层上生长镓源流量为20-200μmol/min，氨气流量为500-5000sccm的低V-III比非极性m面GaN层。本发明具有高质量，工艺简单的优点，用于制作非极性m面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901759A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209566.7

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  周小伟 ,  张进成 ,  史林玉 ,  陈珂 ,  杨传凯 ,  欧新秀

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在r面Al2O3衬底上生长厚度为20-200nm，温度为500-650℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层之上生长厚度为50-200nm，温度为1000-1150℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层之上生长厚度为500-2000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(5)在所述高温GaN层之上生长1-30nm的TiN层；(6)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(7)在所述GaN层之上生长厚度1-30nm的TiN层；(8)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作非极性a面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901759B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201010209566.7

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  周小伟 ,  张进成 ,  史林玉 ,  陈珂 ,  杨传凯 ,  欧新秀

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在r面Al2O3衬底上生长厚度为20-200nm，温度为500-650℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层之上生长厚度为50-200nm，温度为1000-1150℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层之上生长厚度为500-2000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(5)在所述高温GaN层之上生长1-30nm的TiN层；(6)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(7)在所述GaN层之上生长厚度1-30nm的TiN层；(8)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作非极性a面GaN发光二极管。