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公开(公告)号：CN1247833C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN00800858.2
申请日：2000-03-02
Applicant: 直江津电子工业株式会社 , 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/30604 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式，能有效地降低全制程所需时间，对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升，进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外，于进行化学蚀刻处理时，由于能将蚀刻量确保在60μm以上，因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此，能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%，而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。
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公开(公告)号：CN109564887B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780047185.3
申请日：2017-04-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种装载埠以及晶圆搬送方法，该装载埠设有：构成晶圆搬送室的壁面的一部分且具有使该晶圆搬送室内开放的开口的板状部、载置晶圆收纳容器的载置台、使该开口得以开闭的扉部、得以吸着支承盖的吸着具、得以进行容器本体与盖的固定及固定解除的闩、以及收纳有闩驱动机构的闩驱动机构收纳部。该装载埠配置成能够使闩驱动机构收纳部的内部的气压较无尘室的气压为同压，或较无尘室的气压更为低压。由此提供能防止于自晶圆收纳容器进行晶圆出入时，在装载埠及晶圆收纳容器的盖内部的可动部等发生的尘埃附着于晶圆的装载埠及晶圆的搬送方法。
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公开(公告)号：CN1304461A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800858.2
申请日：2000-03-02
Applicant: 直江津电子工业株式会社 , 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/30604 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60μm以上,因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此,能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%,而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103875061B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280050352.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02087 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。
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公开(公告)号：CN103875061A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050352.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02087 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。
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公开(公告)号：CN112740368B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980060791.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗方法及晶圆收纳容器的清洗装置，其能够抑制源自衬垫的微尘(微粒)附着于收纳在晶圆收纳容器的容器主体内的晶圆表面。
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公开(公告)号：CN112740368A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980060791.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗方法及晶圆收纳容器的清洗装置，其能够抑制源自衬垫的微尘(微粒)附着于收纳在晶圆收纳容器的容器主体内的晶圆表面。
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公开(公告)号：CN109564887A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047185.3
申请日：2017-04-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种装载埠以及晶圆搬送方法，该装载埠设有：构成晶圆搬送室的壁面的一部分且具有使该晶圆搬送室内开放的开口的板状部、载置晶圆收纳容器的载置台、使该开口得以开闭的扉部、得以吸着支承盖的吸着具、得以进行容器本体与盖的固定及固定解除的闩、以及收纳有闩驱动机构的闩驱动机构收纳部。该装载埠配置成能够使闩驱动机构收纳部的内部的气压较无尘室的气压为同压，或较无尘室的气压更为低压。由此提供能防止于自晶圆收纳容器进行晶圆出入时，在装载埠及晶圆收纳容器的盖内部的可动部等发生的尘埃附着于晶圆的装载埠及晶圆的搬送方法。
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