公开(公告)号：CN116313759A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211515673.1

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  王博 ,  刘中梦雪 ,  白涛 ,  张伟

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开一种低频低噪声运算放大器制备方法，包括在硅晶的基片表面生长一层氧化层，和利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域的步骤，以及N+源漏制备、N‑沟道制备、P+栅区制备、BPSG保护膜层制备、金属制备和钝化层制备下步骤。本发明通过网格线状的JFET栅结构，以增大器件栅结构面积，提高JFET跨导，同时JFET的并联结构，可以有效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；通过制造出N+接触区，可降低源端与金属间的欧姆接触电阻，有效的减少热电阻噪声，有效的降低器件噪声电压。

公开(公告)号：CN119545814A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411486802.8

申请日：2024-10-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱小燕 ,  张海峰 ,  徐鹏 ,  高博 ,  王博 ,  王玉乐

IPC: H10D1/47

Abstract: 本发明涉及一种U型电阻率温度特性的多晶硅电阻制作方法，1、在硅衬底（1）的氧化硅层上，采用LPCVD工艺淀积多晶硅薄膜（3），2、在多晶硅薄膜（3）上淀积TEOS介质层（4），进行RTA快速热退火；采用炉管工艺高温退火对多晶硅再结晶；3、光刻注入注入硼杂质形成P型多晶硅电阻（3‑1）；4、光刻刻蚀P型多晶硅电阻图形（3‑1）；5、在氧化硅层及P型多晶硅电阻上淀积介质层（7）。本发明制备的多晶硅电阻，在‑55℃~+125℃温度范围内，电阻率随温度的变化呈现U型特性，转折温度约为室温25℃，从‑55℃到+125℃温度范围的电阻率温度系数为3.18 ppm/℃，接近于0ppm/℃。

公开(公告)号：CN117727618A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311560686.5

申请日：2023-11-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张海峰 ,  王博 ,  丁继洪 ,  朱纪洋

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开一种开环运算放大器制备方法，包括以下步骤：在基片表面生长氧化层，利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域；通过离子注入、热扩散方式在P‑阱区域内形成多个N+源漏区域；通过离子注入、热扩散方式在P‑阱区域内形成N‑沟道区域；通过离子注入、热扩散方式在N‑沟道区域和P阱区内形成P+栅区；利用CVD化学气相淀积工艺，在氧化层表面形成保护膜层；测试动态电阻并修正至目标值；利用金属溅射、光刻、刻蚀工艺，将器件N+接触区互并联形成形成铝引线及压点。本方法通过调整沟道注入剂量、深度以及栅区剂量及深度，在满足器件功耗的情况下，降低器件的导通动态电阻，进而实现电路工作点稳定以及放大系数可控。

公开(公告)号：CN115882792A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211515353.6

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  王博 ,  刘中梦雪 ,  孙涛 ,  张海峰

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F3/181

Abstract: 本发明公开一种低频低噪声运算放大器器件，包括表面设有氧化层的硅片，硅片中设有一定结深的P型阱区，氧化层覆盖P型阱区，在P型阱区内设有N沟道区域，其特征在于：所述N沟道区域和P型阱区内设有P型栅区，N沟道区域内设有一组源区和漏区，P型栅区整体呈网格线状，将每个源区或漏区分隔在P型栅区划分的网格内，该组源区和漏区分别通过第一金属引线柱欧姆连接并外露氧化层，经金属导带对应连接分别形成源极和漏极，P型栅区通过第二金属引线柱欧姆连接并外露氧化层经金属导带连接形成栅极。本发明可效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；同时可降低源漏端与金属间的欧姆接触电阻，降低热噪声电压。