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公开(公告)号：CN112086420A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010997150.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种用于功率器件内部连接的弹性组件，包括导电套筒，导电套筒内设有碟簧，导电套筒上口两侧分别设有导电弹片，导电弹片一端与导电套筒侧壁接触形成原子间键合，另一端与碟簧接触，导电套筒上口两侧的导电弹片之间设有导电柱，导电柱一端与两个导电弹片接触，另一端与芯片钼片接触；工作时，在器件发射极和集电极两端施加一定的压力，各个组件连接更为紧密，碟簧通过收缩提供压应力方向的位移Δh，达到器件的负载阈值，此时器件中各芯片间在压应力的作用下导通压降等性能的变化值保持一致；本发明可有效提高压接模块芯片的压应力均衡性，同时极大程度提高模块的电路通流能力。
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公开(公告)号：CN112820700A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110133498.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN113725190A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN113725190B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN116190335A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211618940.8
申请日：2022-12-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块、功率器件及功率模块的制备方法，其中功率模块包括从上至下设置的盖板、侧框和基板；所述基板上设有衬板，衬板正面的第一导电区的一侧电连接芯片的集电极；所述芯片的栅极通过键合线电连接衬板正面的第二导电区，第二导电区电连接信号端弹簧针，信号端弹簧针电连接外置接口；所述芯片的发射极电连接导电片，导电片电连接导电桥臂；所述导电桥臂输出端电连接外置接口；所述导电桥臂抵连盖板，盖板外周设有紧固件，紧固件贯穿侧框与基板螺纹连接。本发明能够提高功率模块的导电桥臂的通流能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284160A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111399915.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本发明公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件及方法，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本发明能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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公开(公告)号：CN114068515A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111413751.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN112086372B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN112086372A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN114284160B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111399915.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本发明公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件及方法，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本发明能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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