一种基于多波段激光光谱的类器官芯片检测系统

    公开(公告)号:CN116380831A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211690148.3

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于多波段激光光谱的类器官芯片检测系统,包括主控处理模块,还包括:多路阵列激光模块以及光纤耦合器模块,所述光纤耦合器模块上连接有类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统;锁相放大器模块,与主控处理模块连接,用于对接收的信号进行锁相放大转化成电信号并出入主控处理模块;以及双路MEMS‑SPI光谱传感器模块,与类器官芯片癌细胞培养系统连接且通过光纤衰减器模块与类器官芯片正常细胞培养系统连接,用于接收来自类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统的红外光信号;本发明能够通过光谱传感器对液体成分进行检测,检测类器官芯片培养特征的微量细胞培养液的成分和浓度。

    一种激光功率计结构
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111551249B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202010601532.6

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明公开一种激光功率计结构,包括激光功率计单元,该激光功率计单元包括自下而上依次设置的基板、绝缘层、金属弹性形变层;本发明的激光功率计结构基于光力效应,并通过平板电容结构实现对激光功率的测量,光力效应不需要能量吸收过程,功率测量更具及时性;本发明的激光功率计结构通过高反射镜,能有效的利用测量激光,实现在正常工作过程中对激光功率的实时监控。

    一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺

    公开(公告)号:CN113921392B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202111033626.9

    申请日:2021-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺,包括如下步骤:对衬底进行清洗干燥;在衬底上沉积单层PS小球;将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内,设定相关工艺参数;预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间,使用的单位蚀刻周期的数量为N,蚀刻总时长T=N*15秒;取出衬底,蒸镀金属层,进行有机溶剂清洗和干燥处理,完成模板转移后,可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题,通过实现高质量PS小球蚀刻工艺,来实现更为复杂精细的微纳结构制造。

    电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管

    公开(公告)号:CN118315470B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410414314.X

    申请日:2024-04-08

    Abstract: 本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管,属于光电晶体管技术领域;光电晶体管包括基底,基底上设置有栅极,栅极上包裹有绝缘层,绝缘层上设置有有源层,有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层;硒化铅薄膜的右端设置有源极,绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极;栅极采用电栅形式,利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型,内部形成卷积核,用算法测试验证卷积核,利用卷积神经网络模型构建样本校正,用算法测试验证,实现对光的寻址,提高了光电晶体管的准确性;且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。

    基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114709291B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202210345928.8

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明公开一种基于GeSe二维纳米材料红外光谱探测器及其制备方法,属于红外光谱探测器器件领域,该红外光谱探测器包括基底上利用喷墨打印形成的栅极电极,绝缘层,源漏电极,二维纳米材料层,半导体有源层,本发明能够感知宽光谱红外信号并且将光信号转化为电信号,结合机器学习的方法来进行光谱的分光识别和处理,代替了传统光谱传感器利用光栅进行分光,所用的二维纳米GeSe片在红外波段感光性强,提高了光谱传感器灵敏度,此外该材料构成的传感器靶面与读出电路匹配,器件的集成度高。

    一种基于红外偏振谐波的高精度溶液浓度检测装置

    公开(公告)号:CN116008190A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202310049437.3

    申请日:2023-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于红外偏振谐波的高精度溶液浓度检测装置,包括入射光以及探测器,还包括:Mueller矩阵偏振系统,置于含有待测药液的透明容器两侧,所述Mueller矩阵偏振系统包括偏振态发生器以及偏振态分析器,所述偏振态发生器与偏振态分析器位于含有待测药液的透明容器的两侧,所述偏振态发生器以及偏振态分析器均包括偏振片、波片以及旋转器,所述波片置于旋转器上,所述入射光位于偏振态发生器一侧,所述探测器位于偏振态分析器一侧;本发明能够结合手性分子与偏振光的相互作用以及介质表面二次谐波性质,提高了对药液样品浓度的检测精度,构建的高性能Mueller矩阵偏振系统通过双旋转器选择偏振光的特点,在多维度进行药液数据检测。

    一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法

    公开(公告)号:CN115513229A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211364237.9

    申请日:2022-11-02

    Inventor: 刘向 郭其华 陶治

    Abstract: 本发明涉及微电子与光电子的技术领域,具体涉及一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法,包括第一栅极、第二栅极、绝缘层、第一源极、第二源极、第一P型GeSe半导体有源层、第一N型半导体感光层、第二N型半导体感光层、第二P型GeSe半导体有源层、第一漏极、第二漏极,所述PN异质结由P型半导体有源层、N型半导体感光层接触形成,所述源极、漏极分别位于PN异质结的两侧,且所述第一漏极与第二漏极相连。本发明新颖地提出了以GeSe为p型有源层材料构建双异质结的CMOS反相器,并给出3例相应实例。反相器工作性能优异,具有高载流子迁移率、高探测率以及高光响应率,可以实现栅极电压可控。

    一种基于多传感器融合的人体呼气痕量检测系统

    公开(公告)号:CN115078304A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210750200.3

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本发明公开一种基于多传感器融合的人体呼气痕量检测系统,涉及电化学检测领域,包括MEMS光谱传感核心;光PID的TVOCs传感核心;电化学传感核心;温湿度传感核心;MCU‑ESP32单片机核心部件;MCU‑STM32单片机核心部件;Wifi‑蓝牙数据传输模块;阿里云物联网模块,所述MEMS‑FPI传感器是一种超紧凑传感器,内置MEMS‑FPI可调谐滤光器,可以在单个封装中根据施加电压和砷化铟镓光电二极管改变其传输波长;同时,本发明在使用时,通过采用了基于ESP8266的WifiSOC模组实现阿里云的IoTStdio互联技术融合了包括可调谐二极管吸收光谱技术(TDLAS)光谱痕量检测、光PID电离检测、电化学检测等技术在内的多种高精度气体探测手段,实现了肺病、肠胃病患者的自我诊断和医护人员实时远程监测患者的健康状况。

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