半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106547637B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201610708757.5

    申请日:2016-08-23

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了可跟随在快速负载波动时出现的诸如大压降的快速电压改变的半导体器件。该半导体器件包括:电压传感器,其以比假设的电源电压波动的频率高的取样速度来监测电源电压并且输出电压代码值;压降确定电路,其从所述电压代码值来确定出现致使系统故障的压降,并且输出时钟停止信号;以及时钟控制电路,其控制时钟停止、重启和频率改变。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106547637A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201610708757.5

    申请日:2016-08-23

    CPC classification number: G06F1/305 G06F1/10 G06F1/32 G06F1/3237

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了可跟随在快速负载波动时出现的诸如大压降的快速电压改变的半导体器件。该半导体器件包括:电压传感器,其以比假设的电源电压波动的频率高的取样速度来监测电源电压并且输出电压代码值;压降确定电路,其从所述电压代码值来确定出现致使系统故障的压降,并且输出时钟停止信号;以及时钟控制电路,其控制时钟停止、重启和频率改变。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105390481A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510531518.2

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件。提供了一种能够在防止存储器的功能恶化的同时控制存储器并且减少半导体器件的功耗的半导体器件。半导体器件包括第一半导体芯片(逻辑芯片)和第二半导体芯片(存储器芯片)。第一半导体芯片包括:多个温度传感器,设置在彼此不同的位置中;以及存储器控制器,基于该多个温度传感器中的相应的一个温度传感器的输出结果,来控制设置在第二半导体芯片中的多个存储器区域中的每一个。

    半导体器件
    7.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113726125A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110565752.2

    申请日:2021-05-24

    Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括:多个核心,其被配置为从电源接收功率;多个电源开关电路,针对每个核心而设置并且被配置为控制被供应给对应核心的功率;比较电路,被配置为从电源接收功率并且比较多个核心的输出数据;以及核心电压监测电路,被配置为监测连接电源和比较电路的节点的电压。

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