公开(公告)号：CN101901759B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201010209566.7

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  周小伟 ,  张进成 ,  史林玉 ,  陈珂 ,  杨传凯 ,  欧新秀

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在r面Al2O3衬底上生长厚度为20-200nm，温度为500-650℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层之上生长厚度为50-200nm，温度为1000-1150℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层之上生长厚度为500-2000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(5)在所述高温GaN层之上生长1-30nm的TiN层；(6)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(7)在所述GaN层之上生长厚度1-30nm的TiN层；(8)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作非极性a面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901758A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209325.2

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  周小伟 ,  欧新秀 ,  付小凡 ,  杨传凯 ,  薛军帅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在m面SiC衬底上生长厚度为20-50nm，温度为550-680℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层上生长厚度为100-300nm，温度为1000-1200℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层上生长厚度为200-500nm，温度为600-800℃的AlInN层；(5)在所述AlInN层上生长镓源流量为10-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性m面GaN层；(6)在所述高V-III比非极性GaN层上生长镓源流量为20-200μmol/min，氨气流量为500-5000sccm的低V-III比非极性m面GaN层。本发明具有高质量，工艺简单的优点，用于制作非极性m面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901758B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010209325.2

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  许晟瑞 ,  张进成 ,  周小伟 ,  欧新秀 ,  付小凡 ,  杨传凯 ,  薛军帅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在m面SiC衬底上生长厚度为20-50nm，温度为550-680℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层上生长厚度为100-300nm，温度为1000-1200℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层上生长厚度为200-500nm，温度为600-800℃的AlInN层；(5)在所述AlInN层上生长镓源流量为10-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性m面GaN层；(6)在所述高V-III比非极性GaN层上生长镓源流量为20-200μmol/min，氨气流量为500-5000sccm的低V-III比非极性m面GaN层。本发明具有高质量，工艺简单的优点，用于制作非极性m面GaN发光二极管。

公开(公告)号：CN101901759A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010209566.7

申请日：2010-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  郝跃 ,  周小伟 ,  张进成 ,  史林玉 ,  陈珂 ,  杨传凯 ,  欧新秀

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在r面Al2O3衬底上生长厚度为20-200nm，温度为500-650℃的低温AlN层；(3)在所述低温AlN层之上生长厚度为50-200nm，温度为1000-1150℃的高温AlN层；(4)在所述高温AlN层之上生长厚度为500-2000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(5)在所述高温GaN层之上生长1-30nm的TiN层；(6)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层；(7)在所述GaN层之上生长厚度1-30nm的TiN层；(8)在所述TiN层之上生长厚度为500-5000nm，温度为1000-1150℃的GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作非极性a面GaN发光二极管。