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公开(公告)号：CN1404191A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02132157.4
申请日：2002-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。
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公开(公告)号：CN102005700A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010129717.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，可降低偏振方向的角度偏离，其包括：激光器阵列，其具有：具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极；底座，其具有：绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05～0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层；把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层；以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层，上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
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公开(公告)号：CN1348240A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01140646.1
申请日：2001-09-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/00
CPC classification number: G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/02236 , H01S5/02252 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光装置,包括:具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片;以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3－30度的角度倾斜,上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。
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公开(公告)号：CN102005700B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010129717.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，可降低偏振方向的角度偏离，其包括：激光器阵列，其具有：具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极；底座，其具有：绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05～0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层；把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层；以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层，上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。
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公开(公告)号：CN1445893A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03120627.1
申请日：2003-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明对实折射率波导型半导体激光器，得到高输出功率的半导体激光器。提供一种半导体激光器，其特征在于，具有：第1导电型包层；通过注入电流而放射光的有源层；第1的第2导电型包层；作为脊形波导路的第2的第2导电型包层；带隙比夹着上述第2的第2导电型包层在其两侧形成的上述第1及第2的第2导电型包层大的电流阻挡层；向上述第2的第2导电型包层导入电流时，具有足以防止漏电流流入上述电流阻挡层的迁移率的第3的第2导电型包层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530377C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN01140646.1
申请日：2001-09-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/02236 , H01S5/02252 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光装置，包括：具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片；以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3～30度的角度倾斜，上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。
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公开(公告)号：CN1313662A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN01111374.X
申请日：2001-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0287 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。
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