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公开(公告)号：CN109888022A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910147853.0
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN109860278A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910147854.5
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN105264668B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480026382.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/51 , H01L29/24
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN108962998A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811169461.6
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。
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公开(公告)号：CN101673760B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910179076.4
申请日：2006-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 根据本发明的一个特征，根据以下步骤制造显示设备：形成半导体层；在半导体层上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅电极层；形成与半导体层接触的源电极层和漏电极层；形成电连接到源电极层或漏电极层的第一电极层；在第一电极层的一部分，栅电极层，源电极层和漏电极层上形成无机绝缘层；使该无机绝缘层和第一电极层进行等离子体处理；在已进行等离子体处理的无机绝缘层和第一电极层上形成电致发光层；和在电致发光层上形成第二电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137495A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210504910.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0206 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L21/465 , H01L21/4757 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/14616 , H01L29/045 , H01L29/0684 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78693
Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。
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公开(公告)号：CN101728275A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910206584.7
申请日：2009-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/167 , G09F21/04 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0809 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/28 , H01L21/465 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。
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公开(公告)号：CN101009241B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710085014.8
申请日：2002-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/13629 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L27/3241 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。
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公开(公告)号：CN101673760A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910179076.4
申请日：2006-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 根据本发明的一个特征，根据以下步骤制造显示设备：形成半导体层；在半导体层上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅电极层；形成与半导体层接触的源电极层和漏电极层；形成电连接到源电极层或漏电极层的第一电极层；在第一电极层的一部分，栅电极层，源电极层和漏电极层上形成无机绝缘层；使该无机绝缘层和第一电极层进行等离子体处理；在已进行等离子体处理的无机绝缘层和第一电极层上形成电致发光层；和在电致发光层上形成第二电极层。
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公开(公告)号：CN100474595C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710085810.1
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。像素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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