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公开(公告)号:CN119911963A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510120394.2
申请日:2025-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米颗粒组装的多孔花状二氧化锡基体材料的可控制备方法、气敏材料的制备方法及应用,属于气敏材料领域。本发明采用溶剂热法、煅烧、化学镀等方法,实现了一种纳米颗粒组装的多孔花状二氧化锡基气敏材料的可控制备。该材料呈现出大小均一、直径约5微米的3D花状结构,该花状结构由2D的片状花瓣构成,而构成片状花瓣的基本单元则是直径约40纳米的SnO2颗粒。其独特的分级多孔形貌结构一方面具有大比表面积,可以提供更多的表面活性位点;另一方面,较多的孔隙有利于气体分子在材料表面的传输与扩散。此外,采用多种增效策略协同增强了SnO2基气敏材料的正丁醇传感性能。
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公开(公告)号:CN117870689A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410046516.3
申请日:2024-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供了一种基于部分马尔可夫决策过程的无人车辆导航轨迹规划系统及方法,属于无人车辆导航决策规划领域。为了解决现有无人车辆在单车道非封闭场景下面对不同速度的障碍物,无法做出有效且准确的局部路径决策的问题。局部决策模块依据定位感知模块的感知信息,结合道路中出现的障碍物信息,智能做出局部路径决策;局部路径规划模块基于势场采样进行动态路径规划;路径优化模块基于车辆运动学预测模型进行路径滚动优化;对于无人车辆的速度规划,速度规划模块基于障碍物预测轨迹生成路径时间PT图,依据虚拟势场结合模型运动学约束进行速度规划,并将速度赋予每一个规划路径点。
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公开(公告)号:CN117505838A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311522363.7
申请日:2023-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用,属于电子封装微互连技术领域,具体方案为:通过化学镀法制得微米Cu@In核壳材料,并与微米In颗粒、微米Ag颗粒进行混合,最终得到微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上,并将芯片、预制片、基板装配成三明治结构,得到整体器件,将所述整体器件在一定压力下进行连接,得到互连器件。本发明能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号:CN116790140A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310759097.3
申请日:2023-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用。所述方法为:将多孔碳纳米球分散在去离子水中,加入二氧化锡粉末,先后进行搅拌、超声和涡旋振荡得到均匀的混合溶液;在混合溶液中加入硝酸银,在60℃下搅拌反应,随后进行离心、洗涤,得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag材料;将所得材料溶解于无水乙醇中混匀,将混匀后的气敏涂料涂覆至带电极的陶瓷管表面,待涂料干燥后重复数次,得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag气敏传感器。本发明的纳米涂料可在100℃的温度下对异丙醇具备良好的传感特性,可有效解决目前的传感器工作温度较高的问题。具有工艺简单、成本低廉的特点。
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公开(公告)号:CN116564453A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310641666.4
申请日:2023-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于聚变装置壁材料燃料滞留的激光辅助原位诊断技术领域,具体涉及面向激光辐照第一壁材料温度场分布的激光参数优化方法。确定仿真使用的激光模型,根据第一壁材料热传导系数与环境温度的变化规律,进行设定函数;基于函数,确定毫秒激光在第一壁材料上的作用位置,构建激光与材料相互作用的;基于得到的空间表达式、根据毫秒激光功率密度分布特点,得到温度场分布规律;基于温度场分布规律进行激光辐照材料的理论模型设计;基于理论模型,改变毫秒激光的相关参数,得到实验要求的毫秒激光不同脉宽及光斑直径条件下的材料烧蚀阈值;根据材料烧蚀阈值得到激光脉宽2ms及光斑直径2mm情况下的第一壁材料内部无损实验的温度场分布形式。本发明针对现有激光加热材料过程中科学性选取激光参数的问题。
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公开(公告)号:CN116275058A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310314039.X
申请日:2023-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F7/08 , B23K26/00 , B22F1/107 , B22F1/0545 , B22F1/17
Abstract: 本发明公开了一种微纳米合金接头的多场耦合快速制备方法,所述方法将微纳米金属粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合,得到混合焊膏;用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位;用加热平台对基板预热去除部分水和有机物;采用电磁或激光与加热平台耦合、或激光、电磁感应与传统热场三场耦合加热焊接,形成接头。该方法将激光、电磁场与传统的热场耦合,三维立体烧结微纳混合颗粒,实现其瞬态、芯片区域的局部键合,攻克微纳米颗粒键合需要整体加热、键合效率低下的问题。多场耦合快速加热条件下,混合颗粒的原子和缺陷运动、扩散行为、填充行为,能够降低孔隙率,对接头微观组织结构和力学行为产生巨大影响。
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公开(公告)号:CN116079277A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202310045341.X
申请日:2023-01-30
Applicant: 南京恒电电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 南京恒电先进微波技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种In‑Cu@Ag钎料预制片及其制备方法,包括纳米Cu颗粒的制备,通过在液相中还原可溶性铜盐,制备纳米Cu颗粒;纳米Cu@Ag的制备,将硝酸银溶液加入铜粉和柠檬酸三钠的分散体系中,在铜颗粒表面发生置换反应形成Cu@Ag核壳;In‑Cu@Ag钎料预制片的制备,通过加压或者加热加压的方式,将In箔或微米In颗粒与纳米Cu@Ag核壳材料制备形成钎料预制片;本发明制备的In‑Cu@Ag钎料预制片可实现低温连接高温服役,不仅降低了互连温度和互连条件,还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞;可在低温无压条件下将芯片与基板互连,能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号:CN116008306A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202310097703.X
申请日:2023-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/956 , G01J5/48
Abstract: 一种电路板焊点缺陷红外热透视方法,属于电路板焊点质量检测技术领域,具体方案包括以下步骤:步骤一、利用红外激光分别照射标准虚焊电路板和合格电路板的局部或全部,停止照射后,红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄红外热图;步骤二、利用红外激光照射待测电路板的局部或全部,停止照射后,红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄待测电路板红外热图;以标准虚焊电路板上某一元器件焊点部分最高温度值作为待测电路板红外热图中的温标上限H,以合格电路板上同一个元器件焊点的最低温度值作为待测电路板红外热图中的温标下限L,即得到待测电路板上该元器件的红外热透视图,判断待测电路板上该元器件的焊点是否存在缺陷。
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公开(公告)号:CN115684270A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211362956.7
申请日:2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统和筛查方法,属于电路板焊点虚焊检测领域,具体方案如下:所述筛查系统包括红外热像仪和热源;红外热像仪设置在待测电路板的正上方且镜头正对待测电路板,热源位于红外热像仪的旁侧,使用热源加热待测电路板的整体或局部,停止加热的同时,红外热像仪对待测电路拍照得到热像图;待测电路板的热像图中,若某个元器件的整体或者局部的温度比标准合格样板的热像图中相对应的元器件的温度高于设定值,则该元器件存在焊点虚焊或者缺陷。本发明彻底突破了高密度封装电路板元器件焊点虚焊检测这一行业难题,可检测的元器件涵盖了各种现有芯片及阻容器件,同时其高效性有助于将本发明应用于生产线上。
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公开(公告)号:CN109545696B
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN201811436197.8
申请日:2018-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法,涉及微连接技术领域。包括如下步骤:步骤一:将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上,完成待焊部件对准过程,并施加压力;步骤二:将以上体系放入回流炉中,经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段,完成有机物的挥发、单相纳米合金颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明采用了单相纳米银铜合金颗粒,纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力,实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接,形成抗氧化能力、抗电迁移及抗电化学迁移能力强的优良接头,在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温连接高温服役。
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