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公开(公告)号：CN115171806A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762643.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种第三主族单硫化合物二阶非线性光学性质的计算方法，包括：构建Janus第三主族单硫化合物M2XY；采用VASP对优化后的M2XY进行自洽计算，并测试其截断能，然后进行非自洽计算，分别使用PBE和HSE06方法计算优化后的M2XY的带隙，从而得到剪切能量；将剪切能量值输入Elk软件计算优化后的M2XY的二阶非线性极化率，并计算带间和带内跃迁对二阶非线性极化率的贡献。本发明提供的第三主族单硫化合物二阶非线性光学性质的计算方法步骤简单、易于操作，且计算耗时较少、精度高，能够快速准确计算材料的二阶非线性极化率，在光电子器件、激光及集成光学方面有明显的优势和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115169105A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769647.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN115165814A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759752.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，涉及半导体材料的模拟技术技术领域，具体适用于固体材料，包括如下步骤：构建含有缺陷的晶胞模型，定义ABCD四种状态，同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；通过杂化密度泛函自洽计算，获得各态势总能，构建位形图和ZPL能量；提取所述总能、声子基矢和原子质量，通过计算获得黄昆因子和光谱数据，将其导入绘图软件，得到光致发光谱。本发明所述的计算方法实现对固体材料声子辅助光致发光性质的精确模拟计算。
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公开(公告)号：CN115146413A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210830004.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/14 , G06F113/14 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种二维褶皱材料纳米管性能分析方法，包括以下步骤：将不同宽度的二维褶皱材料分别沿两个周期方向卷曲，构建得到不同管径大小的扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，然后对其进行原子弛豫，获得稳定的结构；分别计算纳米管的能带和态密度；计算不同应力条件下纳米管的能带结构，分析其电学行为；计算纳米管的杨氏模量。本发明通过模拟计算方法使二维褶皱材料沿两个不同周期方向卷曲，构建得到扶手椅型二维褶皱纳米管和锯齿型二维褶皱纳米管，并通过第一性原理计算方法对构建得到的纳米管电学性质以及应变对其电学行为的调控进行了系统研究，能够了解不同二维褶皱纳米管的性能，为新材料的设计提供了思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115130306B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210762682.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F18/24 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取入射粒子辐射产生的PKA信息；对半导体器件进行网格划分，并统计网格中的PKA信息；建立与网格等大小的体系模型；将网格中的PKA信息作为输入参数，在LAMMPS软件中进行缺陷演化模拟，获得MD时间尺度下的稳态结构；将稳态结构中的缺陷信息作为KMC的输入文件，输出最终稳定态结构；统计最终稳定态结构中的缺陷信息，并对所有网格中的缺陷信息进行汇总，得到半导体器件的综合缺陷信息。本发明基于MD和KMC实现了半导体器件中辐照缺陷产生及演化全过程的时空跨尺度模拟计算，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115186465B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210768685.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/15 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供了一种计算单机内部深度‑剂量曲线的方法，属于空间环境分析技术领域。方法包括：S1、计算输入的深度‑剂量曲线，选取所要分析的空心的单机壳体；S2、进行射线跟踪分析，获取每一个扇形区域的屏蔽深度值；S3、将每一个扇形区域的屏蔽深度值与输入的深度‑剂量曲线的屏蔽深度值进行加和，之后依据加和的屏蔽深度值计算出对应的剂量值，以输入的深度‑剂量曲线的屏蔽深度值和依据加和的屏蔽深度值计算得到的剂量值构建输出的深度‑剂量曲线；S4、根据每一个扇形区域的权重对输出的深度‑剂量曲线进行累加，构建单机内部的深度‑剂量曲线。本发明实现了高效、精确地将外部环境的深度‑剂量曲线转化为单机壳体的深度‑剂量曲线。
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公开(公告)号：CN115169105B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210769647.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN115906447A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211404864.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质。本方法包括：构建晶体管界面态模型；若缺陷类型为受主型缺陷；根据受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度；将受主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到受主型泊松方程；利用受主型泊松方程替代泊松方程，得到受主型晶体管界面态优化模型；若缺陷类型为施主型缺陷；根据施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度；将施主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到施主型泊松方程；利用施主型泊松方程替代泊松方程，得到施主型晶体管界面态优化模型。本方案的有益效果是：优化了晶体管界面态模型，利用本优化模型得到的基极电流仿真结果更准确。
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公开(公告)号：CN115588472A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211410954.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于器件离子注入和扩散的云图显示方法及系统，涉及半导体工艺制造技术领域。本发明所述的方法包括，构建器件结构模型，获取工艺过程中的离子注入参数和扩散参数，将所述离子注入参数和所述扩散参数输入所述器件结构模型，对所述工艺过程进行仿真，得到离子注入云图和扩散云图，采用真实器件工艺对所述离子注入云图和所述扩散云图进行建模仿真并显示；本发明所述的技术方案，通过建模仿真及显示，准确模拟和预估离子注入和扩散步骤，达到了直观精确显示掺杂情况的效果。
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