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公开(公告)号：CN101724894A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN1888127A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610010308.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10－7mbar，As束流为1.2×10－5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10－8mbar，Sb束流为2.4×10－7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10－7mbar，Sb束流为2.7×10－6mbar，生长InSb外延层。采用本发明的方法制备出的结晶完整、表面光滑的外延InSb薄膜的室温电子迁移率可达4.35×104cm2V－1s－1，室温载流子浓度可达3.42×1016cm－3。
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公开(公告)号：CN101571886B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910072263.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50 , H01L31/101
Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数，本发明能结合特定探测器性能要求，综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料，并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。
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公开(公告)号：CN100404731C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610010315.X
申请日：2006-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是InSb薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：(一)初始化一个L×L的二维矩阵，记录每个格点处原子高度，输入衬底原子与薄膜原子的晶格常数与结合能；(二)建立薄膜生长过程的模型，确定薄膜生长过程中发生的微观事件：(三)事件的选取与时间的演化，计算各事件的发生概率；(四)采用C++高级语言编制软件进行模拟计算；(五)把结果输入到MATLAB工程软件中，输出三维图像。本发明能实现薄膜外延生长初期的岛状生长过程的全程模拟，能预测薄膜的表面结构，而指导工艺参数的调整和优化。
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公开(公告)号：CN1908252A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610010315.X
申请日：2006-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是InSb薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：(一)初始化一个L×L的二维矩阵，记录每个格点处原子高度，输入衬底原子与薄膜原子的晶格常数与结合能；(二)建立薄膜生长过程的模型，确定薄膜生长过程中发生的微观事件；(三)事件的选取与时间的演化，计算各事件的发生概率；(四)采用C++高级语言编制软件进行模拟计算；(五)把结果输入到MATLAB工程软件中，输出三维图像。本发明能实现薄膜外延生长初期的岛状生长过程的全程模拟，能预测薄膜的表面结构，而指导工艺参数的调整和优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101724894B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN101572278B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910072199.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：1.蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；2.在蓝宝石衬底上生长AlN层；3.在AlN层上生长GaN层；4.在GaN层生长GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱；5.在GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱上生长GaAs；6.在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱；7.GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。
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公开(公告)号：CN101572278A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910072199.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：一、蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；二、在蓝宝石衬底上生长AlN层；三、在AlN层上生长GaN层；四、在GaN层生长GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱；五、在GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱上生长GaAs；六、在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱；七、GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。
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公开(公告)号：CN100453690C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610010308.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10-7mbar，As束流为1.2×10-5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10-8mbar，Sb束流为2.4×10-7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10-7mbar，Sb束流为2.7×10-6mbar，生长InSb外延层。采用本发明的方法制备出的结晶完整、表面光滑的外延InSb薄膜的室温电子迁移率可达4.35×104cm2V-1s-1，室温载流子浓度可达3.42×1016cm-3。
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公开(公告)号：CN1963431A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151069.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片；二、在计算机中建立该图片的平面坐标系，确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标，通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值，利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异，弃掉包层区的像素点，把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。
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