公开(公告)号：CN103718314B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280039253.9

申请日：2012-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 曾田义树 ,  太田将之 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  辰巳正毅

IPC: H01L33/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L27/156 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85012 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置(1)，其使用了构成与一个或多个发光元件(2)对应的电极的引线框架(3、4)、以及利用白色树脂进行了一体成形的白色树脂成型封装体(5)，与发光元件(2)的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架(3、4)的表面和发光元件所占的俯视总面积。另外，在引线框架(3、4)的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件(2)的反射面上的白色树脂表面的面积。据此，提高光取出效率。

公开(公告)号：CN103718314A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280039253.9

申请日：2012-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 曾田义树 ,  太田将之 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  辰巳正毅

IPC: H01L33/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L27/156 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85012 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置(1)，其使用了构成与一个或多个发光元件(2)对应的电极的引线框架(3、4)、以及利用白色树脂进行了一体成形的白色树脂成型封装体(5)，与发光元件(2)的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架(3、4)的表面和发光元件所占的俯视总面积。另外，在引线框架(3、4)的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件(2)的反射面上的白色树脂表面的面积。据此，提高光取出效率。

公开(公告)号：CN104904025B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201380069511.2

申请日：2013-12-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 玉置和雄 ,  太田将之 ,  山口真司 ,  栗田贤一 ,  辰巳正毅

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 发光装置(1)的制造方法具有：框体形成工序，形成框体(2)，该框体(2)具有装载发光元件(20)的装置基板(4)和与装置基板(4)分离而通过导线(6a)与发光元件(20)电连接的端子部(5)，并且，从端子部(5)的与导线(6a)连接的连接面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H1)低于从发光元件(20)的上表面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H2)；在导线(6a)连接的发光元件(20)的电极形成凸块(32)的凸块形成工序；首先将导线(6a)的一端与端子部(5)接合的第一接合工序；然后将导线(6a)的另一端与凸块(32)接合的第二接合工序；和在框体(2)的内部填充密封材料(7)而将发光元件(20)密封的密封工序。

公开(公告)号：CN106848045A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710135406.4

申请日：2012-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 曾田义树 ,  太田将之 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  辰巳正毅

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明提供一种发光装置(1)，其使用了构成与一个或多个发光元件(2)对应的电极的引线框架(3、4)、以及利用白色树脂进行了一体成形的白色树脂成型封装体(5)，与发光元件(2)的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架(3、4)的表面和发光元件所占的俯视总面积。另外，在引线框架(3、4)的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件(2)的反射面上的白色树脂表面的面积。据此，提高光取出效率。

公开(公告)号：CN1430271A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02158814.7

申请日：2002-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口真司 ,  浅津琢郎 ,  小野敦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。

公开(公告)号：CN102386308A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110240592.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉住伸之 ,  山口真司

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光装置，是将具有LED芯片和覆盖LED芯片的含有荧光体的密封树脂的发光部搭载在基板的上面的发光装置，具备在基板和发光部之间存在的氧化硅系绝缘膜，氧化硅系绝缘膜直接形成在基板或氧化铝系绝缘膜的上面，含有荧光体的密封树脂直接形成在氧化硅系绝缘膜的上面以将LED芯片覆盖。由此提供能够使密封树脂难以剥离的发光装置和发光装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1453863A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122279.X

申请日：2003-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  浅津琢郎 ,  山口真司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。

公开(公告)号：CN102386320B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110254113.0

申请日：2011-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  辰巳正毅 ,  曾田义树 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  原田昌道 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  稻田顺史

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  G01R31/02

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件，包括：衬底正面电极，形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极；衬底背面电极，形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极；和多个连接电极，在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧，用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极，其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。

公开(公告)号：CN102386320A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110254113.0

申请日：2011-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  辰巳正毅 ,  曾田义树 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  原田昌道 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  稻田顺史

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  G01R31/02

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件，包括：衬底正面电极，形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极；衬底背面电极，形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极；和多个连接电极，在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧，用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极，其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。

公开(公告)号：CN1283002C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN03122279.X

申请日：2003-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  浅津琢郎 ,  山口真司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。