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公开(公告)号：CN104109589A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310567460.8
申请日：2013-11-14
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , C11D7/266 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L27/1085 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。
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公开(公告)号：CN104620326B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380044747.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法，并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物，包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN101452208B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200810185741.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/028 , H01L21/82 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/033
Abstract: 本发明提供了一种用于垫片保护层的光敏树脂组合物以及利用该光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。该组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)活性不饱和化合物、(C)光引发剂以及(D)溶剂。(A)碱溶性树脂包括这样的共聚物，该共聚物包括5至50wt％的具有以下化学式1的构成单元、1至25wt％的具有以下化学式2的构成单元以及45至90wt％的具有以下化学式3的构成单元，并且提供了一种利用光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。在下述化学式中，R11至R13、R21至R24以及R31至R33与在具体实施方式中所定义的相同。用于垫片保护层的光敏树脂组合物具有良好的图案化和蚀刻性能以及耐化学性，因此可以提供没有下部外敷层的图像传感器，。
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公开(公告)号：CN102687075A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN104684968A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049625.0
申请日：2013-07-15
Applicant: 第一毛织株式会社
Inventor： 宋炫知 , 朴银秀 , 林相学 , 郭泽秀 , 金古恩 , 金美英 , 金补宣 , 金奉焕 , 罗隆熙 , 裵镇希 , 徐珍雨 , 尹熙灿 , 李汉松 , 田钟大 , 韩权愚 , 洪承希 , 黄丙奎
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: 本发明揭示了一种藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备的改质氢化聚硅氧氮烷。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102108166A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010225168.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L25/14 , C08L33/12 , C08L33/14 , C08K5/3492 , C08K5/42 , C09D125/14 , C09D133/12 , C09D133/14 , C09D7/12 , G02B5/20 , G02B1/10 , H04N5/335
CPC classification number: G02B1/14 , C08K5/06 , C08L33/08 , C08L79/04 , C09D5/024 , C09D7/63 , C09D133/06 , C09D133/08 , C09D179/04 , G02B1/041 , G02B1/105 , G02B5/201 , Y10T428/10 , Y10T428/1005 , Y10T428/1036 , Y10T428/105 , C08L33/10 , C08L61/28
Abstract: 本发明披露了一种用于滤色片的保护层的树脂组合物，该树脂组合物包括含有由化学式1至3表示的重复单元的丙烯酸酯基树脂、由化学式4表示的三聚氰胺基树脂、热生酸剂(TAG)和溶剂。本发明还披露了一种利用该树脂组合物制造的滤色片保护层、以及包括该滤色片保护层的图像传感器。该树脂组合物对于分子内固化具有高稳定性和优异的耐化学性，并且当被用于设置滤色片的保护层时具有优异的平整度。
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公开(公告)号：CN101452208A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810185741.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/028 , H01L21/82 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/033
Abstract: 本发明提供了一种用于垫片保护层的光敏树脂组合物以及利用该光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。该组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)活性不饱和化合物、(C)光引发剂以及(D)溶剂。(A)碱溶性树脂包括这样的共聚物，该共聚物包括5至50wt％的具有以上化学式1的构成单元、1至25wt％的具有以上化学式2的构成单元以及45至90wt％的具有以上化学式3的构成单元，并且提供了一种利用光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。在下述化学式中，R11至R13、R21至R24以及R31至R33与在具体实施方式中所定义的相同。用于垫片保护层的光敏树脂组合物具有良好的图案化和蚀刻性能以及耐化学性，因此可以提供没有下部外敷层的图像传感器。
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公开(公告)号：CN104109589B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201310567460.8
申请日：2013-11-14
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式1表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN104684968B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380049625.0
申请日：2013-07-15
Applicant: 第一毛织株式会社
Inventor： 宋炫知 , 朴银秀 , 林相学 , 郭泽秀 , 金古恩 , 金美英 , 金补宣 , 金奉焕 , 罗隆熙 , 裵镇希 , 徐珍雨 , 尹熙灿 , 李汉松 , 田钟大 , 韩权愚 , 洪承希 , 黄丙奎
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: 本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
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公开(公告)号：CN104620326A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380044747.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅类绝缘层的组成物，其包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于形成氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
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