公开(公告)号：CN106098588A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510793715.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡弦谦 ,  李昌盛 ,  张辅元 ,  林泓胤 ,  张文哲 ,  徐健彬

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供了用于控制半导体制造中的处理温度的方法。该方法包括检测配置为处理半导体晶圆的第一室中的温度。该方法还包括在第二室中产生热交换介质的流体以冷却第一室，第二室连接至第一室。该方法也包括根据第一室中的检测的温度，通过改变第一通风单元的覆盖面积来控制热交换介质的流体，第一通风单元允许热交换介质进入第二室。

公开(公告)号：CN113363158A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110185564.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  李松柏 ,  吕文雄 ,  蔡柏豪 ,  张文哲

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种方法包括形成第一导电部件；在第一导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；蚀刻钝化层以露出第一导电部件；以及使钝化层的第一顶面凹进以形成阶梯。阶梯包括钝化层的第二顶面。该方法还包括在钝化层上形成平坦化层；以及形成延伸至钝化层中以接触第一导电部件的第二导电部件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106098588B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510793715.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡弦谦 ,  李昌盛 ,  张辅元 ,  林泓胤 ,  张文哲 ,  徐健彬

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供了用于控制半导体制造中的处理温度的方法。该方法包括检测配置为处理半导体晶圆的第一室中的温度。该方法还包括在第二室中产生热交换介质的流体以冷却第一室，第二室连接至第一室。该方法也包括根据第一室中的检测的温度，通过改变第一通风单元的覆盖面积来控制热交换介质的流体，第一通风单元允许热交换介质进入第二室。

公开(公告)号：CN113363158B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202110185564.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  李松柏 ,  吕文雄 ,  蔡柏豪 ,  张文哲

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种方法包括形成第一导电部件；在第一导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；蚀刻钝化层以露出第一导电部件；以及使钝化层的第一顶面凹进以形成阶梯。阶梯包括钝化层的第二顶面。该方法还包括在钝化层上形成平坦化层；以及形成延伸至钝化层中以接触第一导电部件的第二导电部件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。