公开(公告)号：CN1136222A

公开(公告)日：1996-11-20

申请号：CN96102504.2

申请日：1996-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  冈田英子 ,  矢野航作

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/10 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L21/822 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。

公开(公告)号：CN1096400A

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：CN94103346.5

申请日：1994-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  矢野航作 ,  野村登 ,  远藤政孝

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67057

Abstract: 本发明揭示了一种用于清洗半导体器件表面的清洗剂。该清洗剂包含这些成分：一种为清除有机和无机残余物的硫酸和双氧水混合液；用于产生氟的氟硫酸，氟用作清除其他残余物和微料的浸蚀剂；以及水。

公开(公告)号：CN1142673A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN96104261.3

申请日：1996-03-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口明实 ,  寺井由佳 ,  矢野航作

IPC: H01B1/16 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的成膜材料是具有与Cu配位且含Si的六节环构造、一般式可用(通式1)表示的化合物。在上述一般式中，X1和X2比如说是O、S、Se、Te等的与Cu进行配位结合的同种或异种的VI族的元素.Y1、Y2和Y3三者之中的至少一个是Si。L为具有双键或三键且可把电子供与Cu的原子团。R1和R2比如说是SiF3、SiH3、CF3或者CH3。

公开(公告)号：CN1109214A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94117305.4

申请日：1994-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田岳人 ,  平尾秀司 ,  矢野航作

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C14/0073 ,  C23C14/564 ,  H01L21/76843

Abstract: 在真空室内连续地供给半导体衬底，在该半导体衬底上形成具有欧姆特性并且是低电阻的接触部件。在配置了钛靶2的真空室1内供给氩气并在硅衬底3上淀积钛膜5，之后，在真空室1内供给掺氮的氩气并在钛膜5上淀积氮化钛膜6。此后，在真空室1内再次供给氩气，在除去附着在靶2表面的氮的同时在氮化钛膜6上淀积钛和氮的混合层9。

公开(公告)号：CN1082249C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96102504.2

申请日：1996-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  冈田英子 ,  矢野航作

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/10 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L21/822 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。

公开(公告)号：CN1119345A

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN95116832.0

申请日：1995-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉山龙男 ,  平尾秀司 ,  矢野航作 ,  野村登

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80141 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 在于第1半导体衬底的表面上形成第1电极和第1电极所用的绝缘膜的同时，在第2半导体衬底的表面上形成第2电极和第2电极所用的绝缘膜。在第1半导体衬底的表面上形成具有一定周期的剖面为锯齿形的带状凹凸图形，同时在第2半导体衬底的表面上形成对第1半导体衬底的表面的凹凸图形相移180度的带状凹凸图形。使第1半导体衬底与第2半导体衬底在表面的凹凸图形相互咬合的状态下相互结合。

公开(公告)号：CN1109216A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94115769.5

申请日：1994-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/74

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。

公开(公告)号：CN1075658C

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN96104261.3

申请日：1996-03-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口明实 ,  寺井由佳 ,  矢野航作

IPC: H01B1/16 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的成膜材料是具有与Cu配位且含Si的六节环构造、一般式可用表示的化合物。在上述一般式中，X1和X2比如说是O、S、Se、Te等的与Cu进行配位结合的同种或异种的Ⅵ族的元素。Y1、Y2和Y3三者之中的至少一个是Si。L为具有双键或三键且可把电子供与Cu的原子团。R1和R2比如说是SiF3、SiH3、CF3或者CH3。

公开(公告)号：CN1050694C

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN94115769.5

申请日：1994-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。

公开(公告)号：CN1118520A

公开(公告)日：1996-03-13

申请号：CN95104227.0

申请日：1995-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基片上用铝或铝合金形成第一层金属布线。在形成了第一层金属布线的半导体基片上，在500℃以下的温度下依次形成用作第一层间绝缘膜的第一SiO2膜及用作第二层间绝缘膜的SOG膜。在SOG膜上形成具有憎水性的分子层后，在该分子层上形成第二SiO2膜，作为第三层间绝缘膜。将第一SiO2膜、SOG膜及第二SiO2膜经过刻蚀，形成所要求的形状后，在第二SiO2膜上形成第二层金属布线。