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公开(公告)号：CN102203871A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980100210.5
申请日：2009-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/413 , H01L21/822 , H01L21/8244 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/11
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/147 , H01L23/5286 , H01L27/11 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其是具有逻辑电路(104)和多个SRAM宏(103)的系统LSI(100)，该系统LSI(100)包括：接受从系统LSI(100)的外部提供的电压VDDP，并生成比该电压VDDP还低的稳定化电压VDDM的电源电路(102)。向多个各SRAM宏(103)的SRAM存储单元(103a)提供由电源电路(102)生成的电压VDDM，并且，向各SRAM宏(103)的SRAM逻辑电路(103b)提供从外部提供的电压VDD。另外，从外部向逻辑电路(104)提供电压VDD。
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公开(公告)号：CN102576690A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047136.8
申请日：2010-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0207 , G11C17/18 , H01L23/5256 , H01L27/0288 , H01L27/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。电熔丝电路(3)具有在程序电源(6)与地线(7)之间串联连接地设置的熔丝元件(11)及晶体管(12)、和控制晶体管(12)的栅极电位的控制部(13、14)。程序防止电路(5)在程序电源(6)与地线(7)之间与电熔丝电路(3)并联地设置，并且当在程序电源(6)与地线(7)之间施加浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。
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公开(公告)号：CN102549737A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080037142.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629
Abstract: 半导体装置具备：具有栅极电极(152)的MIS晶体管、电熔丝。栅极电极(152)具有形成在半导体基板(100)上的栅极绝缘膜(101a)、形成在栅极绝缘膜(101a)上或上方的第一多晶硅层(103a)、形成在第一多晶硅层(103a)上的第一硅化物层(104a)，电熔丝具有形成在半导体基板(100)上的绝缘膜(101b)、形成在绝缘膜(101b)上或上方的第二多晶硅层(103b)、形成在第二多晶硅层(103b)上的第二硅化物层(104b)。
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公开(公告)号：CN101499321A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910003669.5
申请日：2009-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C17/18
Abstract: 本发明提供一种电熔丝电路，其能实现电熔丝电路的面积节约，且构筑防止电熔丝误切断电路。其解决方案为除了独立的一个电源开关电路(300)之外，具有多个熔丝比特单元(200)，其由一端与该电源开关电路的输出相连的熔丝元件(201)和与该熔丝元件的另一端相连的第1MOS晶体管(202)构成，进一步，作为ESD对策，在接地电位和电源开关电路的输出VGB之间连接二极管(400)。构成熔丝比特单元(200)的晶体管的栅极氧化膜厚度与低电压逻辑系晶体管而不是高电压I/O系晶体管的栅极氧化膜厚度相等。
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公开(公告)号：CN101123121A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140610.1
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C17/18
Abstract: 本发明提供一种电熔断装置，包括：多个熔断核，每个熔断核均具有电熔断元件和串联连接到该电熔断元件的开关元件；程序控制电路，其通过与有效程序时钟信号同步地依次移位程序控制传输信号来产生程序移位信号，并随后基于程序数据和所述程序移位信号产生待发送给所述多个熔断核的每个开关元件的程序信号；和程序时钟控制电路，其根据程序时钟使能信号控制程序时钟信号的导通状态和非导通状态，并且当所述程序时钟信号处于导通状态时，将所述程序时钟信号传输给所述程序控制电路，作为有效程序时钟信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102549737B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201080037142.5
申请日：2010-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629
Abstract: 半导体装置具备：具有栅极电极(152)的MIS晶体管、电熔丝。栅极电极(152)具有形成在半导体基板(100)上的栅极绝缘膜(101a)、形成在栅极绝缘膜(101a)上或上方的第一多晶硅层(103a)、形成在第一多晶硅层(103a)上的第一硅化物层(104a)，电熔丝具有形成在半导体基板(100)上的绝缘膜(101b)、形成在绝缘膜(101b)上或上方的第二多晶硅层(103b)、形成在第二多晶硅层(103b)上的第二硅化物层(104b)。
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公开(公告)号：CN102576690B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080047136.8
申请日：2010-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0207 , G11C17/18 , H01L23/5256 , H01L27/0288 , H01L27/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。电熔丝电路(3)具有在程序电源(6)与地线(7)之间串联连接地设置的熔丝元件(11)及晶体管(12)、和控制晶体管(12)的栅极电位的控制部(13、14)。程序防止电路(5)在程序电源(6)与地线(7)之间与电熔丝电路(3)并联地设置，并且当在程序电源(6)与地线(7)之间施加浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。
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公开(公告)号：CN102354529B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110219399.9
申请日：2007-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C7/12 , G11C5/148 , G11C7/20 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C2207/2227 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件。在具有电阻变化型存储元件的半导体存储器件中，不需要负电位发生电路，并且缩短数据读出时间。在准备时，电阻变化型存储元件(403)的两端、即位线(BL)和源极线(SL)由位线和源极线的各预充电电路(402)设定为预充电电位Vp。在置位时，位线(BL)由位线写入偏置发生电路(401)设置为比上述预充电电位Vp高的设定电位Vd，源极线(SL)由源极线写入偏置发生电路接地。在复位时，与置位时相反，位线(BL)接地，源极线(SL)被设定为设定电压Vd。在数据读出时，例如将位线(BL)保持为上述预充电电位Vp，由读出偏置电路(405)将源极线(SL)接地。
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公开(公告)号：CN101981626B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080001275.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/41 , G11C11/413 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/12
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。对于应用位线降压技术的存储器，在IO模块(2)中设置有：对针对存储器单元的列设置的第一位线(BL/NBL)的电位进行控制的第一晶体管(TR1)、和控制该第一晶体管(TR1)的第一逻辑门电路(LG1)。第一晶体管(TR1)的漏极或源极与第一逻辑门电路(LG1)的输入连接，并且第一晶体管(TR1)的栅极与第一逻辑门电路(LG1)的输出连接，第一晶体管(TR1)被脉冲驱动。并且，仅对一条位线(BL)连接数据读出电路(11)。
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公开(公告)号：CN101207277A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710167218.6
申请日：2007-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02H7/20
CPC classification number: G11C17/18 , H01L24/05 , H01L27/0629 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了电子保险丝电路。目的在于：在系统大规模集成电路中，当接通·断开电源时，保险丝元件不会被误程序化。用AND电路(13)来控制串联连接到保险丝元件(11)的金属氧化物半导体晶体管(12)的栅极，将该AND电路(13)的一个输入下拉到接地，该AND电路(13)与连接在保险丝元件(11)的电源相同的电源相连接。
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