公开(公告)号：CN105474354A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。

公开(公告)号：CN106489187A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580037757.0

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  加藤光治

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。

公开(公告)号：CN105917443A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480071089.9

申请日：2014-12-25

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  须田淳

Inventor： 今冈功 ,  内田英次 ,  须田淳

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02529 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板及其制造方法。本发明提供一种多种半导体层露出于表面的半导体基板。半导体基板具备：支承基板、被配置于支承基板的表面的单晶的第1半导体层、被配置于第1半导体层的表面的一部分的单晶的第2半导体层、以及被配置于第1半导体层的未配置有第2半导体层的表面的单晶的第3半导体层。第3半导体层的晶体取向与第1半导体层一致，并由与第1半导体层相同材料形成。

公开(公告)号：CN109478495B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201780044382.X

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  村崎孝则 ,  下俊久 ,  内田英次 ,  南章行

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。

公开(公告)号：CN109478495A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044382.X

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  村崎孝则 ,  下俊久 ,  内田英次 ,  南章行

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。

公开(公告)号：CN105474354B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。

公开(公告)号：CN119744434A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202380061285.7

申请日：2023-08-10

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 内田英次

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种能够防止接合界面处的界面电阻的产生的半导体衬底以及半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法具备：损伤层形成工序，在第一半导体衬底的第一接合对象面以及第二半导体衬底的第二接合对象面中的至少任一者形成损伤层；特定元素导入工序，向第一接合对象面以及第二接合对象面中的至少任一者导入特定元素；接合工序，将第一接合对象面与第二接合对象面接合，形成具有接合界面的接合半导体衬底；以及热处理工序，对接合半导体衬底进行热处理，热处理工序是使导入至第一半导体衬底以及第二半导体衬底中的至少任一者的特定元素向损伤层移动的工序。

公开(公告)号：CN106489187B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201580037757.0

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  加藤光治

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。