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公开(公告)号：CN107546268B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201611077777.3
申请日：2016-11-30
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：n‑型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽，其在n‑型层中形成；p型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上；n+型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上，并且设置在n‑型层和p型区域上；栅极绝缘层，其设置在第一沟槽内侧；栅电极，其设置在栅极绝缘层上；氧化物层，其设置在栅电极上；源电极，其设置在氧化物层和n+区域上；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中作为累积层沟道的第一沟道和作为反型层沟道的第二沟道设置在第一沟槽的两个侧表面中，并且第一沟道和第二沟道被设置成在n+型碳化硅衬底的第一表面的水平方向上相邻。
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公开(公告)号：CN113707707B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202110566190.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 现代摩比斯株式会社
Abstract: 提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有第一导电类型。
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公开(公告)号：CN116936627A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211696554.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及功率半导体器件、功率半导体芯片及其制造方法。该功率半导体器件包括：栅电极，从半导体基板的第一表面凹进至半导体基板的与第一表面相对设置的第二表面；发射器区域，包括第一导电类型的杂质，该发射器区域被设置为与设置有栅电极的沟槽和第一表面接触；收集器区域，包括与第一导电类型相对的第二导电类型的杂质，该收集器区域被设置为与第二表面接触；浮置区域，包括第二导电类型的杂质，该浮置区域在包围沟槽的底面的同时沿着沟槽的延伸方向朝向第二表面延伸；以及沟槽发射器区域，在沟槽中插入栅电极下方。
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公开(公告)号：CN115588668A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210563781.X
申请日：2022-05-23
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件，包括：SiC半导体层；多个阱区，其设置在半导体层中，使得两个相邻的阱区至少部分地彼此接触；多个源区，其设置在半导体层中的多个阱区上；漂移区，其具有第一导电类型；多个沟槽，其设置为从半导体层的表面凹入半导体层中；栅绝缘层，其设置在每个沟槽的内壁上；栅电极层，其设置在栅绝缘层上，并且包括设置在每个沟槽中的第一部分和设置在半导体层上的第二部分；柱区，其位于多个阱区下方，以与漂移区接触；以及多个阱区，其设置在半导体层中，并且具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN109728082B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811259649.X
申请日：2018-10-26
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。该器件包括：外延层，其构成有源单元区的一部分并且以第一浓度掺杂有第一导电类型的杂质；场截止区，其位于外延层下方且以第二浓度掺杂有第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质随后被激活；以及集电极区，其位于场截止区下方并且掺杂有第二导电类型的杂质。该场截止区通过重复交替地布置其中第一导电类型的杂质的激活相对较强的区域和其中第一导电类型的杂质的激活相对较弱的区域来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707707A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110566190.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有第一导电类型。
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公开(公告)号：CN107527943B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201710469418.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739
Abstract: 本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110634947B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910539437.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件，包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，呈带状形状，在衬底中在一个方向上平行地延伸并且彼此间隔开；第三沟槽栅极，呈梯状形状，在衬底中在与第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间的一个方向不同的方向上延伸；第一导电类型的体区，分别布置在衬底中在第一沟槽栅极、第二沟槽栅极与第三沟槽栅极之间；一对第一导电类型的浮动第一区，在衬底中围绕第一沟槽栅极和第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；以及第一导电类型的浮动第二区，在衬底中围绕第三沟槽栅极的底表面。
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公开(公告)号：CN114628520A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111491168.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了功率半导体器件，其包括碳化硅(SiC)半导体层；设置在半导体层中的多个阱区，多个阱区彼此间隔开且具有第二导电类型；分别设置在多个阱区上的半导体层中的多个源极区，其彼此间隔开；具有第一导电类型；以及设置在半导体层中的漂移区，漂移区从多个阱区的下侧穿过多个阱区之间延伸至半导体层的表面；多个沟槽；栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极层。
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公开(公告)号：CN116960168A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211671720.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 现代摩比斯株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开电力半导体元件、包括其电力半导体芯片及其制造方法。根据本发明的一个实施例的电力半导体元件可包括：每一个配置成从半导体基板的第一面朝向与所述第一面相对的第二面凹陷(recess)的栅极电极；配置成与所述栅极电极配置的沟槽及各所述第一面相接，且包含第一导电型的掺杂物的发射区域；配置成与所述第二面相接，包含作为所述第一导电型的相反导电型的第二导电型的掺杂物的集电区域；包围所述沟槽的底面且沿所述沟槽的延伸方向朝向所述第二面延伸，包含所述第二导电型的掺杂物的浮置区域；以及在所述沟槽内配置于所述栅极电极之间的沟槽发射区域。根据本发明的电力半导体元件能够在保持耐压特性的同时提高工作稳定性。
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