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公开(公告)号：CN102637703B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210024736.3
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取设备和用于制造固态图像拾取设备的方法。提供一种用于制造固态图像拾取设备的方法，所述固态图像拾取设备包括：包含光电转换部的基板；和被布置于基板上的波导，所述波导与光电转换部对应并且包含芯部和覆层，所述方法包括：第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤和第二步骤中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，在覆层中的开口中形成要被形成为芯部的部件，并且，在第一步骤之后，在第二步骤中，在基板的背面侧的射频功率与基板的正面侧的射频功率的比率比第一步骤中的该比率高的条件下，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，形成要被形成为芯部的部件。
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公开(公告)号：CN101252102B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810080869.6
申请日：2008-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/768 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76828 , H01L27/14636 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法，该方法包括以下步骤：在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔；在孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢；通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构；并且形成覆盖多层互连结构的保护膜，其中，在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。
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公开(公告)号：CN1244031A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99111914.2
申请日：1999-07-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/02425 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
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公开(公告)号：CN102214668B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110079810.7
申请日：2011-03-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 泽山忠志
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629
Abstract: 本发明公开了固态图像传感器和成像系统，包括光电转换元件的固态图像传感器包括：第一绝缘膜，第一绝缘膜布置在半导体基板上并且具有布置在相应元件上的开口；绝缘体部分，所述绝缘体部分具有高于第一绝缘膜的折射率的折射率并且布置在相应开口内；第二绝缘膜，第二绝缘膜布置在所述绝缘体部分的上表面和第一绝缘膜的上表面上；和第三绝缘膜，第三绝缘膜具有低于第二绝缘膜的折射率的折射率，并且被与第二绝缘膜的上表面接触地布置，其中令λ是入射光的波长，n是第二绝缘膜的折射率，并且t是第二绝缘膜在第一绝缘膜的上表面上的区域的至少一部分中的厚度，满足关系t＜λ/n。
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公开(公告)号：CN1269189C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1186347A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN102637710B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210028220.6
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G01J1/42 , H01L27/14627 , H01L27/14629
Abstract: 本公开涉及光电转换元件、光电转换装置和图像感测系统。用于使光路通向所述光电转换部分的部件包括中间部分和具有与中间部分的折射率不同的折射率的外围部分，并且，在与光电转换部分的受光面平行的某一平面内以及在与受光面平行并且比该某一平面更接近受光面的另一平面内，外围部分与中间部分连续并且包围中间部分，并且，外围部分的折射率比包围所述部件的绝缘膜的折射率高，并且，所述另一平面内的外围部分的厚度比所述某一平面内的外围部分的厚度小。
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公开(公告)号：CN102637710A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028220.6
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G01J1/42 , H01L27/14627 , H01L27/14629
Abstract: 本公开涉及光电转换元件、光电转换装置和图像感测系统。用于使光路通向所述光电转换部分的部件包括中间部分和具有与中间部分的折射率不同的折射率的外围部分，并且，在与光电转换部分的受光面平行的某一平面内以及在与受光面平行并且比该某一平面更接近受光面的另一平面内，外围部分与中间部分连续并且包围中间部分，并且，外围部分的折射率比包围所述部件的绝缘膜的折射率高，并且，所述另一平面内的外围部分的厚度比所述某一平面内的外围部分的厚度小。
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公开(公告)号：CN102637703A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024736.3
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取设备和用于制造固态图像拾取设备的方法。提供一种用于制造固态图像拾取设备的方法，所述固态图像拾取设备包括：包含光电转换部的基板；和被布置于基板上的波导，所述波导与光电转换部对应并且包含芯部和覆层，所述方法包括：第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤和第二步骤中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，在覆层中的开口中形成要被形成为芯部的部件，并且，在第一步骤之后，在第二步骤中，在基板的背面侧的射频功率与基板的正面侧的射频功率的比率比第一步骤中的该比率高的条件下，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，形成要被形成为芯部的部件。
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公开(公告)号：CN102214668A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110079810.7
申请日：2011-03-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 泽山忠志
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629
Abstract: 本发明公开了固态图像传感器和成像系统，包括光电转换元件的固态图像传感器包括：第一绝缘膜，第一绝缘膜布置在半导体基板上并且具有布置在相应元件上的开口；绝缘体部分，所述绝缘体部分具有高于第一绝缘膜的折射率的折射率并且布置在相应开口内；第二绝缘膜，第二绝缘膜布置在所述绝缘体部分的上表面和第一绝缘膜的上表面上；和第三绝缘膜，第三绝缘膜具有低于第二绝缘膜的折射率的折射率，并且被与第二绝缘膜的上表面接触地布置，其中令λ是入射光的波长，n是第二绝缘膜的折射率，并且t是第二绝缘膜在第一绝缘膜的上表面上的区域的至少一部分中的厚度，满足关系t＜λ/n。
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