公开(公告)号：CN104393009B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410677096.5

申请日：2014-11-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  肖智轶

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种包含硅通孔的高可靠性影像传感器封装，属于影像传感器封装领域。所述封装结构包括：1.玻璃；2.晶圆，在晶圆正面制作有影像传感区和焊盘；3.通过在玻璃正面制作一层支撑墙，将玻璃同晶圆键合在一起；4.通过在晶圆背面制作硅通孔，将焊盘暴露出来，以使焊盘同后续的再分布层之间实现导通；5.在硅通孔孔内和晶圆背面依次制作钝化层、金属层、防焊层，通过上述结构组成的再分布层，将焊盘与焊球实现导通。本发明通过将硅通孔延伸到玻璃正面，使金属层与焊盘的侧面进行连接，增强了金属层与焊盘之间连接的稳定性，从而提高了结构的可靠性。另外，由于选用了干膜作为支撑墙的材料，减少了工艺步，节约了生产成本。

公开(公告)号：CN103021890B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210550154.9

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种QFN封装器件的制造方法。制造形成的QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架，而是在封装工艺过程中，有机结合电镀、机械磨削和切割方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，独立的芯片载体和引脚在封装工艺过程中由配置的绝缘填充材料提供机械支撑和保护，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封，制造形成的QFN封装器件具有高的I/O密度和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN103165475B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210548637.5

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装器件的制造方法。制造形成的QFN半导体封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有的台阶结构的芯片载体和引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。

公开(公告)号：CN103000648B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210478706.X

申请日：2012-11-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  陈思 ,  夏国峰 ,  朱文辉

IPC: H01L27/146

Abstract: 大芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器技术领域。在晶圆第一表面中硅衬底上方的中央设置有光学交互区，在设置有光学交互区的一面连接有金属互联结构，硅衬底上光学交互区周围的I/O通过金属互联结构连接到电极垫；金属互联结的表面设置有保护层，并在保护层上形成有台阶状的凸起或凹槽结构；晶圆的第一表面与玻璃片键合在一起，在玻璃片和晶圆之间形成空腔；晶圆的第二表面设置有TSV孔，通过TSV孔穿过硅衬底将电极垫连接到晶圆第二表面上面的焊盘垫，在TSV孔孔壁上依次制作有作钝化层和金属衬里，聚合物材料将TSV孔填充；在晶圆第二表面上制作防焊层，焊球制作在焊盘垫上。本发明改善了现有封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了封装可靠性。

公开(公告)号：CN103050452B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210550161.9

申请日：2012-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用蚀刻方法制作再布线层，并形成独立的引脚，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。

公开(公告)号：CN105097576A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510420460.4

申请日：2015-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  别晓锐 ,  史戈 ,  安彤 ,  武伟 ,  肖智轶

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L24/11

Abstract: 一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。

公开(公告)号：CN104409422A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410678131.5

申请日：2014-11-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  肖智轶

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 本发明公开了一种含腔体的低厚度低成本芯片尺寸封装，属于半导体封装领域。所述封装结构包括：1.盖板，在盖板正面制作有空腔结构；2.晶圆，其包含晶圆正面和晶圆背面；3.功能区和焊盘都分布在晶圆正面，其中焊盘分布在功能区的周边，并实现导通；4.键合胶，位于盖板和晶圆之间，将二者键合在一起；5.硅通孔将焊盘暴露出来，以使焊盘同后续重分布层之间实现导通；6.重分布线路层位于晶圆背面，包括钝化层、金属层和防焊层，将焊盘与焊球实现导通；7.焊球，位于晶圆背面的重分布线路层上。本发明减小了封装的厚度，降低了结构中的应力。另外，还提高了切割工艺良率和封装的可靠性。

公开(公告)号：CN104392958A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410678133.4

申请日：2014-11-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  武伟 ,  安彤 ,  肖智轶

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/16235 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/561

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级含硅通孔的半导体封装方法，属于半导体封装领域。封装方法主要包含以下步骤：1，在盖板正面上制作有空腔结构；2，将盖板正面通过键合机同晶圆正面进行键合；3，通过研磨机对晶圆背面进行研磨，并进行去应力等离子刻蚀；4，从晶圆背面开始，将属于切割道区域的硅全部去除；5，对晶圆背面进行刻蚀以形成硅通孔孔洞，并将焊盘暴露出来；6，依次在晶圆背面、硅通孔孔内制作钝化层、金属层和防焊层以构成重分布线路层，从而将焊盘导通到晶圆背面预设的焊球位置；7，制作焊球并沿切割道进行切割。通过本发明专利的实施：提升了晶圆切割工艺的良率，降低了封装结构中的应力水平，减小了封装结构的外形尺寸。

公开(公告)号：CN102354689B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201110345213.4

申请日：2011-11-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  武伟 ,  刘程艳 ,  朱文辉

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种面阵引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法。本封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中呈面阵排列分布。金属材料层配置于芯片载体和多个引脚的上表面和下表面位置。IC芯片配置于芯片载体上表面位置的金属材料层上，或者配置于多个引脚上表面位置的金属材料层上。绝缘填充材料配置于多个引脚的台阶式结构下和芯片载体的凹槽中。粘贴材料配置于IC芯片与芯片载体上表面的金属材料层中间或者IC芯片与多个引脚上表面的金属材料层中间。通过塑封材料包覆密封形成封装体。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN102354691B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110344522.X

申请日：2011-11-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  武伟 ,  刘程艳 ,  朱文辉

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法。本高密度四边扁平无引脚封装包括引线框架，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。粘贴材料配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间。IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚和芯片载体上表面。塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层。暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。