用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺

    公开(公告)号:CN116275028B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202310314041.7

    申请日:2023-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺,所述碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法如下:步骤1、将中空碳纳米球分散在溶剂中,搅拌并超声处理;步骤2、加入银源,在避光条件下搅拌后,加入还原剂;步骤3、将所得溶液在室温下避光搅拌;步骤4、将所得产物进行多次洗涤、离心、再分散,随后经干燥,得到碳纳米球@Ag核壳材料。本发明的碳纳米球@Ag核壳材料具有良好的抗氧化性,通过塑性变形可以有效减少形成接头中的孔隙和孔洞;可实现“低温连接、高温服役”,通过纳米颗粒的塑性变形有效减少形成接头中的孔隙和孔洞,可在低温条件下将芯片与基板互连,完成半导体器件的连接封装。

    一种微纳米合金接头的多场耦合快速制备方法

    公开(公告)号:CN116275058A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310314039.X

    申请日:2023-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种微纳米合金接头的多场耦合快速制备方法,所述方法将微纳米金属粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合,得到混合焊膏;用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位;用加热平台对基板预热去除部分水和有机物;采用电磁或激光与加热平台耦合、或激光、电磁感应与传统热场三场耦合加热焊接,形成接头。该方法将激光、电磁场与传统的热场耦合,三维立体烧结微纳混合颗粒,实现其瞬态、芯片区域的局部键合,攻克微纳米颗粒键合需要整体加热、键合效率低下的问题。多场耦合快速加热条件下,混合颗粒的原子和缺陷运动、扩散行为、填充行为,能够降低孔隙率,对接头微观组织结构和力学行为产生巨大影响。

    用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺

    公开(公告)号:CN116275028A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310314041.7

    申请日:2023-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺,所述碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法如下:步骤1、将中空碳纳米球分散在溶剂中,搅拌并超声处理;步骤2、加入银源,在避光条件下搅拌后,加入还原剂;步骤3、将所得溶液在室温下避光搅拌;步骤4、将所得产物进行多次洗涤、离心、再分散,随后经干燥,得到碳纳米球@Ag核壳材料。本发明的碳纳米球@Ag核壳材料具有良好的抗氧化性,通过塑性变形可以有效减少形成接头中的孔隙和孔洞;可实现“低温连接、高温服役”,通过纳米颗粒的塑性变形有效减少形成接头中的孔隙和孔洞,可在低温条件下将芯片与基板互连,完成半导体器件的连接封装。

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