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公开(公告)号：CN101872756A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010194159.3
申请日：2007-01-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76805 , H01L21/76844 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，该半导体装置具有在铜合金布线与通道的连接面上形成了含氮的势垒金属膜的结构，其中，能够抑制铜合金布线与通道之间的电阻的上升以及可抑制电阻的分散。在本发明的半导体装置中，具有第一铜合金布线(3)、通道(4)以及第一势垒金属膜(7)。此处，第一铜合金布线(3)形成在层间绝缘膜(1)内，在作为主要成分的Cu中含有预定的添加元素。通道(4)形成在层间绝缘膜(2)内，与第一铜合金布线(3)的上表面电连接。在第一铜合金布线(3)与通道(4)的连接部上，与第一铜合金布线(3)接触地形成第一势垒金属膜(7)，该第一势垒金属膜(7)含有氮。预定的添加元素是通过与氮反应形成高电阻部的元素。此外，预定的添加元素的浓度为0.04wt％以下。
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公开(公告)号：CN1747167A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510098857.2
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/3192 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。
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公开(公告)号：CN100539116C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510082522.1
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02074 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。
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公开(公告)号：CN101000905A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710002205.3
申请日：2007-01-12
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76805 , H01L21/76844 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置等，该半导体装置具有在铜合金布线与通道的连接面上形成了含氮的势垒金属膜的结构，其中，能够抑制铜合金布线与通道之间的电阻的上升以及可抑制电阻的分散。在本发明的半导体装置中，具有第一铜合金布线(3)、通道(4)以及第一势垒金属膜(7)。此处，第一铜合金布线(3)形成在层间绝缘膜(1)内，在作为主要成分的Cu中含有预定的添加元素。通道(4)形成在层间绝缘膜(2)内，与第一铜合金布线(3)的上表面电连接。在第一铜合金布线(3)与通道(4)的连接部上，与第一铜合金布线(3)接触地形成第一势垒金属膜(7)，该第一势垒金属膜(7)含有氮。预定的添加元素是通过与氮反应形成高电阻部的元素。此外，预定的添加元素的浓度为0.04wt％以下。
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公开(公告)号：CN100559578C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510098857.2
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/3192 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271892A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810006288.8
申请日：2008-02-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/04 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76883
Abstract: 本发明可以提高在最下层配线中含有埋入配线的半导体装置的可靠性。在半导体基板1的主面上形成MISFETQn、Qp，并在此主面上形成着绝缘膜10、11。在绝缘膜10、11中形成接触孔12并埋入着插塞13。在埋入了插塞13的绝缘膜11上形成绝缘膜14、15、16，在绝缘膜14、15、16中形成开口部17并埋入着配线20。绝缘膜15是对绝缘膜16进行蚀刻以形成开口部17时的蚀刻终止膜，且含有硅和碳。绝缘膜11的吸湿性高，绝缘膜15的耐湿性低，但在绝缘膜11与绝缘膜15之间插入绝缘膜14，通过将绝缘膜14设为Si(硅)原子的数密度大于绝缘膜11的膜来防止形成弱电性界面。
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公开(公告)号：CN101330045B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810145438.3
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02074 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。
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公开(公告)号：CN101330045A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810145438.3
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02074 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。
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公开(公告)号：CN1819157A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510138044.1
申请日：2005-11-15
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/00 , H01L23/58 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/3157 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：在内部形成了铜布线(19)的低介电常数膜(5a～5c)；配置在低介电常数膜(5c)的上侧的氧化硅膜(6，7a)；配置在氧化硅膜(6，7a)的上侧的表面保护膜(43)；围绕电路形成区域的周围而形成的密封环(23)；平视时形成在密封环(23)的外侧的槽部(22)。槽部(22)形成为其底部位于比低介电常数膜(5c)更上侧的位置，其底部为比铜布线(19)的上端更低。
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公开(公告)号：CN1728375A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510082522.1
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02074 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。
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