公开(公告)号：CN102005700A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010129717.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 玄永康一 ,  田中宏和 ,  弓削省三 ,  河本聪 ,  盐泽秀夫

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，可降低偏振方向的角度偏离，其包括：激光器阵列，其具有：具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极；底座，其具有：绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05～0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层；把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层；以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层，上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。

公开(公告)号：CN102005700B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010129717.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 玄永康一 ,  田中宏和 ,  弓削省三 ,  河本聪 ,  盐泽秀夫

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，可降低偏振方向的角度偏离，其包括：激光器阵列，其具有：具有脊型波导且发出第一波长的光的第一层叠体、夹着沟与其分离且发出比上述第一波长长的第二波长的光的第二层叠体、以及设置在上述第一和第二层叠体上的包含金膜的第一和第二电极；底座，其具有：绝缘体、以及具有在其上分别设置的基底金属膜和厚度在0.05～0.3μm的范围内的金膜的第一和第二导电层；把上述第一电极与上述第一导电层接合且比上述第一导电层的上述金膜厚的第一合金焊料层；以及把上述第二电极与上述第二导电层接合且比上述第二导电层的上述金膜厚的第二合金焊料层，上述脊型波导的靠近上述沟的一侧的侧面倾角比远离上述沟的一侧的侧面倾角平缓。

公开(公告)号：CN1356749A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01130390.5

申请日：2001-11-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐泽秀夫 ,  山本善生 ,  野野村敏幸 ,  福冈和雄

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425

Abstract: 课题是防止半导体激光器的端面保护膜的剥离。解决方法是采用在p型InGaAlP刻蚀阻挡层5上边,加上p型InGaAlP脊条型光波导层6,形成p型InGaAlP脊条6a的办法,在光波导部分隆起13的两侧形成光非波导部分隆起13a。