-
公开(公告)号:CN1348240A
公开(公告)日:2002-05-08
申请号:CN01140646.1
申请日:2001-09-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/00
CPC classification number: G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/02236 , H01S5/02252 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光装置,包括:具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片;以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3-30度的角度倾斜,上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。
-
公开(公告)号:CN100530377C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN01140646.1
申请日:2001-09-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/02236 , H01S5/02252 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光装置,包括:具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片;以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3~30度的角度倾斜,上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。
-
公开(公告)号:CN1356749A
公开(公告)日:2002-07-03
申请号:CN01130390.5
申请日:2001-11-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425
Abstract: 课题是防止半导体激光器的端面保护膜的剥离。解决方法是采用在p型InGaAlP刻蚀阻挡层5上边,加上p型InGaAlP脊条型光波导层6,形成p型InGaAlP脊条6a的办法,在光波导部分隆起13的两侧形成光非波导部分隆起13a。
-
-
-