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公开(公告)号：CN119866029A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510044534.2
申请日：2025-01-11
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10D30/47 , H10D30/01 , H10D62/40 , H10D62/10 , H10D62/17 , H10D64/27 , H10D64/62 , H10D64/01 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域；该器件从下到上依次包括衬底层(101)、GaN缓冲层(102)、掩膜层(103)、复合沟道结构(104)、源极(105)、漏极(106)、p‑NiO层(107)、p+‑NiO层(108)和栅极(109)；通过控制GaN的晶面取向和外延生长条件，形成特定结构的三维GaN台面，从而有效避免刻蚀损伤；同时，p‑NiO层(107)与复合沟道结构(104)中的2DEG相互耗尽，显著优化电场分布，提升击穿电压，并通过复合沟道结构(104)的多沟道设计有效降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN118090867B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410494694.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法，涉及氢气检测设备技术领域，旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题，所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极，还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案，从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测，具有广阔的应用场景。
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公开(公告)号：CN117894894A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410141822.5
申请日：2024-02-01
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片结构的白光LED及其制备方法，所述白光LED包括LED支架、固晶在LED支架上的LED芯片、覆盖于LED芯片的发光侧的荧光胶、填充于LED支架内部的塑封胶；所述LED芯片由外延片制成，外延片的结构从下至上依次包括：衬底、外延缓冲层、N型GaN层、复合多量子阱层、超晶格电子阻挡层和P型GaN层。通过特定的外延片制备LED芯片，搭配特定的荧光胶制备白光LED，实现白光LED的光谱更加接近标准光谱，并且减少白光LED在415‑455nm的危险蓝光区域的功率分布，改善白光LED的色参数、降低白光LED的蓝光危害，并且提高其光效，保证节能。
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公开(公告)号：CN111551249B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010601532.6
申请日：2020-06-29
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种激光功率计结构，包括激光功率计单元，该激光功率计单元包括自下而上依次设置的基板、绝缘层、金属弹性形变层；本发明的激光功率计结构基于光力效应，并通过平板电容结构实现对激光功率的测量，光力效应不需要能量吸收过程，功率测量更具及时性；本发明的激光功率计结构通过高反射镜，能有效的利用测量激光，实现在正常工作过程中对激光功率的实时监控。
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公开(公告)号：CN119451331A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411429129.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H29/01 , H10H20/825 , H10H20/818 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型InxGa1‑xN层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构，以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高亮度；以六方密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上的有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响，对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118538800A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410495572.5
申请日：2024-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种(010)面β相III族氧化物复合结构及其制备方法，此复合结构包括自下而上依次设置的：上表面以(110)晶面高Al组分AlGaN结尾的复合衬底101、III族氧化物复合引导层102和(010)面β相III族氧化物薄膜103。此复合结构以III族氮化物标准制备工艺为基础，解决了当前(010)面β相氧化物缺乏合适异质外延衬底的问题，为外延生长高质量(010)晶面III族氧化物结构提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN118073447A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410232243.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/18 , G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种可调谐深紫外探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，包括衬底、六方氮化硼薄膜、表面等离激元结构、氧化镓薄膜、第一电极、第二电极和第三电极；六方氮化硼薄膜固定于衬底上方，包括依次连接的第一晶域、台阶和第二晶域，第二晶域的厚度大于第一晶域，表面等离激元结构固定于台阶的斜面上；氧化镓薄膜固定于第二晶域上方，第一电极固定于氧化镓薄膜上方，第二电极固定于第一晶域上方，第三电极同时连接氧化镓薄膜和第二晶域；本发明通过表面等离激元共振效应的表面改性可以显著提高材料的光电性能，从而使探测器拥有更高的响应度和更快的响应速度，实现对185～210nm和250～270nm两种波长的紫外光选择性探测。
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公开(公告)号：CN115360232A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211018417.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/80 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成Ge/Si异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。
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公开(公告)号：CN119300441A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411428321.1
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN118090867A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410494694.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法，涉及氢气检测设备技术领域，旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题，所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极，还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案，从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测，具有广阔的应用场景。
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