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公开(公告)号：CN103065950A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210573249.2
申请日：2012-12-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 一种提高GCT芯片安全工作区的横向非均匀电子辐照方法，其步骤为：（1）GCT芯片的预辐射；通过控制芯片的少子寿命及压降的方法，对GCT芯片实行一次预辐照；（2）一次退火后，进行少子寿命和芯片压降监测；（3）采用复合合金挡板，利用电子辐照穿透复合合金挡板的非均匀性对GCT芯片进行二次辐照并退火；（4）再次进行少子寿命和芯片压降监测。本发明具有原理简单、操作简便、通过两次辐照技术以实现GCT芯片局部少子寿命控制、通过降低远离门极梳条的少子寿命、降低在GCT关断过程中电流的再分配效应、提高GCT芯片整体安全工作区等优点。
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公开(公告)号：CN101615602B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200910160951.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中，一种半导体器件，包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座，每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法，包括：将待测管芯芯片、门极组件和铝合金测试片组装入测试夹具，所述待测管芯芯片夹在所述铝合金测试片组的阳极和所述铝合金测试片组的阴极之间；执行动态测试。本发明实施例采用铝合金片组代替了现有技术中的镀铑钼片组，不仅降低了测试成本，而且减少了通态压降，改善了热阻性能，改良了与管芯芯片的表面结合。
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公开(公告)号：CN100557768C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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公开(公告)号：CN100490105C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710035982.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶方法及模具，所述的灌胶处理方法是通过一套模芯与模座一体金属与塑料复合结构的模具对半导体元件芯片的台面进行灌胶处理。具体说，所述的灌胶处理是将芯片置于由金属与塑料复合结构构成的上模和下模之间，用螺栓加力使缝隙紧密贴合，从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出。其中，所述的芯片是待加工的部分，芯片需安装在上模和下模之间，并用螺栓加力使上模和下模之间的缝隙紧密贴合，再从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出；所述的上模和下模是用于形成模腔，是完成特定形状与尺寸的灌胶操作的工装模具，上模和下模是将模芯与模座和为一体，且模芯是由金属与塑料复合结构构成的。
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公开(公告)号：CN101355072A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810215654.0
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L29/74
Abstract: 一种门极换流晶闸管，包括阳极端(103)、阴极端(101)、所述阳极端(103)和阴极端(101)之间的管壳(105)以及由所述管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；所述门极引线(111)具有与印刷电路板连接的安装面(112)；其特征在于，还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与所述阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；所述阴极引线(109)具有与印刷电路板连接的安装面(110)；且在所述门极换流晶闸管安装于印刷电路板上时，所述阴极引线(109)的安装面(110)与所述门极引线(111)的安装面(112)位于印刷电路板的同侧。本发明的门极换流晶闸管易于与印刷电路板组装，且使得门控晶闸管与印刷电路板组成的器件易于维护。
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公开(公告)号：CN1937245A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032431.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN1873918A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610031478.6
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/332
Abstract: 一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管(GTO)制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界(标20um处)的PN结电压设计值VGK精确到20～21V，据此可计算交界处的杂质浓度的V/I值应控制在10～11，其均匀度为±5％。p型杂质采用硼、铝双杂质分布，铝决定了总的结深，硼决定了硅片表面及次表面处的浓度及均匀度。靠外面为高浓度N型磷杂质，采用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。
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公开(公告)号：CN104701386B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510072875.7
申请日：2015-02-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P+型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承受反向关断di/dt的能力，能承受500A/μs以上的反向关断di/dt；采用质子辐照和电子辐照的配合工艺方法，使FRD的反向恢复时间trr在7μs以下时，反向恢复特性中的软度因子S≥1.0。本发明方法工艺新颖，流程简单，使用独特的工艺技术使之能承受较高的反向关断di/dt，同时反向恢复时，软特性良好，实际应用证明与IGCT器件配套使用的可靠性高，使FRD产品的产量和成品率都得到了保证。
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公开(公告)号：CN105355552A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510737934.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。
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公开(公告)号：CN101640172B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910166483.1
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/22
Abstract: 本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管；用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。本发明提供的扩散铝的方法，通过为具有硼扩散层的硅晶片使用陪片，使得在所述硅晶片上扩散铝能够顺利进行，解决了现有技术无法直接在具有硼扩散层的硅晶片上扩散铝的工艺障碍。
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