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公开(公告)号：CN102985364B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180029911.1
申请日：2011-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: F26B5/042 , B08B3/04 , B08B3/10 , C01B33/035 , C23C16/4407 , F26B5/12 , F28G13/00
Abstract: 钟罩具备金属性钟罩(1)和用于设置该钟罩(1)的金属性基板(2)，通过填料(3)使容器内部密闭。在基板(2)上连接压力计(4)、气体导入管路(5)、气体排气管路(6)，使钟罩(1)的内部压力的监测以及气体的导入和排气成为可能。在气体排气管路(6)的路线上设置真空泵(7)，通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压。通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压，由此有效地进行水分除去，在短时间内结束钟罩的干燥。通过本发明，提供提高钟罩内表面的清洁度从而有助于高纯度多晶硅的制造的技术。
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公开(公告)号：CN102574691A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046255.1
申请日：2010-07-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035 , Y10T29/53796 , Y10T29/53961
Abstract: 本发明提供一种多晶硅的制造方法，其能够在短时间内使硅芯线与芯线支架获得充分的接合强度，其结果是能够缩短反应初期的生长速度抑制期间。本发明的芯线支架(20)中，一端侧为具有圆锥台状的斜面的形状，在该端部设有开口部(22)，且形成有用于插入并保持硅芯线(5)的空洞(21)。在硅芯线(5)的表面通过西门子法使多晶硅(6)进行气相生长，进行多晶硅棒的制造。在开口部(22)附近的圆锥台状斜面上从开口部附近的外周面朝向空洞(21)形成有环状狭缝(23a～c)作为绝热层。该环状狭缝作为绝热部(绝热层)发挥作用，抑制来自硅芯线(5)或多晶硅(6)的传导热及辐射热向金属电极的逸散，并对芯线支架(20)的一端侧进行加热。
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公开(公告)号：CN102498065B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080040883.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035 , C22C1/02 , Y02P20/124
Abstract: 本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外侧(外壁侧)设置有用于使反应炉(10)内的热量高效地从内壁面向冷却介质流路(13)传导的导热层(11b)。另外，冷却介质流路具备可使标准沸点以上的热水循环的耐压性。耐腐蚀层(11a)由合金材料构成，所述合金材料具有如下组成：在将铬(Cr)、镍(Ni)及硅(Si)的质量百分含量分别设定为[Cr]、[Ni]及[Si]时，由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上。在将反应炉内壁的炉内侧表面温度控制在370℃以下的状态下进行多晶硅的析出反应。
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公开(公告)号：CN101565185A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910132968.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C30B29/06
CPC classification number: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明提供一种多晶硅棒的制造方法，其中，在制造硅棒时，使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言，从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11)，进而，切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为 的情况下，晶体习性线(h1～h4)为四根，硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明，能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN103936010A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410092928.7
申请日：2010-10-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/458 , C01B32/225 , C01B33/035 , C23C16/24
Abstract: 本发明涉及碳电极和多晶硅棒的制造装置，本发明提供在多晶硅棒气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生具有很好抑制效果的技术。碳电极（30）的上部电极（31）的上表面侧设有保持硅芯线（5a）的芯线固定器（20）的固定部。上部电极（31）上设有从上表面（33）向下表面（34）贯穿的孔部（贯通孔）（35），作为棒状连结部件的螺栓（36）经由垫圈（37）从上部电极（31）上表面（33）插入该孔部（35），在下部电极（32）被螺纹固定。孔部（35）内与螺栓（36）的直杆部之间的间隙（51），使上部电极（31）可以在与下部电极（32）的上表面的接触面即载置面（图2中为与上部电极31的下表面34相接触的下部电极32的上表面）的面内全方位移动，从而在气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生起到抑制效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102498065A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040883.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035 , C22C1/02 , Y02P20/124
Abstract: 本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外侧(外壁侧)设置有用于使反应炉(10)内的热量高效地从内壁面向冷却介质流路(13)传导的导热层(11b)。另外，冷却介质流路具备可使标准沸点以上的热水循环的耐压性。耐腐蚀层(11a)由合金材料构成，所述合金材料具有如下组成：在将铬(Cr)、镍(Ni)及硅(Si)的质量百分含量分别设定为[Cr]、[Ni]及[Si]时，由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上。在将反应炉内壁的炉内侧表面温度控制在370℃以下的状态下进行多晶硅的析出反应。
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公开(公告)号：CN102666380B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080049198.2
申请日：2010-10-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , H01L21/203
CPC classification number: C23C16/458 , C01B32/225 , C01B33/035 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供在多晶硅棒气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生具有很好抑制效果的技术。碳电极(30)的上部电极(31)的上表面侧设有保持硅芯线(5a)的芯线固定器(20)的固定部。上部电极(31)上设有从上表面(33)向下表面(34)贯穿的孔部(贯通孔)(35)，作为棒状连结部件的螺栓(36)经由垫圈(37)从上部电极(31)上表面(33)插入该孔部(35)，在下部电极(32)被螺纹固定。孔部(35)内与螺栓(36)的直杆部之间的间隙(51)，使上部电极(31)可以在与下部电极(32)的上表面的接触面即载置面(图2中为与上部电极31的下表面34相接触的下部电极32的上表面)的面内全方位移动，从而在气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生起到抑制效果。
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公开(公告)号：CN101565185B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910132968.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C30B29/06
CPC classification number: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明提供一种多晶硅棒的制造方法，其中，在制造硅棒时，使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言，从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11)，进而，切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为 的情况下，晶体习性线(h1～h4)为四根，硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明，能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN102666380A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080049198.2
申请日：2010-10-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , H01L21/203
CPC classification number: C23C16/458 , C01B32/225 , C01B33/035 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供在多晶硅棒气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生具有很好抑制效果的技术。碳电极(30)的上部电极(31)的上表面侧设有保持硅芯线(5a)的芯线固定器(20)的固定部。上部电极(31)上设有从上表面(33)向下表面(34)贯穿的孔部(贯通孔)(35)，作为棒状连结部件的螺栓(36)经由垫圈(37)从上部电极(31)上表面(33)插入该孔部(35)，在下部电极(32)被螺纹固定。孔部(35)内与螺栓(36)的直杆部之间的间隙(51)，使上部电极(31)可以在与下部电极(32)的上表面的接触面即载置面(图2中为与上部电极31的下表面34相接触的下部电极32的上表面)的面内全方位移动，从而在气相生长工艺中对可在所有方位伸缩的U形棒的裂缝或破裂的发生起到抑制效果。
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公开(公告)号：CN102498063B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080040911.7
申请日：2010-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/02
CPC classification number: H01L21/02595 , B01J19/02 , B01J2219/0236 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4411 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y02P20/124 , Y02P20/129
Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。
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