公开(公告)号：CN103946978B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280057121.9

申请日：2012-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷口清美 ,  植田顺 ,  小野敦

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在半导体装置（101）中，对常开型的第1开关有源元件（103）与常关型的第2开关有源元件104）进行共源共栅连接。以使在由此形成的电流路径中形成的、半导体装置（101）在俯视图中的环路面积变得最小的方式，进行第1和第2开关有源元件（103、104）的配置和连接。

公开(公告)号：CN101276800B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810087472.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/02 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01R12/714 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09709 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/043 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种可进一步缩小半导体器件的电极连接间隔且在进行焊接时可形成足够厚度的预涂焊料的电路基板及其制造方法。本发明的电路基板具备多个连接焊盘，前述连接焊盘连接半导体元件的作为连接端的凸点，其中，上述多个连接焊盘成列配置从而形成多个连接焊盘列，而且，上述连接焊盘列相互平行地配置于上述电路基板的表面；在相邻的上述连接焊盘列中，多个上述连接焊盘在上述连接焊盘列的长度方向上呈之字状交错配置。

公开(公告)号：CN1257549C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN02158814.7

申请日：2002-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口真司 ,  浅津琢郎 ,  小野敦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。

公开(公告)号：CN100433303C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510005645.5

申请日：2005-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  藤原纪人

IPC: H01L23/02 ,  H01L27/14

Abstract: 图象拾取元件和微透镜部分被形成在半导体衬底的正面上；形成了穿过半导体衬底的穿通电极；从正面向着玻璃盖子突出的突出部分被形成为厚度大于穿通电极上微透镜部分的厚度；且突出部分被插入在半导体衬底与玻璃盖子之间。

公开(公告)号：CN101055866A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710096026.0

申请日：2007-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L23/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/2253 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/3025 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光学装置用模块。电气配线由第1贯通电极、第1再配线层、第2再配线层、第2贯通电极和第3再配线层构成，其中，第1贯通电极贯通固态摄像元件，第1再配线层电连接第1贯通电极(7)并且能够再配线至上述固态摄像元件的背面的所需位置，第2再配线层电连接第1再配线层并且能够再配线至图像处理装置的背面的所需位置，第2贯通电极贯通上述图像处理装置并电连接第2再配线层，第3再配线层电连接第2贯通电极并且能够再配线至上述图像处理装置的正面的所需位置。图像处理装置具备与第3再配线层电连接的外部连接端子。由此，可以实现一种不会对光学装置用模块的结构带来负担的、小型化、轻量化的光学装置用模块及其制造方法。

公开(公告)号：CN1430271A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02158814.7

申请日：2002-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口真司 ,  浅津琢郎 ,  小野敦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。

公开(公告)号：CN103946978A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280057121.9

申请日：2012-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷口清美 ,  植田顺 ,  小野敦

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在半导体装置（101）中，对常开型的第1开关有源元件（103）与常关型的第2开关有源元件（104）进行共源共栅连接。以使在由此形成的电流路径中形成的、半导体装置（101）在俯视图中的环路面积变得最小的方式，进行第1和第2开关有源元件（103、104）的配置和连接。

公开(公告)号：CN101276800A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087472.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/02 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/111 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01R12/714 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09709 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/043 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种可进一步缩小半导体器件的电极连接间隔且在进行焊接时可形成足够厚度的预涂焊料的电路基板及其制造方法。本发明的电路基板具备多个连接焊盘，前述连接焊盘连接半导体元件的作为连接端的凸点，其中，上述多个连接焊盘成列配置从而形成多个连接焊盘列，而且，上述连接焊盘列相互平行地配置于上述电路基板的表面；在相邻的上述连接焊盘列中，多个上述连接焊盘在上述连接焊盘列的长度方向上呈之字状交错配置。

公开(公告)号：CN1453863A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122279.X

申请日：2003-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  浅津琢郎 ,  山口真司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。

公开(公告)号：CN100533727C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710096026.0

申请日：2007-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L23/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/2253 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/3025 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光学装置用模块。电气配线由第1贯通电极、第1再配线层、第2再配线层、第2贯通电极和第3再配线层构成，其中，第1贯通电极贯通固态摄像元件，第1再配线层电连接第1贯通电极(7)并且能够再配线至上述固态摄像元件的背面的所需位置，第2再配线层电连接第1再配线层并且能够再配线至图像处理装置的背面的所需位置，第2贯通电极贯通上述图像处理装置并电连接第2再配线层，第3再配线层电连接第2贯通电极并且能够再配线至上述图像处理装置的正面的所需位置。图像处理装置具备与第3再配线层电连接的外部连接端子。由此，可以实现一种不会对光学装置用模块的结构带来负担的、小型化、轻量化的光学装置用模块及其制造方法。